芯人必读丨破译圈内暗语！收好这份半导体词典

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A

Acceptor 受主
受主即为掺入半导体中的一类杂质，它能接受半导体中的价带电子，产生同数量的空穴，从而改变半导体的导电性能。
Acceptor atom 受主原子 
受主即为掺入半导体中的一类杂质，它能接受半导体中的价带电子，产生同数量的空穴，从而改变半导体的导电性能。

AEI 蚀刻后检查

AEI即AfterEtchingInspection，在蚀刻制程光阻去除前和光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。

AEI的目的有四：

• 提高产品良率，避免不良品外流。
• 达到品质的一致性和制程的重复性。
• 显示制程能力的指标。
• 防止异常扩大，节省成本

通常AEI检查出来的不良品，非必要时很少做修改。因为除去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。生产成本增高，以及良率降低的缺点。

Active device 有源器件 

有源器件一般用来信号放大、变换等，无源器件用来进行信号传输，或者通过方向性进行“信号放大”。电容、电阻、电感都是无源器件，IC、模块等都是有源器件。

Aluminum 铝

一种金属元素，质地坚韧而轻，有延展性，容易导电。普遍用于半导体器件间的金属连线，但因其易引起spike及Electromigration，故实际中会在其中加入适量的Cu或Si。

Amplifier 放大器 

放大器是能把输入讯号的电压或功率放大的装置，由电子管或晶体管、电源变压器和其他电器元件组成。

Anneal 退火

退火也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。

退火方式：

• 炉退火
• 快速退火：脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带频光源(如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等)

Analogue(Analog) comparator 模拟比较器
模拟比较器是将模拟量与一标准值进行比较。当高于该值时，输出高(或低)电平，反之，则输出低(或高)电平。

Arc Chamber 弧光反应室

弧光反应室,事实上就是一个直流式的电浆产生器。因为所操作的电流－对－电压的区域是在弧光电浆内。

B

Backward bias 反向偏置 
与正向偏置相比，交换电源的正、负极位置，即P区接电源负极，N区接电源正极，就构成了PN结的反向偏置。

BarrierLayer 阻障层

为了防止铝合金与硅的的接触界面发生尖峰（spiking）现象，并降低彼此的接触电阻，在铝合金与硅之间加入一层称为阻障层的导体材料，常见的有Ti/TiN及TiW。

BOE(Buffered Oxide Etch) 缓冲氧化物刻蚀液

B.O.E.是HF与NH4F依不同比例混合而成。6:1BOE蚀刻即表示HF:NH4F=l:6的成份混合而成。HF为主要的蚀刻液，NH4F则做为缓冲剂使用。利用NH4F固定[H']的浓度，使之保持一定的蚀刻率。

HF会侵蚀玻璃及任何硅石的物质，对皮肤有强烈的腐蚀性，不小心被溅到，应用大量冲洗。

BoundaryLayer边界层

假设流体在芯片表面流速为零，则流体在层流区及芯片表面将有一个流速梯度存在，称为边界层（BoundaryLayer）

Binary code 二进制代码
二进制代码：由两个基本字符'0'、'1'组成的代码。其中，码元："一位"二进制代码。码字：N个码元可以组成的不同组合，任意一个组合称一个码字。
Basis vector 基向量、基矢
在线性代数中，基(basis)（也称为基底）是描述、刻画向量空间的基本工具。向量空间的基是它的一个特殊的子集，基的元素称为基向量。
Bipolar Junction Transistor (BJT) 双极晶体管
双极结型晶体管又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构。
BPSG(boron-phosphor-silicate-glass) 硼磷硅玻璃

BPSG:为硼磷硅玻璃，含有B,P元素的SiO2,加入B,P可以降低Flow温度，并且P吸附一些杂质离子，流动性比较好，作为ILD的平坦化介质。

C

Carrier Gas 载气

用以携带一定制程反应物（液体或气体）进反应室的气体，例如用N2携带液态TEOS进炉管，N2即可称为载气。

Chamber 真空室，反应室

专指一密闭的空间，而有特殊的用途、诸如抽真空，气体反应或金属溅镀等。因此常需对此空间的种种外在或内在环境加以控制；例如外在粒子数(particle)、湿度等及内在温度、压力、气逞流量、粒子数等达到最佳的反应条件。

Channel 通道、缝道

当在MOS的闸极加上电压（PMOS为负，NMOS为正）。则闸极下的电子或电洞会被其电场所吸引或排斥而使闸极下的区域形成一反转层(Inversionlayer)。也就是其下的半导体p-type变成N-typeSi，N-type变成p-typeSi，而与源极和汲极成同type，故能导通汲极和源极。我们就称此反转层为"通道"。信道的长度"ChannelLength"对MOS组件的。

