DMD芯片显示原理的介绍
DMD精微反射镜面是一种整合的微机电上层结构电路单元 (MEMS
superstructure cell)，它是利用CMOS
SRAM记忆晶胞所制成。DMD上层结构的制造是从完整CMOS内存电路开始，再透过光罩层的使用，制造出铝金属层和硬化光阻层(hardened
photoresist) 交替的上层结构，铝金属层包括地址电极 (address electrode)、绞链(hinge)、轭 (yoke)
和反射镜，硬化光阻层则 作为牺牲层 (sacrificial layer)，用来形成两个空气间 (air gaps)。铝金属会经过溅镀沉积
(sputter-deposited) 以及电浆蚀刻 (plasma-etched)处理，牺牲层则会经过电浆去灰 (plasma-ashed)
处理，以便制造出层间的空气间隙
每个微反射镜都能将光线从两个方向反射出去，实际反射方向则视底层记忆晶胞的状态而定；当记忆晶胞处于「ON」状态时，反射镜会旋转至+12度，记忆晶胞处于「OFF」状态，反射镜会旋转至-12度。只要结合DMD以及适当光源和投影光学系统，反射镜就会把入射光反射进入或是离开投影镜头的透光孔，使得「ON」状态的反射镜看起来非常明亮，「OFF」状态的反射镜看起来就很黑暗。利用二位脉冲宽度调变可以得到灰阶效果，如果使用固定式或旋转式彩色滤镜，再搭配一颗或三颗DMD芯片，
即可得到彩色显示效果。DMD的输入是由电流代表的电子字符，输出则是光学字符，这种光调变或开关技术又称为二位脉冲宽度调变 (binary
pulsewidth modulation)，它会把8位字符送至DMD的每个数字光开关输入端，产生28或256个灰阶。最简单的地 址序列
(address sequence) 是将可供使用的字符时间 (field time) 分成八个部份，再从最高有效位 (MSB)
到最低有效位(LSB)，依序在每个位时间使用一个地址序列。当整个光开关数组都被最高位寻址后，再将各个像素致能
(重设)，使他们同时对最高有效位的状态 (1或0)
做出反应。在每个位时间，下个位会被加载内存数组，等到这个位时间结束时，这些像素会被重设，使它们同时对下个地址位做出反应。此过程会不断重复，直到所有的地址位都加载内存。入射光进入光开关后，会被光开关切
换或调变成为一群光包(light
bundles)，然后再反射出来，光包时间则是由电子字符的个别位所决定。对于观察者来说，由于光包时间远小于眼睛的整合响应（integration）时间，因此他们将会看到固定亮度的光线。
上海昊量光电设备有限公司代理的V系列DLP(DMD)芯片基于Discovery 4100平台，代表了DLP(DMD)系列产品中的最高性能。
V系列DLP(DMD)芯片提供非常灵活的控制，能适用于各种相关应用，利用Discovery芯片组50G的带宽特性，使得帧频高达22727fps，
可用波长覆盖从350nm到2500nm，带冷却的A型DMD封装可在高达60W的光功率下工作。
所有V系列DLP(DMD)芯片支持高速载入，DLP(DMD)控制板配备高速FPGA逻辑和USB控制器固件，可使客户在进行硬件和固件相关开发时节省大量时间和成本。
应用领域：
适用于教育，科研，工业、医疗和高级显示应用
V系列高性能DLP(DMD)芯片组需要与ALP-4控制器联合使用以实现正常功能和可靠运行。兼容windows操作系统的USB
2.0控制器使之十分易于集成到任何型号的个人电脑，一台电脑可以同时控制多个DLP(DMD)芯片，
传输速率达到1.2G/s。应用程序接口（DLL动态链接库）兼容标准开发平台如C++，.NET，LABVIEW，MATLAB等
V系列DLP(DMD)芯片分为可见光和紫外波段两种
V-7000 0.7英寸XGA DMD 支持紫外和可见光
V系列DLP(DMD)芯片提供非常灵活的控制，能适用于各种相关应用，利用Discovery芯片组50G的带宽特性，使得帧频高达22727fps
V-9500 0.95英寸 1080p DMD 支持紫外和可见光
V-9600 0.96英寸WUXGA DMD 仅支持可见光
所有V系列DLP(DMD)芯片支持高速载入，DLP(DMD)控制板配备高速FPGA逻辑和USB控制器固件，可使客户在进行硬件和固件相关开发时节省大量时间和成本