快、稳、值!英诺赛科30W GaN快充创新升级
不久前,苹果、三星接连倡导“为地球减负”的提议,宣布在用户购买手机时取消标配充电器。这一举措实实在在刺激了第三方充电器市场。为此,英诺赛科推出了20W氮化镓快充以及30W 氮化镓快充方案,可以同时满足苹果、三星、小米、华为、OPPO等手机用户的快充需求。
此款30W氮化镓快充采用了InnoGaN系列第二代新品INN650DA04,具备高频高效、极低损耗、快速主动散热等特点,同时采用DFN5*6进行封装,实现小体积、高效率,迅速成为市场焦点。
基于InoGaN技术的优越性,英诺赛科30W快充方案与传统方案相比,功率密度提高一倍,最大效率可提升9%左右,损耗更小,体积更小,性价比更高,势必成为消费者对30W快充的最佳选择。
InoGaN 30W 方案简介:
输入电压范围:90—264 Vac
输出电压范围:5-20 V
尺寸:32*36*19
功率密度:22.5 W/in³
最高效率:93%
方案芯片:INN650DA04(GaN)+SC3021(直驱GaN IC)+SC3503(同步整流),HUSB339(协议)
InoGaN 30W 方案性能特征:
1、功率密度提升一倍,速度更快
相对传统的Si MOS方案,此款30W氮化镓方案功率密度提升一倍,简洁的构造使其比传统20W方案的产品体积更小,生产环节更简易、方便,为千万级30W快充市场所需的大批量供应、高效率产能提供有力保障。
2、效率提升9%,稳定性更强
基于英诺赛科高频高效的特性,30W氮化镓方案效率得到了质的飞跃,与市面上主流的Si MOS方案相比,在90V输入条件下效率可提升9%。不仅达到了节能效果,还可以减小损耗,大大降低外壳温升,安全性更高、稳定性更强。
3、极简设计,性价比更高
此款30W氮化镓快充的高频特性,在实现高效率和小尺寸方面,明显优于Si MOS。由于GaN的效率足够高,可以节省热片设计,从而实现小尺寸高效率的紧凑型适配器设计,通过更好地控制内部温升,以及GaN相对Si更强的抗高温特性,搭配简洁的设计和布局,大大降低了系统成本与加工成本。
得益于全球首条8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线及先进的研发品控分析能力,英诺赛科InnoGaN系列的整体性能、成本、产能均得到很好的把控。此次利用氮化镓技术重点打造高频高效、高性价比的30w快充方案或成为快充市场上的又一创新之举,不断满足用户对充电器通用性、便携性、高效率的需求,引领氮化镓快充市场快速发展。
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