参数有着极重要的影响，故我们对POLYCD的控制需要非常谨慎。

CDA 压缩干燥空气

通常指压力在60到110psi之间的空气，作为控气动阀的领气阀的气体源。

CROSS Section横截面

IC的制造，基本上是由一层一层的图案堆积上去，而为了了解堆积图案的结构，以改善制程，或解决制程问题，以电子显微镜(SEM)来观察，而切割横截面，观察横截面的方式，是其中较为普遍的一种。

低温泵 CryogenicPump

将一个表面温度降到极低，甚至结近绝对零度时，与这个表面相接触的气体分子，将会产生相变化，而凝结在低温表面上，称为低温凝结。还有一些气体虽然不能凝结，但与低温表面接触后，将因为表面与分子间的凡得瓦力（VanderWaalsForce）而吸附在低温表面上，且活动性大减，称为低温吸附，低温泵（CryogenicPump）就是利用低温凝结和低温吸附的原理，将气体分子从容器里排出，以达到降低容器压力的目的。

Cryopump原理:是利用吸附原理而工作：Cryopump为高真空pump，应该和低真空pump配合使用，工作前真空度应该达到10-2mbar,否则无法工作。当吸附气体饱和后，要做regen,即将高温N2通入使凝结的气体释放而排出pump。入口处挡片吸附水泡，里面的特殊气体吸附（成液态状）。

Curing 固化

当以SOG来做介电层和平坦化的技术时，由于SOG是一种由溶剂与含有介电材质的材料，经混合而形成的一种液态介电材料，以旋涂（Spin-onCoating）的方式涂布在芯片的表面，必须经过热处理来趋离SOG本身所含的溶剂，称之为Curing。

CycleTime 生产周期时间

指原料由投入生产线到产品于生产线产出所须的生产/制造时间。在TI-Acer，生产周期时两种解释:一为"芯片产出周期时间"（wafer-outtime）；一为"制程周期时间"(Processcycletime)。

"芯片产出周期时间"乃指单一批号的芯片由投入到产出所须的生产/制造时间。

"制程周期时间"则指所有芯片于单一工站平均生产/制造时间的总和，亦即每一工站均有一平均生产/制造时间，而各工站(从头至尾)平均生产/制造的加总即为该制程的制程周期时间。目前TI-AcerLineReport的生产周期时间乃探用"制程周期时间"。

D

DCPlasma 直流电浆

电浆是人类近代物化史上重大的发现之一，指的是一个遭受部分离子化的气体，气体里面的组成有各种带电荷的电子，离子，及不带电的分子和原子团等。电浆产生器的两金属极板上加上直流电压而产生的电浆我们称为直流电浆。

DCSputtering 直流溅镀法

脱离电浆的带正电荷离子，在暗区的电场的加速下，将获得极高的能量，当离子与阴电极产生轰击之后，基于能量传递的原理，离子轰击除了会产生二次电子以外，还会把电极表面的原子给"打击"出来，称为sputtering.电极板加直流电压称为DCSputtering。

先决条件：

• 两个极板必须是导体,以避免带电荷粒子在电极板表面的累积。
• 阴极为导电材料，称为靶（Target）。

DefectDensity 缺点密度

"缺点密度"系指芯片单位面积上(如每平方公分，每平方英寸等)有多少"缺点数"之意，此缺点数一般可分两大类：A.可视性缺点B不可视性缺点。前者可藉由一般光学显微镜检查出来(如桥接、断线)后者则须藉助较精密电子仪器检验(如晶格缺陷)由于芯片制造过程甚为复杂漫长，芯片上缺点数愈少，产品良率品质必然愈佳，故"缺点密度"常被用来当做一个工厂制造的产品品质好坏的指标。

Densify 密化

CVD沈积后由于所沈积的薄膜(ThinFilm)的密度很低，故以高温步骤使薄膜中的分子重新结合以提高其密度，此种高温步骤即称为密化。密化通常以炉管在800℃以上的温度完成，但也可在RTP(RapidThermalProcess)(快速升降温机台)完成。

Deposition Rate 沉积速率

表示薄膜成长快慢的参数。一般单位A/min。

DepthofWell 井深

顾名思义即阱的深度。通过离子植入法植入杂质如磷离子或硼离子，然后通过Drivein将离子往下推所达到的深度。

DesignRule 设计规范

由于半导体制程技术，系一门专业、精致又复杂的技术，容易受到不同制造设备制程方法(RECIPE)的影响，故在考虑各项产品如何从事制造技术完善、成功地制造出来时，须有一套规范来做有关技术上的规定，此即"DesignRule"，其系依照各种不同产品的需求、规格，制造设备及制程方法、制程能力，各项相关电性参数规格等考虑，订正了如：

