小米推出80W无线充，国产芯片公司再刷纪录
作为无线充电技术的领军者之一，小米在3月29日的春季新品发布会上发布了小米11Pro和小米11 Ultra两款手机，同时还发布了小米80W立式无线充电座，再次刷新了无线充电功率的新纪录。
小米80W无线充电座采用倾斜设计，内置风扇通过曲面风道散热，支持手机横置和竖置充电。搭载120W充电器，可实现对小米11Pro和小米11Ultra的67W无线秒充。小米通过升压方式加大传输功率，配合机内的6：1降压电荷泵，36分钟可充满5000mAh电池，极大提升无线充电使用体验。
小米80W无线充电座采用伏达NU1513主控和伏达集成功率级NU1028芯片实现67W的大功率无线充电。这款无线充电器采用两颗功率芯片并联的方式驱动线圈，得益于伏达方案高度集成，两路线圈共使用四颗集成功率级芯片，看起来仍然非常简洁，大幅简化了产品开发生产流程。
伏达半导体一直深耕充电技术的创新和应用，推出的全桥芯片不断增加输出功率，满足越来越高的无线充电需求，同时集成相关关键功能，集成度高，简化无线充电路设计。高集成的芯片方案解决了诸多无线充电痛点，伏达半导体一骑绝尘，成为业内领先品牌。
伏达NU1513无线充电控制器，集成度非常高，将以往无线充电需要多颗芯片才能实现的功能集成在一颗控制器内部，简化无线充电器设计。
伏达NU1513是高度集成的数字控制器，集成了所有基本功能，以提供稳定的功率并与兼容WPC的接收器保持稳定的通信，可用于符合WPC EPP标准的30W无线充电发射器。该器件与NU1028配套的功率级IC一起构成了简单，高性能，高性价比的无线充电发射器解决方案。
伏达NU1028集成功率级内部集成了无线充电H桥功率管和驱动器及稳压电路，可以与伏达的无线充电主控搭配，两颗芯片即可实现完整的无线充电。
伏达NU1028是用于高集成度的高功率无线充电的集成功率级，内部集成功率全桥，驱动器，内置降压电路和稳压电路。支持无损耗高精度电流检测，用于带内通信和异物检测。集成数字解调，集成欠压和过压保护，支持完善的保护功能，支持数字I2C接口，采用4*4mm QFN封装。
充电头网总结
伏达半导体成立于2014年，是一家专注电源管理芯片开发和解决方案的高科技半导体企业。作为充电行业的领导者，伏达半导体在7年里推出了包括接收芯片、发射端控制芯片、发射端智能全桥芯片、电荷泵芯片、电源管理芯片等在内的20多款芯片，帮助诸多品牌客户，从5W到55W、67W、80W、100W……，不断刷新充电功率的记录。
凭借着深厚的技术积累、超前的产品布局以及过硬的产品品质，伏达半导体已成功进入了一线手机品牌供应链，成为小米手机无线充电配件核心供应商。目前已经陆续协助小米开发了55W立式风冷立式无线充电器、30W立式风冷无线充电器、20W立式无线充电器、20W智能追踪式无线充电器、80W立式快充、无线充电宝青春版等多款经典产品。
此外，伏达半导体还积极与Belkin、mophie、紫米、图拉斯、绿联、百思买等多家知名消费类电子品牌深入合作，推出的“一站式无线充电解决方案”，也获得了广大用户的认可，极大提高了用户的充电体验。
伏达在不断发展，也欢迎有志之士加入伏达。具体招聘岗位信息，请关注伏达半导体微信公众号(nuvolta)或官网发布，联系邮箱：hr@nuvoltatech.com。
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