英飞凌推出全新CoolGaN 65W参考设计
3月26日，「2021（春季） USB PD＆Type-C亚洲展」在深圳成功举办，英飞凌全球低功率电源全球市场总监 胡凤平先生发表了《英飞凌氮化镓充电器（GaN Charger）方案》主题演讲，对英飞凌在氮化镓快充领域的产品布局进行了深入的解读。
英飞凌在本次USB PD亚洲展上推出了基于一款PAG1P/S的65W氮化镓参考设计，初级氮化镓开关管采用IGLD60R190D1，PCB尺寸为52*42*22mm，输入滤波电容采用永铭KCX系列电解电容，三颗33μF一颗22μF，合计121μF容量。变压器采用RM10磁芯，这款65W参考设计功率密度达1.35W/cm³。
英飞凌65W氮化镓参考设计一览，变压器次级输出线直接焊接到次级小板上，输出低压固态电容垂直焊接，充分利用空间，高压侧有两级共模电感。
输出侧使用两颗永铭NPX固态电容滤波，470μF25V耐压。电容下方是一颗隔离变压器，PAG1P与PAG1S采用变压器进行隔离通信，避免光耦长时间出现老化，提高适配器寿命。输入侧X电容垫高焊接在保险丝和共模电感上方，充分利用内部空间。
左侧四颗永铭电解用于输入滤波，变压器采用绝缘胶带缠绕绝缘。输出小板垂直焊接，侧面是同步整流管，采用英飞凌BSC0805LS，耐压100V，导阻7mΩ。
英飞凌 BSC0805LS 详细资料。
此方案采用了英飞凌PAG1系列零电压控制套片，兼顾了成本与性能特性：
英飞凌PAG1P与PAG1S套片示意图。PAG1P采用反激方案，PAG1S集成同步整流和协议功能，内部集成VBUS和同步整流驱动。
适配器输入端采用两颗整流桥并联，均摊发热。电路板背面均为初级元件，有初级控制IC和氮化镓开关管。
英飞凌PAG1P初级IC特写，型号为CYPAP111A。采用SO10封装。
英飞凌氮化镓开关管，IGLD60R190D1，600V耐压，导阻190mΩ，采用PG-LSON-8-1封装。焊盘加锡帮助导热。
英飞凌IGLD60R190D1支持超快开关，无反向恢复电荷，可提升系统能效，提升功率密度，支持高频运行，降低系统成本，减小EMI。支持-55-150℃温度范围。英飞凌IGLD60R190D1适用于开关电源，高密度充电器，支持软开关和硬开关，如图腾柱PFC，高频LLC和反激。
英飞凌此次公布的氮化镓充电器方案，兼顾了设计易用性和成本的通用性，可以供广大工程师参考。
峰会预告
7月30日，，届时将有多家氮化镓、碳化硅快充芯片原厂及快充产业链配套企业出席，共同探讨第三代半导体快充发展新趋势。如有参展需求，请联系邮箱：info@chongdiantou.com
「技术专题」
GaN、SiC、LLC、USB PD、QC、VOOC、DFH、Qi、POWER-Z
「拆解汇总」
1500篇拆解、无线充拆解、PD充电器拆解、移动电源拆解、PD车充拆解、充电盒拆解、氮化镓快充拆解、100W充电器拆解、100W充电宝拆解、手机快充拆解、18W PD快充拆解、20W PD快充拆解、大功率无线充拆解
「优质资源」
充电器工厂、氮化镓快充工厂、快充芯片、电源芯片、升降压芯片（充电宝）、升降压芯片（车充）、多口快充芯片、充电宝协议芯片、无线充芯片、充电盒芯片（有线）、充电盒芯片（无线）、快充电容、户外电源、氮化镓快充、20W PD快充、30W PD快充
「原厂资源」
英集芯、智融、南芯、东科、芯茂微、茂睿芯、硅动力、环球、美思迪赛、富满-云矽、亚成微、诚芯微、必易、杰华特、英诺赛科、纳微、威兆、微硕、诺威、MDD、丰宾、永铭、科尼盛、特锐祥、美芯晟、伏达、贝兰德、微源、芯仙方案
「快充工厂」
「品牌专区」
苹果、华为、小米、OPPO、vivo、荣耀、三星、mophie、ANKER、紫米、倍思、绿联、CHOETECH、ZENDURE、爱国者
「展会报道」
USB PD亚洲展、无线充亚洲展、果粉嘉年华、香港展、AirFuel无线充电大会、CES展会
商务合作联系：info@chongdiantou.com