南洋理工《JACS》: “高熵化”助力新型高热电性能半导体材料
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热电能源转换技术可实现电能和热能的直接相互转化,具有安静、可靠、易维护和体积小等优点,在工业余废热的回收应用、全固态制冷,提高能源利用效率等方面具有重要的应用前景。当前的研究内容主要集中于提高传统热电材料的无量纲优值ZT和开发新型高ZT值的新型热电材料。
近日,新加坡南洋理工大学Qingyu Yan(颜清宇)教授和美国西北大学Mercouri G. Kanatzidis教授研究团队合作,通过等量混合SnSe和AgSbSe2得到了新型窄带隙半导体AAgSnSbSe3,并利用Te取代Se得到了五元高熵热电材料体系AgSnSbSe3-xTex,获得了功率因子和ZT值的同步提升。其中 AgSnSbSe1.5Te1.5材料在400-773 K范围内的平均ZT约1.0,优于大部分SnTe、PbSe基热电材料,表现出极大的应用价值。相关论文的整体研究思路如图1所示,于近期发表在Journal of the American Chemical Society 上,论文的第一作者是Yubo Luo(罗裕波),现任华中科技大学教授。
图1. 论文的整体研究思路及材料的热电性能。
AgSnSbSe3材料具有NaCl晶体结构,其中Ag/Sn/Sb随机占据着阳离子Na的位置,是典型的阳离子无序材料。第一性原理计算表明AgSnSbSe3在费米能级附近具有3个能量差别较小的价带顶(图2a),多价带特点导致材料具有较高的态密度有效质量和塞贝克系数。同时,材料中存在光学声子/声学声子耦合(图2b)、强非简谐性(图2c)以及Ag原子的低频振动(图2d),从而具有低的本征热导率,其晶格热导率在673 K时仅~0.47 Wm-1 K-1。
图2. AgSnSbSe3的能带结构和晶格振动图谱第一性原理计算结果。
进一步利用Te取代Se的位置,形成了阳离子和阴离子均无序的材料。同时,该无序材料具有Ag/Sn/Sb/Te/Se五种化学元素,也是一种典型的高熵合金材料。高熵工程在材料中引入额外的点缺陷和高密度的位错(图3a),并引起了强的晶格畸变(图3b),导致AgSnSbSe3的晶格热导率进一步降低(图3c)。其中,AgSnSbSe1.5Te1.5的晶格热导率在723 K时仅~0.32 Wm-1 K-1。此外,Te合金化导致材料的电导率升高,功率因子获得了明显提高。电热输运性能的协同优化使材料的ZT值进一步提高,其中AgSnSbSe1.5Te1.5在 723 K取得最大值1.14(图3d)。
原文链接:
High Thermoelectric Performance in the New Cubic Semiconductor AgSnSbSe3 by High Entropy Engineering Yubo Luo, Shiqiang Hao, Songting Cai, Tyler J. Slade, Zhong Zhen Luo, Vinayak P. Dravid, Chris Wolverton, Qingyu Yan*, Mercouri G. Kanatzidis*J. Am. Chem. Soc., 2020.
来源:X-Mol
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