英飞凌发布两款合封氮化镓功率芯片
3月26日，「2021（春季）USB PD&Type-C亚洲展」在深圳成功举办，展会期间还同期举办2021（春季） USB PD＆Type-C亚洲大会，并邀请了17位行业大咖进现场与大家探讨USB PD＆Type-C现在与未来，为大家分享最新的技术和解决方案。
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英飞凌全球低功率电源全球市场总监 胡凤平先生发表了演讲，并围绕《英飞凌氮化镓充电器（GaN Charger）方案》为主题对英飞凌在氮化镓快充领域的产品布局进行了深入的解读。
英飞凌氮化镓充电器解决方案。
英飞凌的演讲分为五个部分，首先是CoolGaN分立器件和集成功率级。
英飞凌中高功率应用，可以使用分立的CoolGaN器件，以顶部或底部散热，配合不同的门极驱动方案。
英飞凌低到中功率应用，明显的趋势是使用CoolGaN的集成功率级实现高频和高功率密度。
CoolGaN氮化镓器件简化驱动而且易于使用，从灵活的分立元件应用到集成功率级的系统解决方案。从控制器到CoolGaN器件，从控制器到驱动器到CoolGaN器件，到现在控制器加隔离驱动器与CoolGaN组合的数字输入隔离解决方案，到控制器，隔离驱动器和CoolGaN集成的系统解决方案。
常关的GaN-HEMT评估电路和门级输入特性。具有强壮的门极结构用于高功率。快速开关二极管性能，减少门极输入保护的稳压二极管。
独特的常关解决方案是用于长寿命的必须。
英飞凌600V CoolGaN产品列表，其中DFN8*8，DSO TSC，DSO BSC和TOLL封装已发布并已提供样品，TOLT和ThinPak5*6将在2022年第三季度提供样品。
内置单颗氮化镓开关管的集成功率级，为高功率密度和高功率设计的封装。IGI60F0014A1M，导阻140mΩ，独特的漏极EPAD用于大电流和最好的电气性能。功能区块化，并且直角的引脚方向简化PCB设计，最小化PCB面积和好的散热体验。
单管集成功率级组成的半桥，可最小化噪声干扰，并且降低EMI。
英飞凌半桥集成功率级，IGI60F1414A1L，内置两颗140mΩ导阻氮化镓开关管，可提供数字PWM信号输入，简单的整合，最小化PCB占用，简化外部元件数量。
其中140mΩ导阻的单管和半桥集成功率级已提供样品，其他导阻的器件在开发中，内置隔离驱动以及600VCoolGaN开关管。支持3.3V数字PWM逻辑输入，外置高侧自举电容。半桥集成功率级和单管组成的半桥，均有最小的开关节点寄生参数。简化的阻容元件可以配置开关速率。传播延迟匹配温度和生产传播的最小死区时间获得高效率。
英飞凌65W不对称的半桥反激评估板测试结果，对比GaN-HEMT和超结MOS管，效率大约提升0.5%。
用于高功率密度的USB PD适配器，建议使用CoolGaN的集成功率级IGI60F1414A1L，可用于ACF反激和非对称LLC半桥。
英飞凌集成的半桥可以显著的减小PCB面积和元件数量，相比当前的方案。英飞凌65W的评估板证明，使用140mΩ的集成功率级，芯片顶部无需散热措施。
用于USB PD适配器的Full GaN方案，分立氮化镓元件可选IGLD60R190D1S，集成功率级可选IGI60F0014A1L单管和IGI60F1414A1L半桥器件，二次侧同步整流可使用中压CoolGaN，IQC0800NLS。
英飞凌双芯片QR反激解决方案，基于PAG1P+PAG1S芯片组，包括USB连接控制器，适用于18W到65W USB PD适配器。采用变压器磁耦合，转换效率高达92%，具有超低的待机功耗。
英飞凌基于一款PAG1P/S的65W氮化镓参考设计，氮化镓开关管采用IGLD60R190D1，PCB尺寸为52*42*22mm³，输入滤波电容采用永铭KCX系列电解电容，三颗33μF一颗22μF，合计121μF容量。变压器采用RM10磁芯，功率密度达1.35W/CM³。
英飞凌和赛普拉斯携手，一起交付出色的创新系统解决方案和客户服务。赛普拉斯有超过15年的经验生产USB-A接口控制器和接口IC，超过5年的USB PD芯片生产。
英飞凌的CoolGaN产品只是完整USB PD充电器系统解决方案的一部分，英飞凌具有CoolMOS高压开关管，多种拓扑的控制器，充电器二次侧有同步整流管和负载开关，以及独立的USB协议控制器等。
频率本身不是功率密度的驱动因素，但可以与 CoolGaN ™离散和 IPS 集成、单管或半桥功率阶段的智能组合增强频率。
简单驱动，坚固耐用，易于使用，采用不同的导通电阻，封装和门驱动器解决方案。
英飞凌可以提供合适的电源开关技术来选择CoolGAN，CoolSiC，CoolMOS和OptiMOS。
英飞凌和赛普拉斯将为充电器和适配器提供全频谱解决方案，包括 USB 接口控制器 + USB-C PD。
更多信息请访问www.infineon.com/GaN。
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