GlobalFoundries推出业内首个22nm FD-SOI工艺

去年GlobalFoundries收购IBM晶圆厂业务不仅没有掏钱，反而获得15亿美元补贴，而来自蓝色巨人深厚的半导体技术研发积累使得GlobalFoundries得以继续发展22nm SOI工艺。而就在昨天，GlobalFoundries宣布推出全新的“22FDX”工艺平台，全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。

据悉，FD-SOI技术不同之处在于其仍采用平面型晶体管，而像半导体制造大户Intel、三星以及台积电早已采用立体晶体管（FinFET），不过目前GF也有FinFET工艺。但，这项技术毕竟是IBM留给GF的遗产，并且前者还是后者的大客户，所以GF怎么着也得把看似尴尬的22nm FD-SOI继续下去，并且GF还希望能把该工艺做到在持平28nm工艺成本的前提下实现14nm工艺级别的性能。

GlobalFoundries官方表示，FD-SOI工艺功耗比28nm HKMG降低了70％，同时芯片面积比28nm Bulk缩小了20％，光刻层比FinFET工艺减少接近50％，芯片成本比16/14nm低了20％。而在功耗方面，其电压可以做到业界最低的0.4V，并可通过软件控制晶体管电压，还集成了RF射频，功耗降低最多50％，它甚至可以提供类似FinFET工艺的性能。但从数据层面来看，22nm的FD-SOI工艺似乎是达到了GF之前对其的期望。

而关于投产时间，GF称将投资2.5亿美刀于2016年下半年在德国德累斯顿工厂开始生产。IBM、ARM、Imagination、意法半导体、飞思卡尔、VeriSilicon、IBS、Semeria、Soitec等厂商表示将会支持这一工艺。

————————关注芯智讯———————

行业交流、合作请加微信：xintiyan001

投稿请发至：[e-mail]

欢迎加入芯智讯官方交流群：221807116

————————————————————