高通射频前端业务的逆袭：从默默无闻，到涉嫌垄断！

据外媒报道，高通当地时间周三表示，欧盟反垄断机构欧盟委员会正在对该公司进行反垄断调查，查证其是否利用在5G射频芯片领域的市场优势在欧盟国家从事反竞争行为。

高通在其提交给美国证券交易委员会（SEC）的10-Q季度报表中称，2019年12月3日，该公司收到欧盟委员会的通知，称正在调查高通是否通过利用其在射频前端（RFFE）市场及5G调制解调器领域的市场地位，在欧盟国家从事反竞争行为。

如果发现违规行为，欧盟委员会有可能采取广泛的补救措施，包括处以罚款（高至高通年营收的10%），以及禁止或限制某些高通商业行为的禁令。

高通表示，该公司的商业行为并未违反欧盟的反垄断准则，很难预测此事的结果，也很难预测欧盟会采取什么补救措施。

高通在射频前端领域的布局

众所周知，高通公司是全球主要的手机芯片及调制解调器（基带芯片）提供商，而基带芯片也正是手机及其他终端设备连接到蜂窝无线网络的关键。高通凭借其在基带芯片领域的技术和专利优势，已经成为了全球最大的基带芯片供应商，全球几乎所有的手机厂商都有采用高通的基带芯片。即便是此前与高通对簿公堂的苹果，也在去年选择放弃英特尔基带芯片，与高通和解并达成了新为期6年的许可协议。足见高通在基带芯片领域的强势地位。

此外，近年来，高通也在积极将自身的优势地位扩展至射频前端相关领域。射频前端是移动通信系统的核心组件，主要起到收发射频信号的作用，它包括功率放大器(PA)、双工器(Duplexer和Diplexer)、射频开关(Switch)、滤波器(Filter)、低噪放大器(LNA)等五个组成部分。

早在2016年，高通就与TDK共同斥资30亿美元成立了合资公司RF360 Holdings Singapore Pte（以下简称“RF360”），使得高通获得了完整的4G/5G射频前端解决方案。资料显示，RF360产品主要涉及滤波器和滤波技术，包括表面声波（SAW）、温度补偿表面声波（TC-SAW）和体声波（BAW）解决方案等。

此后，高通就凭借其在基带芯片及手机芯片市场的优势地位，开始将其射频前端产品与其基带芯片及SoC进行打包销售，并很快取得了不错的成绩。

虽然高通没有详细列出射频前端业务的收入，但该公司此前曾指出，其射频前端销售额在其2018财年同比几乎翻了一番。另外，根据高通此前公布的预测数据显示，除了手机芯片业务之外，高通近年来在包括射频前端、汽车、物联网等领域也增长迅速，这些非核心业务有望在2019财年为高通贡献约70亿至80亿美元的收入，并在2017-2019财年以25%的速度稳固增长。

而随着5G的商用，智能手机需要支持的频段数量正在不断上升，因为不仅要支持5G频段，还要兼容4G的频段，以应对4G、5G多模信号切换的需求。因此，这也对5G手机的射频前端芯片提出了更高的要求，同时对于射频前端芯片的需求量和价值也快速增长。以滤波器为例，目前一款4G手机中的需要用到的滤波器数量大约为30多个，而5G手机则可能需要上百个。 

根据高通此前预计，到2020年，随着5G的大规模商用，高通可服务的市场业务规模将达到1500亿美元。其中，高通占据主导地位的智能手机芯片业务将达320亿美元，而射频前端业务也将达到200亿美元的规模。

另外，根据福布斯的预计，随着5G的推动，到2019年，基于高通调制解调器的设备将有约3%的配备了高通的射频前端组件，到2021年，这一数字将上升至20%。

在此预期之下，高通也一直在不断强化其射频前端业务，并通过自身在手机芯片市场的强势地位，推动手机制造厂商购买其射频芯片与基带芯片（或SoC芯片）组成的全套解决方案，而不是从其他供应商那里单独选择射频前端芯片进行集成。

虽然此前大多数搭载高通调制解调器的4G旗舰手机都依赖于Skywork、Qorvo、AVAGO和muRata等第三方的射频前端芯片，但高通正寻求在5G时代改变这一局面。

2019年2月，高通在推出其第二代5G基带芯片骁龙X55同时，还率先推出了一套完整的5G射频前端解决方案，其中包括与骁龙X55配合的QTM525毫米波天线模组、全球首款宣布的5G包络追踪解决方案QET6100、集成式5G/4G功率放大器(PA)和分集模组系列，以及QAT3555 5G自适应天线调谐解决方案。

相对于4G设备来说，在设备轻薄化的趋势之下，5G设备内部需要集成更多器件，对于设备的成本、内部空间、功耗和系统设计都带来了极大的挑战。这也使得集成5G基带的5G SoC和5G射频芯片的集成模组化成为了趋势。

而高通在这方面处于有利地位，因为它不仅提供手机基带芯片、手机SoC芯片，同时还为射频前端提供端到端的解决方案，包括功率放大器、滤波器、射频收发器和天线调谐器，这意味着整个调制解调器到天线的组合可以使用高通的组件构建。这可以帮助终端厂商降低5G终端的开发难度，提升研发效率，缩短产品开发周期，降低开发成本，使得产品能够更快地推向市场。而使用第三方供应商的射频前端器件则没有这些优势。此外，由于射频前端还对设备的电池寿命、接收、通话质量和数据速度有直接影响，终端厂商可能更愿意使用高通这样的单一供应商来满足他们的需求。

