BP2608+BP5616C | 非隔离高PF低谐波无频闪灯具电源绝佳组合
作为商家必争之地的LED灯具, 除了具有高PF,低谐波,良好的线性调整率特性以外,无频闪也成为其标配,在解决好灯具结构的安全问题后,非隔离驱动比隔离驱动有着天然优势。
说起非隔离高PF低谐波无频闪的25W以上的 LED驱动方案,你最先想到的是什么呢?
A工程师
前级升压后降压的两级方案整体成本太贵!
前级降压+去频闪方案输出电压受限谐波分量不好过!
B工程师
C工程师
去频闪MOS成本高,温升高,去频闪效果不理想!EMC难过!
前级升降压+去频闪方案变压器前级MOS成本高!
D工程师
BP2608+BP5616C
绝佳组合
为您而来
非隔离高PF低谐波无频闪
驱动解决方案
优势在哪里?
1、谐波分量轻松满足THD<10%@220Vac 认证要求
2、超高的系统效率(>92%@220Vac)
3、超低的整体成本(单面板BP2608升压恒压+2AMOS+EE13单绕组电感+BP5616C去频闪)
4、极佳的去频闪效果(LED带灯罩手机拍摄真正无频闪)
5、极佳的线电压和负载调整率(<1%@176-264Vac)
32W非隔离高PF低谐波无频闪驱动方案
一、方案实物图
输入电压:176Vac-264Vac
输出电流:72mA
输出电压:420V
二、方案原理图
实实在在的优势,戳图一目了然。
三、Vout=398V,基本电气性能测试数据
Vout=398V,去频闪BP5616C MOS Drain端的波形特点:
1.MOS Drain端波形整体高于0电平,且为完整正弦波时候输出LED带灯罩用手机拍不到频闪;
2.正弦波的幅度由输出电容大小决定,电容越大,幅度越小,这里幅度为14.6V-2.6V=12V;
3.去频闪MOS损耗=正弦波电压值*输出电流,所以正弦波电平越低,去频闪MOS损耗越小,系统效率越高,但是太低又导致正弦波被削底而影响去频闪效果;
4.输出电容一定后,正弦波的最低值由BP2608来恒压,可以精确控制正弦波电平值,在保证去频闪效果前提下,将MOS管损耗降到最低,系统效率最优化。
四、Vout=420V,基本电气性能测试数据
Vout=420V ,去频闪BP5616C MOS Drain端的波形特点:
1.输出电压从398V变化到420V时候,BP5616C MOS Drain端电压波形不受输出电压影响,去频闪效果不受影响,MOS管损耗不变;
2.输入电压从176V变化到264V时候,BP5616C MOS Drain端电压波形不受输入电压影响,去频闪效果不受影响,MOS管损耗不变;
3.BP5616C功率可扩展性强,对于大于70mA应用选择2颗或者多颗芯片并联即可。
五、输出电流纹波对比
普通方案输出电流纹波图
BP5616C 方案输出电流纹波图
由上图可见,普通方案输出电流低纹波,而使用BP5616C ,可实现输出电流零纹波。
BP2608+BP5616C既能实现优异的去频闪效果,又能实现极高的系统效率,同时带有良好的负载和线电压调整率,是非隔离高PF低谐波无频闪灯具的绝佳组合!!
BP2608+BP5616C
非隔离高PF低谐波无频闪灯具
绝佳组合!!
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