总投资1500亿元！长鑫存储DRAM芯片宣布投产

9月20日，在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。

　　该项目以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标，2016年5月由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建，是安徽省单体投资最大的工业项目。目前，项目已通过层层评审，并获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。

国家重大专项01专项专家组组长、清华大学微电子所所长魏少军，国家重大专项01专项专家组专家、中国科学技术大学特聘教授陈军宁等业内权威专家表示，这标志我国在内存芯片领域实现量产技术突破，拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。

　　DRAM即动态随机存取存储器，是芯片产业中产值占比最大的单一品类。2018年，中国芯片进口额超过3000亿美元，这个单一品类就占到了其中的两成以上。其作为最常见的内存芯片，被喻为连接中央处理器的“数据高速公路”，广泛应用于高性能计算、工业设备、消费电子等电子产品之中。

　　据魏少军等专家介绍，我国虽是该芯片的最大应用市场，此前却始终未能出现实现量产的国产项目，没有掌握自主产能。

　　长鑫存储投产的产品是现在全球市场上的主流产品。“投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。”大会现场，长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明手持一颗指甲盖大小的芯片说。

目前，全球DRAM市场主要被三星、SK海力士、美光三大巨头垄断。据集邦的统计数据显示，2019年一季度全球DRAM市场实现营业收入163亿亿美元，其中三星、SK海力士、美光三家合力拿下了全球96%的DRAM市场。

此次，长鑫存储DRAM自主制造项目的正式投产，也标志着国产DRAM成功打破国外厂商的垄断，首次实现自主生产。

那么，目前长鑫存储与三星、SK海力士、美光等国外DRAM大厂的技术差距有多大，良率情况又是如何呢？

在昨天的中国闪存技术峰会上，合肥长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士在主题演讲当中透露，合肥长鑫已将奇梦达的46nm内存工艺技术水平提升到了10nm级别。

对于良率问题，合肥长鑫没有公布具体的数据，但是宣称其10nm级内存已经获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。

另外值得一提的是，9月21日，民营企业助力安徽省实施长江三角洲区域一体化发展战略座谈会21日在安徽合肥举行。座谈会现场，合肥市政府与长鑫存储技术有限公司、华侨城集团有限公司、北方华创科技集团股份有限公司等举行了合肥长鑫集成电路制造基地项目签约仪式，该项目总投资超过2200亿元。

据合肥市市长凌云介绍，合肥长鑫集成电路制造基地项目位于合肥空港经济示范区，占地面积约15.2平方公里，由长鑫12英寸存储器晶圆制造基地、空港集成电路配套产业园、空港国际小镇三个片区组成，主要围绕长鑫存储项目布局上下游产业链配套，提供生活服务设施，致力于打造产城融合国家存储产业基地、世界一流的存储产业集群。

其中，除了总投资1500亿的长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目之外，空港集成电路配套产业园位于长鑫存储项目以西，总投资超过200亿元；合肥空港国际小镇规划面积9.2平方公里，位于长鑫存储项目以北，总建筑面积420万平方米，总投资约500亿元。

凌云说，近年来，合肥市围绕“合肥芯”“合肥产”“合肥用”产业链条，打造IC之都，聚集上下游企业超过200家，从业人员两万人，培育出合肥长鑫存储、合肥晶合等一批代表性企业，已成为中国少数几个芯片自主制造基地之一。“合肥长鑫集成电路制造基地全部建成后，预计可形成产值规模超2000亿元，集聚上下游龙头企业超200家，吸引各类人才超20万人。”

长鑫存储技术有限公司董事长朱一明认为，当前，长三角区域一体化发展为民营企业，特别是集成电路行业提供了更加广阔的天地。“作为中国第一家自主研发并投产的DRAM设计制造一体化企业，我们将更加主动深入地融入长三角一体化发展，致力成为技术领先与商业成功的半导体存储芯片公司，为世界产业格局带来新变化。”

编辑：芯智讯-林子     来源：综合自新华社、中新网等

此前关于长鑫存储文章：国产DRAM年底将量产，但前路依旧漫漫！

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