• 各制程层次、线路之间距离、线宽等的规格。
• 各制程层次厚度、深度等的规格。
• 各项电性参数等规格，以供产品设计者及制程技术工程师等人遵循、参考。

Die 晶粒

一片芯片(OR晶圆，即Wafer)上有许多相同的方形小单位，这些小单位即称为晶粒。

同一芯片上的每个晶粒都是相同的构造，具有相同的功能，每个晶粒经包装后，可制成一颗颗我们日常生活中常见的IC，故每一芯片所能制造出的IC数量是很可观的。同样地，如果因制造的疏忽而产生的缺点，往住就会波及成百成千个产品。

Dielectric 介电材料

介于导电材料之间的绝缘材料。常用的介电材料有SiO2,Si3N4等，需要的介电材料要求：

1.良好的stepcoverage，2.低介电常数，3.高崩溃电压，4.低应力，5.平坦性好。

介电材料的性质：

• 良好的Stepcoverage、低介电常数、平坦性。
• 理想保护层的性质
• 沉积均匀、抗裂能力、低针孔密度、能抵抗水气及碱金属离子的穿透，硬度佳。
• 主要介电材质:SiO2PSG与BPSGSi3N4

DielectricConstant 介电常数

介电常数是表征电容性能的一重要参数，越小越好,它与导电性能成反比。

Diffusion 扩散

在一杯很纯的水上点一滴红墨水，不久后可发现水表面颜色渐渐淡去，而水面下渐渐染红，但颜色是愈来愈淡，这即是扩散的一例。在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子植入的方式做扩散源(即红墨水)。因固态扩散比液体慢很多(约数亿年)，故以进炉管加高温的方式，使扩散在数小时内完成。

DiffusionCoefficient 扩散系数

扩散系数是描述杂质在晶体中扩散快慢的一个参数。这与扩散条件下的温度，压强，浓度成正比。

D=D0exp(-Ea/KT)

D0是外插至无限大温度所得的扩散系数(cm2/s)。

Ea是活化能(ev)。

在低浓度时,扩散系数对温度倒数为线性关系,而与浓度无关。

DiffusionFurnace 扩散炉

在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子植入的方式做扩散源(即红墨水)。因固态扩散比液体慢很多(约数亿年)，故以进炉管加高温的方式，使扩散在数小时内完成。这样的炉管就叫做扩散炉。

DIWater 去离子水

IC制造过程中，常需要用酸碱溶液来蚀刻，清洗芯片。这些步骤之后，又须利用水把芯片表面残留的酸碱清除。而且水的用量是相当大。 

然而IC工业用水，并不是一般的自来水，而是自来水或地下水经过一系列的纯化而成。原来自来水或地下水中，含有大量的细菌，金属离子及Particle，经厂务的设备将之杀菌过滤和纯化后，即可把金属离子等杂质去除，所得的水即称为"去离子水"。专供IC制造的用。

Donor 施体

我们将使原本本征的半导体产生多余电子的杂质，称为施体。如掺入p的情况。

Dopant 掺杂

在原本本征的半导体里主动的植入或通过扩散的方法将其它的原子或离子掺入进去，达到改变其电性能的方法。如离子植入。

DRAM，SRAM 动态，静态随机存取内存

随机存取记忆器可分动态及静态两种，主要的差异在于动态随机存取内存(DRAM)，在一段时间(一般是0.5ms~5ms）后，数据会消失，故必须在数据未消失前读取原数据再重写(refresh)，此为其最大缺点，此外速度较慢也是其缺点。而DRAM的最大好处为，其每一记忆单元(bit)只需一个Transistor(晶体管）+一个Capacitor(电容器)，故最省面积，而有最高的密度。而SRAM则有不需重写、速度快的优点，但是密度低，其每一记忆单元(bit)有两类:

• 需要六个Transistor(晶体管）
• 四个Transistor(晶体管）+两个Loadresistor(负载电阻)。

由于上述它优缺点，DRAM一般皆用在PC(个人计算机)或其它不需高速且记忆容量大的记忆器，而SRAM则用于高速的中大型计算机或其它只需小记忆容量，如：监视器(Monitor)、打印机(Printer)等周控制或工业控制上。

DriveIn 驱入

离子植入(ionimplantation)虽然能较精确地选择杂质数量，但受限于离子能量，无法将杂质打入芯片较深(um级)的区域，因此需借着原子有从高浓度往低浓度扩散的性质，在相当高的温度去进行，一方面将杂质扩散到较深的区域，且使杂质原子占据硅原子位置，产生所要的电性，另外也可将植入时产生的缺陷消除。此方法称的驱入。此法不再加入半导体杂质总量，只将表面的杂质往半导体内更深入的推进。

在驱入时，常通入一些氧气﹒因为硅氧化时，会产生一些缺陷，如空洞(Vacancy)，这些缺陷会有助于杂质原子的扩散速度。另外，由于驱入是藉原子的扩散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能从芯片逸出(out-diffusion)，这是需要注意的。

