北京大学集成电路学院黄如院士、唐克超研究员团队招聘全职博士后

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导师简介

唐克超博士于2012年获北京大学物理学院学士学位，2017年获美国斯坦福大学材料与工程学院博士学位，2017-2020年于美国加州伯克利大学从事博士后研究工作，2020年入选海外高层次人才引进计划，任北京大学集成电路学院助理教授、研究员。主要研究方向为基于铁电和Mott相变材料的新型存储器和与传感技术。近几年以第一/通讯作者在Science， Science Advances， Advanced Materials， Nano Letters， IEEE IEDM等高影响力期刊和会议发表学术论文，总文章数50余篇，引用2400余次。担任国际期刊Frontier of Neuroscience客座主编。在美国申请三项专利，并以此于加州联合创办科技创业公司DeepRed Technology Inc。
谷歌学术：https://scholar.google.com/citations?user=0DXPNTQAAAAJ&hl=en
个人网站：http://scholar.pku.edu.cn/kechao_tang

01

研究方向

课题组拟通过材料技术、器件设计和工艺集成等层面的创新，结合多角度表征和定量模型分析方法，致力于解决前沿微纳电子器件的核心问题，推动高性能存储和传感器的应用，发展面向大数据物联网的感存算融合芯片。研究重点包括：

• 氧化铪（HfO2）基铁电场效应管存储器（FeFET）

• 基于二氧化钒（VO2）相变材料的新型传感器件

• 氧化物材料生长和器件集成等共性关键技术

02

申请条件

1. 在国内外知名高校或研究所获得（或即将获得）物理、材料、微电子、电子工程等专业博士学位；

2. 年龄在35周岁以下，获得博士学位不超过3年；

3. 具有良好的英语读写能力，近三年内在相关领域权威期刊或顶级会议发表过第一作者研究论文至少1篇；

4. 热爱科研，有自己的职业目标，踏实肯干，有责任心和团队合作精神。

候选人附加条件：优先考虑具有以下相关研究经验的申请人1. 氧化铪（HfO2）基铁电材料与存储器件2. 二氧化钒（VO2）相变材料3. 半导体器件工艺（特别是MOSFET、MEMS相关）与集成技术

03

薪资待遇

1. 基本待遇（包括五险一金、博士后住房补贴、博士后公寓等）按北京大学博士后流动站相关规定执行；根据北京市博士后管理政策办理有关落户事宜。
2. 年薪不低于25万元，根据应聘者背景提供额外薪酬，并视每年度工作完成情况提供科研奖励津贴。符合条件并申请成功国家“博新计划”等博士后项目或北京大学“博雅博士后”项目者，另享相关待遇；在站期间取得的学术成果享受学校相关奖励政策。
3. 提供一流的实验平台与合作导师团队；研究项目具有充足的经费支持；提供充分的与产业界合作机会。
4. 对于优秀的出站博士后，将支持其申请北京大学微纳电子研究院的教研系列（Tenure Track）、专职科研系列（Research Track）职位。
   博雅博士后申请：https://postdocs.pku.edu.cn/tzgg/134998.htm（申请截止日期：2022年3月20日）

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联系方式

申请人简历及能体现个人能力的相关资料（包括但不限于个人情况、教育经历、研究经历、科研能力、技术背景、代表性论文、论文成果目录等）。请发送申请资料至唐克超研究员邮箱 [e-mail]，标题注明“博士后申请+申请人姓名”。

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