研吉推出全新65W氮化镓快充方案，首发GaN systems芯片

充电头网近日从供应链获悉，业内首款基于GaNsystems氮化镓芯片的PD快充产品诞生，由USB PD快充专业方案公司研吉电子主导开发。该参考设计最大输出功率为65W，配备1A1C双口输出，单USB-C口输出65W（20V/3.25A），单USB-A口输出QC3.0 Max 18W (12V/1.5A)；双口同时输出时，USB-C口降为45W，USB-A口维持 18W。方案全系列采用双面板、最简化降功率设计理念。

研吉65W 1A1C氮化镓快充方案DEMO正面元器件布局较为密集，输入端除了共模电感、保险丝、整流桥之外，还设有三颗JSH万京源电解电容滤波，单颗规格400V 33μF。

输出部分同样设有两颗万京源固态电容滤波，此外还有一颗Buck-Bost电感，用于双口输出时USB-A口调压，两颗Y电容横跨在初级和次级之间。

变压器相对来说体积较小。

PCB板背面初级和次级之间有镂空处理，增加安全距离。

该方案的PWM主控芯片采用了一颗常见的料号，安森美NCP1342，其内置主动X2电容放电和多重完善的保护功能。

安森美 NCP1342 详细资料。

该方案的核心器件来自GaN systems，型号GS-065-011-1-L，650V耐压，导阻150mΩ，DFN5x6封装，支持超高开关频率，这颗GaN开关管设计时简化了驱动要求，所以没有采用外置驱动IC。

GaN systems GS-065-011-1-L详细规格。

同步整流控制器采用南芯半导体最新的SC3501。这是一款智能次级同步整流控制芯片，用于驱动反激变换器中次级MOSFET。代替肖特基二极管，带来更高的效率和更低的温升。当MOSFET的VDS电压低于导通阈值时，MOSFET导通，当MOSFET的VDS电压高于关断阈值时，MOSFET关断。实时监测MOSFET导通压降，以减小导通损耗。即使反激变换器工作在电流连续模式时，极为快速的关断延时可以保证MOSFET的准确动作，可靠性高。

南芯SC3501详细规格资料。

次级同步整流MOS采用恒泰柯HGN070N12SL，NMOS，耐压120V，DFN5X6封装。

恒泰柯HGN070N12SL资料信息。

USB-A接口的升降压芯片来自MPS，MP28167，2.8-22V输入，内置开关管，同步升降压转换器，并且支持I2C接口控制，用于A口升降压输出。

MP28167详细规格资料。

USB-A口输出协议芯片采用芯卓UC2611，支持QC3.0、QC2.0、FCP等快充协议。

芯卓UC2611规格资料。

USB-C口协议芯片采用耕源CY2332，一颗高性能的协议IC，支持USB PD3.0/PPS/QC4+快充协议，其采用DFN3x3-14封装，节省面积。

耕源CY2332详细规格资料。

充电头网总结

氮化镓PD快充已经成为时下最受欢迎的产品，在2020年上半年，市面上65W氮化镓充电器更是出现扎堆上市的局面，并取得不错的销量。结合手机、笔电厂商的产品布局来看，在未来几年内，65W氮化镓快充依然是市场的主流。

作为一家专业研发USB PD2.0/3.0、QC3.0/4.0充电器、适配器、移动电源、车充为主导的方案设计公司，研吉拥有一支由行业内从业多年、有资深经验的顶尖RD人员组成的研发团队。能够为客户提供最专业的方案和PCBA，为客户节省了研发费用，缩短了研发周期，快速抢占市场。

在氮化镓快充成为主流之际，研吉凭借在USB PD快充领域的开发经验，并结合自身与众多芯片原厂的深度合作，开发出了业内首款基于GaN Systems氮化镓芯片的65W 1A1C快充，极大丰富了目前氮化镓快充方案类型，为客户提供了具有差异化和竞争力的方案。

如需了解研吉更多氮化镓快充方案，可以与研吉业务人员取得联系。

联系方式
研吉电子有限公司
联系人：李涛
联系电话：[phone]
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