E

Electrical Breakdown 电崩溃

当NMOS的沟道缩短，沟道接近汲极地区的载子将倍增，这些因载子倍增所产生的电子，通常吸往汲极，而增加汲极电流的大小，部分电子则足以射入闸氧化层里，而产生的电洞，将流往低材，而产生底材电流；另一部分的电洞则被源极收集，使npn现象加强，热电子的数量增加，足使更多的载子倍增，当超过闸极氧化层的承受能力时，就击穿闸氧化层，我们将这种现象叫电崩溃。

Electromigration 电子迁移

电子迁移指在电流作用下的金属。此系电子的动量传给带正电的金属离子所造成的。当组件尺寸愈缩小时，相对地电流密度则愈来愈大;当此大电流经过集成电路中的薄金属层时，某些地方的金属离子会堆积起来，而某些地方则有金属空缺情形，如此一来，堆积金属会使邻近的导体短路，而金属空缺则会引起断路。材料搬动主要原动力为晶界扩散。以溅镀法所沉积的Al，经过适当的Anneal之后，通常是以多晶（Poly-Crystalline）形式存在，当导电时，因为电场的影响，Al原子将沿着晶粒界面（Grain-Boundary）移动。

有些方法可增加铝膜导体对电迁移的抗力，例如:加入抗电移能力较强的金属，如Cu。

EM（ElectronMigrationTest）电子迁移可靠度测试

电子迁移可靠度测试，当电流经过金属导线，使金属原子获得能量，沿区块边界(GrainBoundaries)扩散(Diffusion)，使金属线产生空洞(Void)，甚至断裂，形成失效。

EPROM（Erasable-ProgrammableROM）电子可程序只读存储器

EPROM，MASKROM内所存的数据是在FAB内制造过程中便已设定好，制造完后便无法改变。就像任天堂游戏卡内的MASKROM，存的是金牌玛丽，就无法变成双截龙。而EPROM是在ROM内加一特殊结构叫AFAMDS，它可使ROM内的数据保存。但常紫外光照到它时，它会使ROM内的数据消失，每一个记忆单位都归零。然后工程人员再依程序的规范，用30伏左右的电压将0101…数据灌入每一记忆单位。如此就可灌电压，照紫光，重复使用，存入不同的数据。

ETCH 蚀刻

在集成电路的制程中，常常需要将整个电路图案定义出来，其制造程序通常是先长出或盖上一层所需要的薄膜，再利用微影技术在这层薄膜上，以光阻定义出所欲制造的电路图案，再利用化学或物理方式将不需要的部份去除，此种去除步骤，便称为蚀刻(ETCH)。

一般蚀刻可分为湿式蚀刻(WETETCH)，及干式蚀刻(DRYETCH)两种。所谓湿蚀刻乃是利用化学品(通常是酸液)与所欲蚀刻的薄膜，起化学反应，产生气体或可溶性，生成物，达到图案定义的目的。而所谓干蚀刻，则是利用干蚀刻机台产生电浆将所欲蚀刻的薄膜，反应产生气体，由PUMP抽走达到图案定表的目的。

Evaporation 蒸镀

将我们的蒸镀源放在坩埚里加热，当温度升高到接近蒸镀源的熔点附近。这时，原本处于固态的蒸镀源的蒸发能力将特别强，利用这些被蒸发出来的蒸镀源原子，我们在其上方不远处的芯片表面上，进行薄膜沉积。我们将这种方法叫蒸镀。

F

Fab 晶圆厂

Fabrication为"装配"或"制造"之意，与Manufacture意思一样。半导体制造程序，其步骤繁多，且制程复杂，需要有非常精密的设备和细心的作业，才能达到无缺点的品质。FAB系Fabrication的缩写，指的是"工厂"之意。我们常称FAB为"晶圆区"，例如：进去"FAB"之前须穿上防尘衣。

FaradayCup 法拉第杯

法拉第杯是离子植入机中在植入前用来测量离子束电流的装置。

FieldOxide 场氧化层

FieldOxide场氧化层，Field直译的意思是"场"。如运动场，足球场和武道场等的场都叫做Field。它的涵义就是一个有专门用途的区域。

在IC内部结构中，有一区域是隔离电场的地方，通常介于两个MOS晶体管之间，称为场区。场区之上大部份会长一层厚的氧化层。

Filament 灯丝

在离子植入机的离子源反应室里用来产生电子以解离气体用。通常采用钨、钽及钼等高温金属。利用直流电的加热，使灯丝表面释放出所谓"热离化电子"。

Filtration 过滤

用过滤器（FILTER,为一半透明膜折迭而成）将液体或气体中的杂质给过滤掉，此称为Filtration（过滤）故IC制造业对洁净度的要求是非常的严，故各种使用的液体或气体（包括大气）必须借着过滤以达到洁净的要求。

