五大氮化镓芯片原厂齐聚2020（冬季）USB PD＆Type-C亚洲展
2020（冬季）USB PD＆Type-C亚洲展将于12月18日（周五）在中国深圳举办，这也是2020年度规模庞大的消费类快充电源行业展会。展会现场将有百余家USB PD＆Type-C产业链企业带来上千款产品案例，同时也将吸引数千位专业观众莅临现场交流、学习。
据了解，USB PD＆Type-C亚洲展自2016年发起以来，已经连续举办多届。经过多年沉淀，该展会已经成为亚洲USB PD＆Type-C领域颇具影响力、覆盖面广泛的活动之一，众多从业人员更是将这一展会规划为每年重要行程。
与此同时，展会期间还将举办2020（冬季）USB PD＆Type-C亚洲大会，众多企业也将借助这一平台面对外发布新品、解决方案、应用案例等，成为USB PD＆Type-C市场发展趋势的风向标。
作为时下消费类电源行业最热门的话题，GaN氮化镓快充技术成为了本次展会的核心看点之一，汇聚了英诺赛科、量芯微半导体、聚能创芯、纳微半导体、氮矽科技五家氮化镓功率器件核心供应商，并有数十款氮化镓快充应用案例。
B03展台：英诺赛科科技有限公司
英诺赛科科技有限公司成立于2015年12月，国家级高新技术企业，致力于研发和生产8英寸硅基氮化镓功率器件与射频器件，并推出首款国产氮化镓功率芯片。通过InnoGaN器件替换初级Si MOS，提高了快充适配器的转换效率和功率密度，英诺赛科InnoGaN产品已经获得努比亚、魅族、Lapo、摩米士、ROCK、飞频等数十家知名品牌和厂商的上百款产品采用，高压GaN出货量超过300万颗，市场反馈良好。
在本次展会上，英诺赛科将会带来基于InnoGaN开发的65W单C口超薄氮化镓快充、100W单C口氮化镓快充、100W多口氮化镓快充、150W LED氮化镓电源，以及AllGaN快充电源方案等众多新品。
英诺赛科65W单C口超薄氮化镓快充采用反激拓扑架构，支持90-264V宽电压输入，峰值效率92.5%，PCB板尺寸：56*50*13mm。
英诺赛科100W氮化镓快充方案同样采用反激拓扑架构，开关频率70-130kHz，100W输出时的，效率可达93%，整机PCB尺寸34*26*66mm。
英诺赛科100W多口氮化镓快充由PFC升压+反激拓扑+二次降压电路构成，2A2C接口配置，其中两个USB-C接口均支持最大100W输出，两个USB-A接口均支持30W输出。整机PCB尺寸为22.5*56*71mm，效率约为92%。
英诺赛科150W氮化镓快充方案采用PFC+LLC拓扑架构，效率高达93%。PCB尺寸181.5*28*13.5mm。
C01展台：GaNPower量芯微半导体
GaNPower量芯微半导体是一家半导体集成电路芯片及分立元器件研发商，主要经营范围是半导体集成电路芯片及分立元器件的研发、设计、销售；电子产品、仪表仪器、机械设备的销售。产品可广泛应用在汽车充电桩、电源适配器、太阳能板等设备上。针对PD快充市场推出了多个型号650V和1200V高压MOS管。
在本次展会上，量芯微半导体将带来65W单C口、65W 1A1C；120W 2C1A氮化镓快充，以及150W到220W适配器等多种解决方案。
据了解，量芯微65W数字LLC氮化镓快充方案，带上外壳的机身尺寸仅31*36*36mm，功率密度达到1.6W/mm³，接近常规氮化镓快充的两倍。此外，这套方案还具有高效率特性，在220V输入的效率约为94.5%，120V输入的效率约为93.7%。
这款基于QR架构开发的65WPD快充充电器同样采用了量芯微氮化镓功率器件，其PCB板尺寸仅为45*35*25mm，220V输入的效率为94%；120V输入的效率为93%，90V输入的效率为91.5%。
量芯微220W超小型电源适配器方案采用PFC+LLC架构，得益于GaNPower功率器件的采用，该方案的PCB尺寸仅为70.5*45.*35.5mm，220V输入的效率为94%，120V输入的效率为91%。
D06展台：青岛聚能创芯微电子有限公司
青岛聚能创芯微电子有限公司开发的650V系列氮化镓（GaN）功率器件产品导通电阻覆盖55-300mΩ、稳定输出电流9-24A、RdsonxQg为350mΩ/nC，可满足0-10kW的消费类快充、无线充电、智能家电、5G通讯、云计算等应用场景的需求。并基于上述650V系列氮化镓功率器件产品，开发了65W PD快充应用方案，解决了当下大功率快充发热大、尺寸不便携的痛点，成为各类便携式电子产品的优秀电源解决方案。
聚能创芯65W氮化镓快充方案加在本次展会上亮相，该功率包含两套方案，分别是口红款的65W 1A1C快充和方块状的65W 2C1A氮化镓快充。两款方案在单C口输出是时，最大功率均可达到65W，并可根据客户需求拓展输出功能。
得益于聚能创芯氮化镓功率器件产品的低漏电、高效率、高开关速度的性能优势，聚能创芯65W PD快充空载功率小于100mW、输出效率达92%，其中口红款65W 1A1C氮化镓快充方案带外壳尺寸仅为78×36×32mm，解决了当下大功率快充发热大、尺寸不便携的痛点，成为各类便携式电子产品的优秀电源解决方案。
E05-E08展位：纳微半导体公司
纳微半导体是全球领先的氮化镓功率器件设计公司，纳微半导体拥有强大且不断增长的功率半导体行业专家团队，在材料、器件、 应用程序、系统和营销及创新成功记录的领域内，积累了丰富的经验，其多位创始人的专利也累计超过了200项。纳微推出的多款内置驱动器的GaN产品在小米、ANKER、AUKEY、Baseus等多个品牌的充电器中均有使用，有效减小适配器体积，提高效率。
纳微半导体将在本次展会携带吉祥物小氮星“小蛋”和小镓芯“小佳”亮相。与此同时，还将带来众多知名品牌应用案例展示以及最新高功率密度快充电源方案。
F02展位：成都氮矽科技有限公司
氮矽科技成立于2019年4月，专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的设计研发、销售及方案提供。2020年3月，氮矽科技发布国内首款氮化镓超高速驱动器DX1001，同年4月推出国内多款量产级别的650V氮化镓功率芯片DX6515/6510/6508，进军PD快充行业。目前可提供65W 2C1A、65W单C、120W 2C1A等多种应用解决方案。
氮矽科技将在本次展会上带来DFN4*4封装的650V/160mΩ的氮化镓开关管，是常规DFN 8*8管子的1/4面积，并且具有0.6mm超薄的厚度。芯片采用倒装技术，增强散热性能，同时降低封装电阻和寄生参数。同时芯片顶部还可使用导热材料散热，进一步降低温升。
氮矽科技将于近期推出采用相同封装工艺的PDDFN5x6产品，2021年Q1推出基于氮化镓驱动及MOS的功率IC产品，期待氮矽科技为行业带来更多的惊喜。
以上便是本次展会氮化镓功率器件原厂的信息及最新重点产品介绍，如需了解更多最新GaN技术以及最新GaN快充方案，请于会当天莅临现场交流洽谈。
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将在12月18日于中国-深圳举办
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「快充工厂」
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