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半导体学报2020年第4期目次

Special Issue on Flexible Materials and Structures for Bioengineering, Sensing, and Energy Applications


J. Semicond. Volume 41, Number 4, April 2020


NEWS AND VIEWS

Recent advancements in flexible humidity sensors

Yan Wang, Jia Huang

J. Semicond.  2020, 41(4): 040401

doi: 10.1088/1674-4926/41/4/040401

Flexible sensors based on hybrid materials

Zhihui RenDongchen QiPrashant SonarZhongming Wei

J. Semicond.  2020, 41(4): 040402

doi: 10.1088/1674-4926/41/4/040402


EDITORIAL

Preface to the Special Issue on Flexible Materials and Structures for Bioengineering, Sensing, and Energy Applications

Yongfeng Mei, Wei Gao, Hui Fang, Yuan Lin, Guozhen Shen

J. Semicond.  2020, 41(4): 040101

doi: 10.1088/1674-4926/41/4/040101

REVIEWS

Skin-inspired electronics: emerging semiconductor devices and systems

Zhong Ma, Desheng Kong, Lijia Pan, Zhenan Bao

J. Semicond.  2020, 41(4): 041601

doi: 10.1088/1674-4926/41/4/041601

Flexible inorganic oxide thin-film electronics enabled by advanced strategies

Tianyao Zhang, Guang Yao, Taisong Pan, Qingjian Lu, Yuan Lin

J. Semicond.  2020, 41(4): 041602

doi: 10.1088/1674-4926/41/4/041602

A review of flexible halide perovskite solar cells towards scalable manufacturing and environmental sustainability

Melissa Davis, Zhibin Yu

J. Semicond.  2020, 41(4): 041603

doi: 10.1088/1674-4926/41/4/041603

Recent progress of morphable 3D mesostructures in advanced materials

Haoran Fu, Ke Bai, Yonggang Huang, Yihui Zhang

J. Semicond.  2020, 41(4): 041604

doi: 10.1088/1674-4926/41/4/041604

Nanofiber/nanowires-based flexible and stretchable sensors

Dongyi Wang, Lili Wang, Guozhen Shen

J. Semicond.  2020, 41(4): 041605

doi: 10.1088/1674-4926/41/4/041605

Characteristics and techniques of GaN-based micro-LEDs for application in next-generation display

Zhou Wang, Xinyi Shan, Xugao Cui, Pengfei Tian

J. Semicond.  2020, 41(4): 041606

doi: 10.1088/1674-4926/41/4/041606

Designer substrates and devices for mechanobiology study

Wang Xi, Delphine Delacour, Benoit Ladoux

J. Semicond.  2020, 41(4): 041607

doi: 10.1088/1674-4926/41/4/041607

ARTICLES

Tubular/helical architecture construction based on rolled-up AlN nanomembranes and resonance as optical microcavity

Jinyu Yang, Yang Wang, Lu Wang, Ziao Tian, Zengfeng Di, Yongfeng Mei

J. Semicond.  2020, 41(4): 042601

doi: 10.1088/1674-4926/41/4/042601

Growth of aligned SnS nanowire arrays for near infrared photodetectors

Guozhen Shen, Haoran Chen, Zheng Lou

J. Semicond.  2020, 41(4): 042602

doi: 10.1088/1674-4926/41/4/042602




《半导体学报》简介:

《半导体学报》是中国科学院主管、中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物,1980年创刊,首任主编是王守武院士,黄昆先生撰写了创刊号首篇论文,2009年改为全英文月刊Journal of Semiconductors(简称JOS),同年开始与IOPP英国物理学会出版社合作向全球发行。现任主编是中科院副院长、国科大校长李树深院士。

2016年,JOS被ESCI收录。

2019年,JOS入选“中国科技期刊卓越行动计划”。


“中国半导体十大研究进展”推荐与评选工作简介:

《半导体学报》在创刊四十年之际,启动实施 “中国半导体年度十大研究进展”的推荐和评选工作,记录我国半导体科学与技术研究领域的标志性成果。以我国科研院所、高校和企业等机构为第一署名单位,本年度公开发表的半导体领域研究成果均可参与评选。请推荐人或自荐人将研究成果的PDF文件发送至《半导体学报》电子邮箱:jos@semi.ac.cn,并附简要推荐理由。被推荐人须提供500字左右工作简介,阐述研究成果的学术价值和应用前景。年度十大研究进展将由评审专家委员会从候选推荐成果中投票产生,并于下一年度春节前公布。




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