这也使得，在5G射频前端市场，高通的市场份额有望持续提升，并对于Skywork、Qorvo、AVAGO、muRata等厂商形成挤压。而高通在手机芯片及基带芯片市场的强势地位，也正是推动其射频前端业务增长的关键助力。

值得一提的是，在“2018 Qualcomm中国技术与合作峰会”上，高通还分别与OPPO、vivo、小米、联想等手机大厂签署了谅解备忘录（MoU），四家公司表示有意向在三年内（2019-2021年）向高通采购价值总计不低于20亿美元的射频前端部件。

此外，据了解，高通此前也已经与三星电子、谷歌和LG电子等签署了射频芯片合同。

2019年9月，高通宣布斥资31亿美元收购了TDK在RF360中的剩余股权，至此，RF360成为了高通100%控股的射频前端芯片子公司。高通表示这是其5G战略布局的又一重要里程碑。

当地时间2020年2月5日，高通公布了截至2019年12月29日的第一财季财报，根据财报显示，该公司营收为50.77亿美元，比去年同期的48.42亿美元增长5%。高通公司高管表示，来自射频市场的收入对销售预期的贡献超过了分析师的预期。

显然，高通在射频前端领域的持续投资，已经为高通带来了不小的回报。

射频前端市场竞争格局

从整个射频前端市场的演变来看，过去的十年间，通信行业经历了从2G到3G，再从3G到4G的两次重大产业升级，双4G/全网通、五模/七模、十三频/十七频/三十频、载波聚合、MIMO逐渐成为智能手机标配，这也导致对于包括射频开关、射频低噪声放大器、射频功率放大器、双工器、射频滤波器在内的射频前端器件的要求越来越高，同时所需的数量和价值也在急剧增加。

例如，2G时代，手机频段数是4个，总价值约0.8美元；3G时代，手机频段数上升到6个，总价值约3.25美元；然而到了4G时代，千元机频段数就达到了8-20个，总价值也提高到了8-10美元；旗舰机频段数在17-30，需要20-40个滤波器，10个开关，总价值达到了16-20美元；而到了5G 手机，频段数将达到50多个，需要80个滤波器和15个开关，总价值达25-40美元。

从整个射频前端市场的供应商格局变化来看，随着通信技术的持续迭代，需要的资金和技术投入越来越大，市场竞争也进一步加剧，射频前端市场的玩家也在不断的并购当中越来越少，市场也越来越集中。目前在整个射频前端市场，Skywork、Qorvo、Avago（Broadcomm）和muRata四家国外厂商占据着全球约85%的市场份额，国产射频前端厂商存在感较低。

根据数据显示，在移动市场，现在全球93%的PA供应集中在 Skyworks、Qorvo 和 Avago（Broadcomm）等几家厂商手中。滤波器也被Murata、TDK、TAIYO YUDEN、Avago（Broadcomm）和Qorvo等厂商瓜分，其中Murata、TDK和TAIYO YUDEN瓜分了82%的SAW滤波器市场，而Broadcomm（Broadcomm）和Qorvo则占据了95%的BAW市场。

相对来说，国内SAW滤波器厂商主要有无锡好达、麦捷科技、瑞宏科技、信维通信、中电德清华莹、华远微电等，在5G所需的BAW滤波器这块，国内厂商天津诺思和开元通信也才刚有产品推出。在4G PA这块，国内也有唯捷创芯、络达（已被联发科收购）、展锐、汉天下、飞骧科技等。在射频开关方面，国内有卓胜微（三星和小米是最大客户）、展锐、立积电子等。总的来说，在射频器件领域，国内供应商的器件性能相比国外大厂来说仍有较大的差距。

而在5G射频前端器件这块，目前供应商也只有Skywork、Qorvo、AVAGO、muRata和高通的RF360，同时，高通RF360也是目前唯一一家能够提供从5G手机基带芯片到5G射频端到端解决方案的厂商。而国产射频前端厂商在5G设备前端器件这块基本还是空白。

此前，紫光展锐执行副总裁王泷在接受芯智讯采访时就曾表示：“2G、3G射频前端比较简单，所以2G、3G时代很多公司在做射频，RDA曾占有很大的市场份额，但是到了4G就变得很复杂，玩家也越来越少，基本是美日厂商的天下。因为这并不单单是设计的问题，要设计＋生产制作跟产能的整合，要走IDM的模式，基本上就是国际大厂形成了对主流市场的实际垄断。而到了5G时代，射频变得更加的复杂，因为需要支持的频段更多了，同时对于制造工艺和化合物材料的要求也变得更高，玩家将会进一步的减少。”

据了解，目前4G高端射频器件大多采用的是砷化镓材料。进入5G时代，5G产品大多具备高功率、高压、高温等特性，原有的材料因无法克服在高压、高频中的损耗，所以已无法满足5G需求，而新的氮化镓、碳化硅材料，可以降低电能转换过程中的能量损耗、更容易实现小型化、更耐高温高压。但目前，在氮化镓和碳化硅工艺方面，也主要是被国外厂商所垄断，国内供应商较少，这也在一定程度上制约了国产5G射频前端器件的发展。

编辑：芯智讯-浪客剑

往期精彩文章

行业交流、合作请加微信：icsmart01
芯智讯官方交流群：221807116