联电宣布14纳米FinFET制程正式进入客户芯片量产阶段

晶圆代工大厂联华电子（以下简称联电）23日发出消息宣布，该公司所自主研发的14纳米鳍式场效电晶体(FinFET)制程技术，已成功进入客户芯片量产阶段。

联电表示，目前出货给主要客户的14纳米量产晶圆，良率已达先进制程的业界竞争水准，此制程将帮助客户开拓崭新的应用于电子产品。

联电执行长颜博文表示，此次14纳米量产里程碑的达成，是联电与客户携手努力的成果。这象征了我们已成功地以合作模式，将先进技术导入市场。

同时，联电与其他客户的合作也在顺利进行中，将持续优化此制程，充分发挥14纳米FinFET在效能、功耗和闸密度所具备的优势，以驱动次世代硅芯片于网路、人工智能和各类消费产品等各领域的应用。

联电表示，联电的14纳米FinFET制程效能竞争力已达业界领先标准，速度较28纳米增快55%，闸密度则达2倍。

此外，14纳米制程的功耗亦较28纳米制程减少约50%。此14纳米客户芯片现正于联电台南的Fab 12A晶圆厂生产中，未来将因应客户需求，稳步扩充其14纳米产能。

来源：TechNews科技新报

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