晶澳：已获信越化工掺杂镓的专利！

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10月10日讯，晶澳宣布，晶澳已经与日本信越化工就后者持有的有关在晶体硅电池应用中掺杂镓的专利达成了协议。据晶澳表示，该协议在东京的签字仪式上敲定。

LID示波器测量中的晶硅电池

单晶硅的LID衰减主要是由电池片中的B-O（硼氧对）对引起的，而厂家通常是通过降低硅片中的氧含量、采用掺镓、掺硼、光照+退火等方法可以有效抑制光衰。

与常规的掺硼相比，镓掺杂更视作一种防止光诱导降解（LID）的有效方法，但由于其高成本限制，一直并未成为市场主流。

单晶PERC电池的LID衰减和恢复机理

而这次，晶澳的举动却似乎在向大家证明：在p型组件生产中，镓掺杂可以成为一种有效的LID解决方案。

“将掺杂Ga的硅片用于太阳能电池无疑会提高太阳能电池和光伏组件的性能，并提高其长期可靠性。” 晶澳董事长靳保芳说，“我们非常感谢信越化学授予晶澳掺镓的晶体硅技术的知识产权权利，这对于晶澳引进先进技术和支持该行业的知识产权保护而言，是重要的一步。”

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