三星全球最大闪存芯片工厂7月投产：量产64层3D NAND闪存

目前三星是全球最大的NAND闪存芯片制造商，为了继续扩大规模和市占率，他们正积极加大相应的投入。

根据韩国媒体给出的报道称，三星将从今年7月份开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。这是全球规模最大的芯片工厂，占地289万平方米，而在这里三星将量产第四代3D NAND闪存芯片，该芯片垂直堆叠达到64层。

三星第四代立体堆叠的V-NAND芯片可实现单独晶粒（DIE）512Gb (64GB)的存储容量，单独晶粒数据传输速度可达100MB/S

该新工厂从2015年开始建造，耗资15.6万亿韩元(约合136亿美元)。平面和垂直NAND闪存芯片的总产能预计将达到每月45万片晶圆，3D NAND闪存芯片将占据一半以上。

IHS Markit发布的报告显示，三星去年在NAND闪存芯片市场的份额从2015年的32%增长到了36.1%。

稿源：快科技

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