FixedOxideCharge 固定氧化层电荷

固定氧化层电荷位于离Si-SiO2接口30?的氧化层内，通常为正电荷。与氧化条件、退火条件及硅表面方向有关。

Foundry 客户委托加工

Foundry主要是接受客户委托，生产客户自有权利的产品，也就是客户提供光罩，由联华来生产制造，在将成品出售给客户，只收取代工费用，这种纯粹代工，不涉及销售的方式在国际间较通常的称呼就叫硅代工（SiliconFoundry）。

G

GrainSize 颗粒大小

直译为颗粒大小。一种晶体材料形成后，从微观的角度来看，材料都是一大堆颗粒累迭在一起而成。这些颗粒有大有小，尺寸不一。而且材料的特性也会因为颗粒大小而变化，故常要注意其大小变化。

H

HEPA (HighEfficiencyParticulateAirFilter，高效率过滤器)

HEPA为CleanRoom内用以滤去微粒的装置，一般以玻璃纎维制成，可将0.1μm或0.3μm以上的微粒滤去99.97﹪，压力损失约12.5mm-H2O。层流台能保持Class100以下的洁净度，即靠HEPA达成。目前除层流台使用HEPA外，其它如烤箱、旋转机，为了达到控制Particle的效果﹒也都装有HEPA的设计。

Hotelectron 热电子

以加强型NMOS为例，当MOS管的通道长度变短，通道内的横向电场将增加，这使通道内的电子因电场加速所获得的能量上升，尤其是在通道与漏极相接的附近，电子的能量很高。因为这些电子的能量比其它尚处在在热平衡状态的电子要高，所以称为热电子。

HotElectronEffect 热电子效应

在VLSI的时代，ShortChannelDevice势在必行，而目前一般Circuit应用上又未打算更改SupplyVoltage；如此一来，Vg=Vds=5V情况下，将造成ImpactIonization（撞击游离化）现象发生于Drain邻近区域。伴随而生的Electron-Holepairs(电子电洞对)，绝大部份经由Drain(Electrons)orSub.(Holes)导流掉。但基于统计观点，总会有少部份Electrons（i.e.Hot-Electrons)所具Energy，足以克服Si-SiO2的BarrierHeight(能障)，而射入SiO2，且深陷（Trap）其中。另亦有可能在Hot-Electrons射入过程中打断Si-H键结，而形成InterfaceTrap于Si-SiO2界面。不论遵循上述二者之任一，均将导致NMOSPerformance的退化(Degradation)现象。

I

Implant 离子植入

离子注入：将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技术，掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定，掺杂浓度由注入杂质离子的数目(剂量)决定。

• 掺杂的均匀性好
• 温度低：小于600℃
• 可以精确控制杂质分布
• 可以注入各种各样的元素
• 横向扩展比扩散要小得多。
• 可以对化合物半导体进行掺杂

Inter-LayerDielectrics 内层介电材料

内层介电材料，简称ILD,指第一层金属层与Si底材之间的介电层，我们常用的是BPSG.

IntrinsicStress 内应力

材质的缺陷与施加与物体的外力，是两个构成物体受应力的主要来源，前者就称为内应(IntrinsicStress)，后者则称为外应力（ExtrinsicStress）,IntrinsicStress是薄膜产生龟裂的主要原因，它又分为拉伸应力（TensileStress）和挤压应力（CompressiveStress）两种。

IonSource 离子源

离子植入机中产生所要植入杂质离子的部分，主要由ArcChamber,Filament组成，杂质气体或固体通入ArcChamber，由Filament产生的电子进行解离而产生离子。

IsotropicEtching 等向性蚀刻

在蚀刻反应中，除了纵向反应发生外﹒横向反应亦同时发生(见左图)，此种蚀刻即称之为等向性蚀刻，一般化学湿蚀刻多发生此种现象。

干式蚀刻，其蚀刻后的横截面具有异向性蚀刻特性(Anisotropic)，即可得到较陡的图形。

L

Layout 布局

Layout此名词用在IC设计时，是指将设计者根据客户需求所设计的线路，经由CAD(计算机辅助设计)，转换成实际制作IC时，所需要的光罩布局，以便去制作光罩。因为此一布局工作﹒关系到光罩作出后是和原设计者的要求符合，因此必须根据一定的规则，好比一场游戏一样，必须循一定的规则，才能顺利完成。而布局完成后的图形便是IC工厂制作时所看到的光罩图形。

LOCOS（Local Oxidationof Silicon ）区域氧化法

Local Oxidationof Silicon即区域氧化，简称LOCOS,是FieldOxide一种制作方法，即在有SiN层作为幕罩的情况下让芯片进入炉管进行FieldOxide的制作。

LPCVD 即低压化学气相沉积

LPCVD的全名是Low Pressure Chemical Vapor Deposition，即低压化学气相沉积。这是一种沉积方法。在IC制程中，主要在生成氮化硅，复晶二氧化硅及非晶硅等不同材料。

