3nm芯片还没开始量产,台积电的2nm芯片研发就进入了公众的视线。
这一周,台积电接连官宣了2个爆炸性的消息。首先是台积电高级副总裁Y.P. Chin代表公司宣布:台积电即将开设2nm芯片研发中心。台积电官宣的2nm工艺研发中心将会拥有一条先进的生产线,同时配套以8000名工程师。此前就有报道称台积电正在园区内斥资1.25亿美元建造一座工厂。不过当时台积电没有透露工厂的用途。从技术上看,台积电这次开始研发的2nm芯片工艺将会导入GAA-FET晶体管结构。截止目前,台积电的3nm芯片依然在使用Fin-FET工艺。尽管台积电的3nm芯片已经完成了研发,但距离量产还有一段距离,更不用提已经带来的收益。
紧接着,台积电(南京)有限公司总经理罗镇球确认,3nm芯片将在2022年进入量产期。 按照以往的规律,芯片纳米数量级越小,芯片制造越来越接近摩尔定律的天花板。意味着芯片的升级换代将带来更大的成本,而提高芯片密度带来的性能提升,也将进入一个明显的边际效益递减的过程。但在芯片制造领域已经取得领导地位的台积电,依旧选择一掷千金,快速将2nm芯片制程的研发提上日程。 台积电曾经对自己的7nm工艺跟10nm工艺进行对比,结果是性能提升了20%、功耗降低40%、芯片密度是10nm的1.6倍。 然而到了5nm工艺的时候,芯片的性能比7nm提高了15%、能耗降低20%、晶体管密度提高1.8倍。 而与5nm工艺相比,3nm芯片的性能提升5%,能耗降低15%,晶体管的密度提高1.7倍。
研发16nm芯片的制造工艺,大约需要16.43美元的研发成本,10nm为16.37美元,7nm成本18.26美元,5nm和3nm分别涨到23.57美元、30.45美元。
10nm芯片的开发成本已超1.7亿美元,7nm接近3亿美元,5nm超5亿美元,基于3nm开发的复杂芯片,设计成本更将高达15亿美元。
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巴黎雷欧
巴黎旅游文化协会、巴黎旅游
评级机构、巴黎远东艺术馆,
全球版权交易机构、巴黎邮报、
莱特CN……推荐艺术顾问、评
论家、法国旅游咨询专家。
Léo,即巴黎雷欧,
早年出版过文集《在成长》,
近年出版有论著《跨国公司内
部谈判》(法文版)《人际关
系十二讲》(英文版)《远东
文化艺术》(法文版)《巴黎
雷欧艺术评论》(系列)《雷
欧带你认识法国》《雷欧带你
认识巴黎》等。