SiC与 GaN的兴起与未来

突破 Si 的瓶颈，SiC/GaN 具备性能上的优势。Si 作为集成电路最基础的材料，构筑了整个信息产业的最底层支撑。人类对 Si 性能的探索已经非常成熟，然而一些固有的缺点却无法逾越，如光学性能、高压高频性能等。与此同时所谓第三代半导体（宽禁带半导体）以其恰好弥补 Si 的不足而逐步受到半导体行业青睐，成为继 Si 之后最有前景的半导体材料。

随着 5G、汽车等新市场出现，SiC/GaN 不可替代的优势使得相关产品的研发与应用加速；随着制备技术的进步，SiC 与 GaN 器件与模块在成本上已经可以纳入备选方案内，需求拉动叠加成本降低，SiC/GaN 的时代即将迎来。

以下为分析报告《宽禁带半导体行业深度：SiC与 GaN的兴起与未来》内容，对SiC/GaN材料的发展进项了详细梳理。

本文由芯师爷转载自中泰证券研究报告《宽禁带半导体行业深度：SiC与 GaN的兴起与未来》，作者为分析师刘翔、刘尚，仅供分享交流学习之用。如有任何疑问，敬请与我们联系[e-mail]。

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