M

Mask 光罩

在微影的阶段中，必要的线路或MOS电晶体的部分结构，将被印制在一片玻璃片上，这片印有集成电路图形的玻璃片称为光罩（Mask）；在离子植入或LOCOS氧化时，上面会有一层氧化层或SiN层作为幕罩（Mask），以降低离子植入时的通道效应或氧化时的阻挡。

MOS 金属半导体

构成IC的晶体管结缸可分为两型一双载子型(bipolar)和MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)。双载子型IC的运算速度较快但电力消耗较大，制造工程也复杂，并不是VLSI的主流。

而MOS型是由电场效应晶体管(FET)集积化而成。先在硅上形成绝缘氧化膜之后，再由它上面的外加电极(金属或复晶硅)加入电场来控制某动作，制程上比较简单，也较不耗电，最早成为实用化的是P-MOS，但其动作速度较慢，不久，更高速的N-MOS也被采用。一旦进入VLSI的领域之后﹒NMOS的功率消耗还是太大了，于是由P-MOS及N-MOS组合而成速度更高、电力消耗更少的互补式金氧半导体(CMOS，ComplementaryMOS)遂成为主流。

N

P/N型半导体

一般金属由于阻值相当低(10-2Ω-cm以下)，因此称之为良导体，而氧化物等阻值高至105Ω-cm以上，称之非导体或绝缘体。若阻值在10-2~10-5Ω-cm之间，则名为半导体。

IC工业使用的硅芯片，阻值就是在半导体的范围，但由于Si(硅)是四价键结(共价键)的结构，若掺杂有如砷(As)，磷(P)等五价元素，且占据硅原子的地位(SubstitutionalSites)，则多出一个电子，可用来导电，使导电性增加，称之为N型半导体。若掺杂硼(B)等三价元素，且仍占据硅原子的地位，则键结少了一个电子，因此其它电子在足够的热激发下，可以过来填补，如此连续的电子填补，称之为定电洞传导，亦使硅的导电性增加，称为P型半导体。

因此N型半导体中，其主要常电粒子为带负电的电子，而在P型半导体中，则为常正电的电洞。在平衡状况下(室温)不管N型或P型半导体，其电子均与电洞浓度的乘积值不变。故一方浓度增加，另一方即相对减少。

Native Oxidation 原始氧化层

当我们把硅芯片暴露在含氧的环境里时，例如氧气或水，芯片表面的硅原子便会进行如下（一）（二）所示的氧化反应，然后在芯片的表面长出一层二氧化硅层。因为（二）式所示的氧化反应涉及到水分子，虽然进行反应的水分子不见得是以液态的形式存在，但我们习惯以干式氧化（DryOxidation）来称呼（一）式的反应，而以湿式氧化（WetOxidation）来表示（二）式。因为这两个反应在室温下便得以进行，所以硅芯片的表面通常都会由一层厚度约在数个?到20?不等的SiO2所覆盖。这层因为空气里的氧以及水分子所自然形成的SiO2,则称为"原始氧化层"。

NSG 无渗入杂质硅酸盐玻璃

NSG（NondopedSilicateGlass，无渗入杂质硅酸盐玻璃）为半导体集成电路中的绝缘层材料，通常以化学气相沉积的方式生成，具有良好的均匀覆盖特性以及良好的绝缘性质。其主要应用于闸极与金属或金属与金属间高低不平的表面产生均匀的覆盖及良好的绝缘，并且有助于后续平坦化制程薄膜的生成。

O

Ohmic Contact 欧姆式接触

欧姆接触是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在于活动区(Activeregion)而不在接触面。

OI 操作指南

它是我们在操作机台，维护机台等操作情况时的操作手册,它规定了操作的先后顺序。按照操作指南才会保证安全，保证工作的顺利进行。

Oxidation 氧化

1）物质原子失去电子的化学反应,也就是物质与氧化合的过程。

2）脱氢,尤指在氧或其它氧化剂作用时脱氢

3）通过增加电负性的比例来改变一种化合物

半导体中热氧化(Oxidation)：在炉管中通入O2(或H2O)与Si反应形成二氧化硅(SiO2)氧化层。

热氧化生长方式：干氧氧化、水蒸气氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化

OxidationFurnace 氧化炉

氧化炉是芯片制造的基础，其主要功用就是对硅片进行氧化制程，生成所需的二氧化硅层。

扩散炉是集成电路生产工艺中用来对半导体进行掺杂，即在高温条件下将掺杂材料扩散入硅片，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，以便建立起不同的电特性区域。

P

Particle Contamination 尘粒污染

尘粒污染（ParticleContamination）：由于芯片制造过程甚为漫长，经过的机器、人为操作处理甚为繁杂，但因机器、人为均或多或少会产生一些尘粒Particle，这些尘粒一旦沾附到芯片上，即会造成污染影响，而伤害到产品品质与良率，此即"尘粒污染"。我们在操作过程中，应时时防着各项尘粒污染来源。

