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垄断智能驾驶,英飞凌最新MCU之TC4XX系列开始量产
TC4XX系列早在2021年底就已经宣布推出,但量产是在2024年初。主要原因是TC4XX系列MCU使用了RRAM,即阻变型NVM存储器,其生产工艺难度极高,英飞凌到2022年11月才和台积电完成RRAM的量产研发,又经历一年,将RRAM和逻辑器件结合,最终在2024年初开始量产。
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随着汽车软件系统的日益复杂,汽车MCU需要的NVM存储容量越来越高,因此大家都在考虑新技术来制造NVM。瑞萨的技术方向是STT-MRAM,2022年6月在VLSI大会上宣布推出STT-MRAM的22纳米制造工艺技术,但至今未量产。2023年5月,NXP与台积电合作领先一步推出16纳米的FinFET工艺的MRAM,相信也是STT技术,NXP下一代MCU将会采取此项技术,预计量产在2024年底或2025年初。意法半导体的方向是PCM,相变存储,也是计划在2024年量产。英飞凌则选择RRAM技术。
三种技术比较,PCM RESET后的冷却过程需要高热导率,会带来更高功耗,且由于其存储原理是利用温度实现相变材料的阻值变化,所以对温度十分敏感,无法用在宽温场景。为了使相变材料兼容CMOS工艺,PCM必须采取多层结构,因此存储密度过低,在容量上无法替代NAND Flash,成本偏高。不过意法半导体表示自己已经解决了这些缺点。MRAM虽然性能较好,但临界电流密度和功耗仍需进一步降低。目前MRAM的存储单元尺寸仍较大且不支持堆叠,工艺较为复杂,大规模制造难以保证均一性,存储容量和良率爬坡缓慢。再有就是RRAM技术,其缺点是器件级变化性。器件级变化性直接关乎芯片的可靠性,但由于RRAM器件状态的转变需要透过给两端电极施加电压来控制氧离子在电场驱动下的漂移和在热驱动下的扩散两方面的运动,使得导电丝的三维形貌难以调控,再加上噪声的影响,因此容易造成器件级变化性。不过台积电解决了这个问题。貌似是几大MCU厂家在竞争,实际都是依靠台积电,瑞萨的MCU也是台积电生产的。
TC4XX系列MCU内部框架图
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首先是无与伦比的安全性。
PUF工作原理
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HSP支持包
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英飞凌一枝独秀,NXP和瑞萨反应明显很慢,意法半导体则对高端产品兴趣不大。TC4XX的出现,让英飞凌智能驾驶或者说底盘MCU的垄断地位更加稳固。
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