我们拆解了Baseus最新无线充电器，它用的是这家高性能MOS

倍思是一家技术创新型公司，其最新的无线充电器，采用了微硕高性能MOSFET。
今年苹果iPhone 8的发布，正式把无线充电推向风口。无线充电在过去只有很少部分的手机才支持，今年苹果3款新机全部支持无线充电，可见苹果对无线充电普及的决心。
我们都知道苹果的iPhone手机出货量是很大的，并且国产厂商还会跟进在手机上支持无线充电接收，这对整个无线充电行业的市场是一个非常大的利好。

通过充电头网的拆解了解到，Baseus倍思最新无线充电器采用微硕高性能MOS。这款无线充电板是由4颗MOSFET组成一个H桥驱动器，由无线充电器内部的控制器控制，驱动4颗MOSFET改变发射线圈中的电流方向从而产生电磁波，手机接收端接受电磁波进行无线充电。这也就是说，每一个无线充电器，即使只有一个线圈，也需要4颗MOSFET来驱动，多个线圈就需要更多的MOSFET来驱动。

微硕WSP4884在传统SO8封装中集成了两个MOS，只需两颗微硕WSP4884即可组成完整的线圈驱动，这样可以在严苛的占板面积下提供尽可能高的功率密度，应对现在无线充电器越做越轻薄的要求。同时微硕WSP4884采用先进的高密度技术，提供同类产品中相对小的Ciss和RDSON。

关于微硕半导体
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