Passivation 保护层

为IC最后制程，用以隔绝Device和大气。可分两种材料：a﹒大部分产品以PSG当护层(PContent2-4%)，b.少部分以PECVD沉积的氮化硅为之。

因与大气接触，故着重在Corrosion(铝腐蚀)、Crack（龟裂）、PinHole(针孔)的防冶。

除了防止组件为大气中污染的隔绝之外，护层可当作下层Metal层的保护，避免Metal被刮伤。

PhotoResist 光阻

光阻（Photo Resist）为有机材料，系利用光线照射，使有机物质进行光化学反应而产生分子结构变化，再使用溶剂使的显像。

目前一般商用光阻主要含二部份(1)高分子树脂(2)光活性物质，依工作原理不同可分为正，负型二类:

(1)正型:光活性物质为DIAZOQUINOUE类，照光前难溶于碱液中，有抑制溶解树脂功能，照光后产生酸，反有利于碱液溶解，因此可区分曝光区与非曝光区。

(2)负型:光活性物质为Diazlde类，照后生成极不安定的双电子自由基，能与高分子树脂键结，而增加分子量，选择适当溶剂便可区分分子量不同的曝光区与非曝光区。

PVD 物理气相沉积

物理气相沉积（Physical Vapor Deposition），通常简称为（PVD）,就是以物理现象的方式，来进行薄膜沉积的一种技术。在半导体制程的发展上，主要的PVD技术有蒸镀（Evaporation）以及溅镀（Sputter）等两种。前者是借着对被蒸镀物体加热，利用被蒸镀物在高温（接近其熔点）时所具备的饱和蒸气压，来进行薄膜的沉积的；而后者，则是利用电浆所产生的离子，借着粒子对被溅镀物体电极（Electrode）的轰击（Bombardment）,使电浆的气相（VaporPhase）内具有被镀物的离子（如原子），然后依薄膜的沉积机构，来进行沉积。

Pilot Wafer 试作芯片

Pilot Wafer为试作芯片，并非生产芯片(Prime Wafer)。在操作机器前，为了确定机器是否正常所作的试片，或机器作完维修、保养后所作的测试用芯片均称为Pilot Wafer,由于Pilot Wafer所作出来的结果将决定该批的制程条件，故处理PilotWafer时，所抱持的态度必须和处理Prime Wafer一样慎重。

Pin Hole 针孔

在光阻制程所谓的针孔，就是在光阻覆盖时，光阻薄膜无法完全盖住芯片表面，而留有细小如针孔般的缺陷，在蚀刻制程时，很可能就被蚀刻穿透，而致芯片的报废。

在以往使用负光阻制程时，由于负光阻黏稠性较大，覆盖较薄，因此，容易出现针孔，故有些层次(如Contact)，必须覆盖两次，才能避免针孔的发生。目前制程大多使用正光阻，覆盖较原，已无针孔的问题存在，QC亦不做针孔测试。

Polysilicon 多晶硅

硅(Silicon)是IC制造的主要原料之一。通常其结构都是单晶(单一方向的晶体)。而Polysilicon也是硅，只是其结构是复晶结构。即其结晶的结构是多方向的，而非单一方向。Polysilicon通常用低压化学气相沉积的方法沉积而得。其主要用途在作MOS的闸极及器件单元的连接。

R

Reclaim 再生硅片

半导体晶圆厂内设备进行生产前，均需以测试硅片来量测沉积膜层厚度、电阻率、B/P含量、Particle等制程参数，量测后的测试硅片运用一定次数后通常会报废。但因近几年来欧、美、日等硅片材料制造厂产能吃紧，加上八寸晶圆厂陆续落成，六寸或八寸测试硅片的单价颇高，晶圆厂为节省成本，通常会送至日本或美国再加工，将测试硅片上的粒子与晶层经过蚀刻与磨平程序，可重新回收卖给晶圆厂使用，称为ReclaimWafer或RecycleWafer(意为「再生」硅片)。

Reflow 再回流

回流是IC制程中一种特殊技术。是在沉积BPSG或BSG。之后，将芯片推入高温炉（850-950℃）一段时间（20-40min），藉该BPSG高温下的"流动"，使芯片表面变得较平坦。此即回流平坦化技术。当BPSG沉积与热流动完成，且经过接触微影与蚀刻等步骤后，为使将来的金属溅镀能顺利在刚刚定义的接触窗里沉积，通常将硅片送入刚刚的炉管里，以相同或类似的操作参数，进行BPSG的第二度回流，称为再回流。

RTP 快速热制程

RTP(Rapid Thermal Processing)与炉管最大的差别是：RTP一次只处理一片芯片，但RTP的升温速度够快且均匀。

S

Silicide 硅化物

硅化物(Silicide)，通常指耐火金属(RefratoryMetal)的硅化物，如钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)等元素硅(Si)结合而成的化合物(TiSi2、WSi2、MoSi2)。

