氮矽科技推出DFN4x4封装650V/160mΩ氮化镓功率管
氮矽科技专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的设计研发、销售及方案提供的高科技企业。公司成立于2019年4月，目前公司于2020年6月获得千万级天使轮融资。2020年3月，公司发布国内首款氮化镓超高速驱动器DX1001，同年4月推出国内多款量产级别的650V氮化镓功率芯片DX6515/6510/6508，搭配该公司的驱动芯片，进军PD快充行业。目前可提供65W 2C1A、单C，120W 2C1A等多种应用解决方案。
近日，氮矽科技的研发又有新突破，将于充电头冬季展会12月18日发布PDDFN4x4mm封装的650V/160mΩ氮化镓功率器件。属于行业里面同系列产品中封装面积最小的产品。
行业里面同系列产品中封装面积最小的产品
面积小，4X4的超小面积便于印制板电路设计，从而进一步减小充电头体积。
表1 同系列产品封装外形与占板面积对比
图1 同系列产品封装外形与占板面积视觉对比
Chip Face Down封装工艺，解决氮化镓散热难问题
与传统的Wire Bonding（WB焊线）封装工艺相比，该封装采用Chip Face Down（芯片焊盘面向下），解决了氮化镓器件衬底散热慢的问题；同时用RDL（Re-distribution Line重布线）工艺替代传统WB工艺中使用的细长的焊线，大大减小产品的封装电阻及寄生参数。
图2 氮矽PDDFN4X4氮化镓功率芯片
封装薄，满足电路板与外壳距离限制
相比其他类型的封装，最大厚度只有0.6mm，完全满足电路板与外壳距离限制。
创新的双面散热设计，提高MOS管散热性能
双面散热设计，一方面减小印制板散热铜面积，降低印制板温度，另一方面可以方便的添加顶部散热材料将MOS管温度均匀散到外壳上。
在应用方面，用该公司65W 2C1A QR拓扑的评估板进行效率和散热测试，PDDFN4x4与TO252表现相当，然而TO252封装的占板面积是PDDFN4x4的4倍有余（见表1.），该封装的优势可见一斑。
表2 PDDFN4x4与TO252效率对比
图2 PDDFN4x4与TO252上板温度曲线
氮矽科技计划下个月推出采用相同封装工艺的PDDFN5x6产品，明年Q1推出基于氮化镓驱动及MOS的功率IC产品，期待氮矽科技为行业带来更多的惊喜。
氮矽科技将在12月18日参加充电头网2020（冬季）USB PD＆Type-C亚洲展，展位F02，感兴趣的小伙伴欢迎前往展台进一步咨询。
温馨提示
充电头网
将在12月18日于中国-深圳举办
「技术专题」
USB PD、QC、VOOC、DFH、Qi、GaN、POWER-Z
「拆解汇总」
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