【干货】位错的生成和增殖及实际晶体中的位错 18
单位体积内位错线的总长度ρ=L/V
（1）晶体生长过程中产生位错
①杂质冷凝过程分布不均
②温度、浓度梯度、机械振动影响晶体生长使相邻晶块间有偏转或弯曲形成位相差，形成位错
③晶体生长过程中相邻晶粒发生碰撞、冷却时体积变化形成热应力，使晶体表面形成台阶或受力变形形成位错。
（2）自高温快凝固及冷却时，形成过饱和空位，空位聚集形成位错。
（3）在晶体内部的某些界面及微裂纹处，由于热应力和组织应力作用，出现应力集中，产生位错。
1.弗兰克-里德位错源（FR）
位错的增殖机制还有很多，例如：双交滑移增殖、攀移增殖等。
2. 双交滑移增殖模型
3. 塑性形变
1. 实际晶体中位错的柏氏矢量
（1）全位错：通常把柏氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错称为全位错。
（2）不全位错：柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错。
（3）部分位错：柏氏矢量小于点阵矢量的称为部分位错。
2. 堆垛层错
堆垛层错：实际晶体结构中，密排面的正常堆垛顺序有可能遭到破坏和错排，称为堆垛层错。
实际晶体结构中，密排面的正常堆垛顺序有可能遭到破坏和错排，如面心立方密排面{111}由“…ABCABCABC…”堆垛变为“…ABCABABC…”，称为堆垛层错，简称层错，分为抽出型层错（如下图）和插入型层错。通常层错能低的金属容易发生层错，如Mg，Zn等。
形成层错时几乎不产生点阵畸变，但是它破坏了晶体的完整性和正常的周期性，使电子发生反常的衍射效应，故使晶体的能量有所增加，这部分增加的能量称为堆垛层错能。晶体中出现层错的几率与层错能有关，层错能越高则几率越小。
3. 不全位错
面心立方结构中，有两种重要的不全位错：肖克利和弗兰克不全位错。
肖克利不全位错的形成：原子运动导致局部错排，错排区域完整晶格区的边界线即为肖克莱不全位错。（结合位错反应理解。可为刃型、螺型或混合型位错。）
弗兰克不全位错的形成：在完整晶体中局部抽出或插入一层原子所形成。（只能攀移，不能滑移。）
4．位错反应
由于位错间相互作用力的存在，使得位错之间有可能发生相互转化或相互作用，此即位错反应。位错能否发生反应，取决于两个条件：
其一，几何条件：必须满足伯氏矢量的守恒性，即
其二，能量条件：位错反应必须是一个伴随着能量降低的过程，即
5. 面心立方晶体中的位错（了解）
（1）扩展位错：通常把一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的整个位错组态称为扩展为错。
（2）扩展位错宽度
（3）扩展位错的束集
（4）扩展位错交滑移
6. 其他晶体中的位错（不重要）
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