中国公司自主研发氮化镓，打破海外垄断，荣获国家大奖

// 中国企业挑战氮化镓芯片领域独角兽，自主研发打破国外垄断

“我们建成了全球首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片量产生产线，并在非常短的时间内打破了国外知名半导体公司在氮化镓功率芯片设计和生产制造领域对中国市场、甚至全球市场的垄断。”英诺赛科（珠海）科技有限公司（以下简称“英诺赛科”）创始人骆薇薇说，氮化镓作为第三代半导体材料的代表，在新能源汽车、5G通讯、激光雷达等细分行业，有着广泛的应用。

“8英寸硅基氮化镓功率芯片量产线”的通线投产，意味着制约我国第三代半导体产业的技术瓶颈得到了突破，势必在庞大的半导体上下游产业中实现对进口技术和产品的替代。

英诺赛科创始人骆薇薇博士（左三）

骆薇薇毕业于新西兰梅西大学，获得应用数学博士学位。毕业后，她在美国宇航局（NASA）工作了15年，并创办了两家以新材料为核心业务的高科技公司。

2015年底，作为骆薇薇创办的第三家公司，英诺赛科选择在珠海国家高新区落户，这是一家典型的创新型高科技企业，目前公司有26项科技成果获得国际专利，并有其他40多项成果正在申请国际专利。 

“难，真难，太难了。”谈起自己的创业之路，骆薇薇连用了三个“难”字。骆薇薇在国外工作生活了二十多年，此次下定决心回国创业，其难度可想而知。

有人说回国创业是火坑，劝她不要往里跳。但骆薇薇并没有理会，即使她的整个团队里只有一名员工愿意追随她回国创业，即使研发费用迟迟没有着落，即使所有人都不看好她这次回国创业之旅，这些都无法动摇骆薇薇研发“中国芯”的决心。

如今，经过三年的发展，英诺赛科在政府多部门以及各方合作组织的大力支持下，已经成功汇聚中、美、德、韩四国精英人才，员工规模突破200人的世界顶尖氮化镓功率芯片生产商。英诺赛科作为中国“芯”动力，将以融汇全球高端智力资源，研发顶尖半导体应用产品的决心，蓄势待发，正式进军国际市场。

// 英诺赛科荣获国家级创新创业大赛一等奖

第三届“中国创翼”创业创新大赛颁奖仪式

在刚刚闭幕的第三届“中国创翼”创业创新大赛全国总决赛的比赛上，经过激烈的角逐，骆薇薇团队以“高性能8英寸硅基氮化镓外延、功率器件研发与产业化项目”获得主体赛创业组一等奖。

这次活动全国共有31704个项目报名参赛，通过区县、地市、省级选拔赛的层层选拔，共232个项目进入10月12日至14日的全国选拔赛和决赛，其中92个项目分获一、二、三等奖和优胜奖，并由人社部授予“全国优秀创业创新项目”称号。

参赛者既有引领潮流的科技专家、技能人才，又包含朝气蓬勃的大学生、留学生等。参赛项目覆盖电子信息、互联网、生物医药、先进制造、新能源及节能环保、新材料等各领域。

第三届 “中国创翼”创业创新大赛是由人力资源社会保障部联合国家发展改革委、科技部、共青团中央、中国残联共同举办的一项全国性赛事，自今年3月启动以来，在全国各地掀起了热烈反响。

英诺赛科一等奖获奖证书和奖杯

经过多轮比赛、选拔，通过项目介绍、专家问答、综合评估，英诺赛科（项目名称：高性能8英寸硅基氮化镓外延、功率器件研发与产业化）从选拔赛到决赛一直保持着领先优势，最终以91.25的高分斩获第三届“中国创翼”创业创新大赛全国总决赛第一名！

// 创新引领时代，用“芯”点亮未来

创新是引领发展的第一动力，骆薇薇就是一个以创新为先，每天都在围绕创新做文章的人。之所以参加“中国创翼”，骆薇薇坦言是被大赛的口号所吸引的：“创新引领创业，创业带动就业。”这话说得太对了，无创新不发展，无就业不兴旺。

只有企业创新，才能发展经济，只有拉动就业，社会才能兴旺。创新，是英诺赛科的命脉，助力中国“芯”突破，正是英诺赛科奋斗的目标。

2018年6月，在江苏省苏州市吴江区汾湖高新区，英诺赛科宣布其占地368亩、一期投资总额高达60亿元的英诺赛科（苏州）半导体有限公司项目正式落户当地，生产基地建设也同期展开，预计将于2019年底正式通线投产。

一期项目建成后，预计8英寸功率与射频芯片的年产能将达到6.5万片，直接创造就业岗位2000余个。这无异又为“中国芯”注入了一针强“芯”剂！英诺赛科通过自主研发、自建晶圆厂，从设计到制造可为氮化镓芯片产业链提供一站式解决方案，目前已经成为国内该领域独角兽。而此次获得国家创业大赛一等奖，更是主办方、组委会及社会各方人士对这一自主创新项目的认可和肯定。

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