硅化物应用在组件的目的，主要为降低金属与硅界面、闸极或晶体管串连的阻抗，以增加组件的性能。

SI 硅

硅--SI(全各SILICON)为自然界元素的一种，亦即我们使用的硅芯片组成元素，在元素周期表中排行14，原子量28.09，以结晶状态存在(重复性单位细胞组成)，每一单位细胞为田一个硅原子在中心，与其它4个等位硅原子所组成的四面体(称为钻石结构)如图标中心原子以其4个外围共价电子与邻近的原子其原形或其价键的结合。硅元素的电子传导特性介于金属导体与绝缘体材料的间(故称半导体材料)，人类可经由温度的变化，能量的激发及杂质渗入后改变其传导特性，再配合了适当的制程步骤，便产生许多重要的电子组件，运用在人类的日常生活中。

SixNy 氮化硅

氮化硅是SixNy的学名。这种材料跟二氧化硅有甚多相似处。氮化硅通常用低压化学气相沈积法或电浆化学气相沉积法所生成。

前者所得的薄膜品质较佳，通常作IC隔离氧化技术中的阻隔层，而后者品质稍差，但因其沉积时温度甚低，可以作IC完成主结构后的保护层。

SiO2 二氧化硅

热氧化生成的二氧化硅其特性是：

• 无定型结构
• 很容易与硅反应得到
• 不容于水
• 好的绝缘性
• SiO2/Si界面态电荷低

通过不同方式制得的二氧化硅在IC制程中的应用：

• 缓冲层（bufferlayer）
• 隔离层（isolation)
• 幕罩层（maskinglayer）
• 介电材料（dielectric）
• 保护层（passivation）

SOI（SiliconOnInsulator) 绝缘层上有硅

SOI"绝缘层上有硅（SOI，SiliconOnInsulator)"是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为"SOI"的薄层硅上制备。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流，提高开关速度，降低功耗，实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术，SOI广泛应用于微电子的大多数领域，同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。

Solvent 溶剂

两种物质相互溶解混合成一种均匀的物质时，较少的物质被称为溶质，较多的物质，被称为溶剂。例如:糖溶解于水中．变成糖水，则糖为溶质，水为溶剂，混合的结果，称为溶液。

Source 源极

位于MOS电容器旁，电性与硅底材相反的半导体区，且在上加压。

T

Target 靶

靶，一般用在金属溅镀(Sputtering)也就是以某种材料，制造成各种形状，用此靶，当做金属薄膜溅镀的来源。

V

Vacuum 真空

真空是针对大气而言，一特定空间内的部份气体被排出，其压力小于1大气压。

Vacuum Pump 真空泵

凡能将特定空间内的气体去除，以减低气体分子数目，造成某种程度的真空状态的机件，统称为真空泵。

目前生产机台所使用的真空泵，可分为抽气式的有：旋片泵(ROTARYPUMP)，洛兹泵(ROOTSPUMP)，活塞泵(PISTONPUMP)，扩散泵(DIFFUSIONPUMP)。及储气式的有：冷冻泵(CRYOPUMP)，离子泵(IONPUMP)。

Vacuum System 真空系统

压力小于1标准大气压的系统。真空系统由以下部分组成：Pump、Valve、Pipe、Gauge、Chamber。

Valve 阀

控制气流开关和气体流量的组件。Valve主要有以下种类：气动阀（常开或常闭）、手动阀、电磁阀。

Vapor Phase 气相

相是一种单一均匀的成分的状态。气相（Vapor Phase）是一种单一均匀的成分的气体状态。

Vapor Phase Deposition 气相沉积

气相沉积（VaporPhaseDeposition），一种薄膜沉积的方法，在气态下气体反应产物或蒸发物淀积在基体表面的薄膜技术。气相沉积可分为物理气相沉积和化学气相沉积。物理气相沉积又分为蒸镀和溅渡。化学气相沉积又分为APCVD、LPCVD和PECVD。

W

Wafer 硅晶片

硅晶圆材料（Wafer）是半导体晶圆厂（Fab）内用来生产硅芯片的材料，依面积大小而有三寸、四寸、五寸、六寸、八寸、十二寸（直径）等规格之分。一根八寸硅晶棒重量约一百二十公斤，切割成一片片的八寸晶圆后，送至八寸晶圆厂内制造芯片电路（Die），这些芯片电路再经封装测试等程序，便成为市面上一颗颗的IC。

WaferTransferSystem 硅片传送系统

硅片传送系统用以实现硅片传送的系统。如硅片的进出炉系统、硅片在cassette与boat、cassette与chamber间的传送系统等等。

Work Function 功函数

功函数（Work Function）：让电子脱离金属原子的临界能量。如果一个能量为EF的金属价电子要脱离金属原子而成为自由电子，它至少获得W-EF的能量，这个能量就是我们所说的功函数。

Y

Yield 良率

良率即合格率，合格的产品占总产品的比例。

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