行业首创！恩智浦携手台积电，推出汽车级16纳米FinFET嵌入式MRAM
恩智浦和台积电联合开发采用台积电16纳米FinFET技术的嵌入式MRAM IP
借助MRAM，汽车厂商可以更高效地推出新功能，加速OTA升级，消除量产瓶颈
恩智浦计划于2025年初推出采用该技术的新一代S32区域处理器和通用汽车MCU首批样品
全球领先汽车处理企业恩智浦半导体宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM（磁随机存储器）。在向软件定义汽车（SDV）的过渡中，汽车厂商需要在单个硬件平台上支持多代软件升级。利用16纳米FinFET技术将恩智浦的高性能S32汽车处理器和快速且高度可靠的新一代非易失性存储器MRAM相结合，为向软件定义汽车演进打造理想的硬件平台。
Flash存储器更新20MB的代码需要约1分钟时间，而MRAM只需3秒左右，最大限度地缩短软件更新带来的停机时间，汽车厂商能够消除模块长时间编程引起的瓶颈。此外，MRAM提供多达一百万个更新周期，耐久性超过闪存和其他新兴存储器技术的十倍，为汽车失效缺陷提供高度可靠的技术。
软件定义汽车允许汽车厂商通过OTA升级推出舒适、安全、便捷的新功能，延长汽车的使用寿命，增强汽车的功能性和吸引力，同时提高收益率。基于软件的功能在汽车中越来越普遍，更新频率相应增加，MRAM的速度和可靠性也将更加重要。
台积电的16纳米FinFET嵌入式MRAM技术超越车规级应用的严格要求，具有一百万个更新周期的耐久性，支持回流焊，并且在150℃条件下，数据保留长达20年。
台积电业务开发资深副总裁Kevin Zhang博士表示：“恩智浦的创新人员总能迅速挖掘台积电新工艺技术的潜力，尤其是在高要求的汽车应用领域中。我们非常高兴能看到恩智浦的S32平台中采用我们先进的MRAM技术，赋能新一代软件定义汽车。”
恩智浦执行副总裁兼汽车处理器业务总经理Henri Ardevol表示：“恩智浦与台积电成功合作了数十载，始终如一地为汽车市场交付高质量嵌入式存储器解决方案。MRAM是恩智浦S32汽车解决方案产品组合的创新助力，将在新一代汽车架构中发挥重要的支持作用。”
上市时间
试验样品已生产完成，正在评估中。首批样品计划于2025年初为主要客户提供。
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