ST意法半导体发布GaN半桥器件：内置驱动器和两颗氮化镓
ST意法半导体发布了一款先进的系统级功率封装器件，并命名为MASTERGAN1，器件内部集成GaN栅极驱动器和两个GaN开关管，拥有650V耐压和150mΩ导阻，并基于该芯片推出了一套推出65W氮化镓快充参考设计。
一、ST推出双核氮化镓功率器件
MASTERGAN1内部集成半桥驱动器和两颗耐压650V，导阻150mΩ的高压GaN开关管，集成在9*9*1mm的QFN封装内，工作电流10A，低侧和高侧均具有欠压关闭保护。驱动器内置自举二极管，内置互锁功能，且具有准确的内部定时匹配。支持工业级宽温。
MASTERGAN1通过内部集成半桥驱动器和GaN开关管来减少元件数量，同时其走线方便布局设置，可实现灵活简洁快速的设计。
二、ST最新MASTERGAN1技术优势
MASTERGAN1封装视图，正负极及开关脚靠边缘布置，露铜与引脚延伸帮助散热，便于PCB布线设计。
ST意法半导体的MASTERGAN1支持LLC和ACF应用，对最近兴起的大功率应用有很好的支持。配合初级控制器，可以简化适配器设计，由两颗开关管和驱动器组成的半桥，改为一颗器件取代，大大减小适配器初级元件数量和面积。
充电头网总结
ST意法半导体MASTERGAN1对于LLC或者ACF适配器，意义重大。这颗器件内部集成驱动器和LLC或者ACF适配器所需的两个GaN开关管，9*9mm的封装乍看起来不小，但是相比起两颗DFN5*6的MOS管加上一颗3*3的驱动，加上外围元件，占板面积还是要小很多的。使用集成器件有助于提高适配器功率密度。同时内置驱动器的GaN器件，有助于减小寄生效应，减小振铃，提高效率和可靠性。
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