干货分享：InnoGaN 33W 极致小体积解决方案
2021年4月29日，英诺赛科成功举办主题为《InnoGaN 33W 极致小体积解决方案》的在线分享会。
本次直播，英诺赛科高级产品应用经理邹艳波先生详细解读了英诺赛科此次推出的新品INN650DA04，以及基于该产品开发的33W 氮化镓快充方案设计。
以下是本次直播中英诺赛科高级产品应用经理邹艳波先生对英诺赛科技术方案的全程视频解读：
PPT资料见以下链接，感兴趣的朋友可自行下载学习：
https://pan.baidu.com/s/1CPwSv1T9y9cqsXMWxw-gsQ（提取码: b5te）
此外，针对直播过程当中网友的提问，邹艳波先生也一一做出了解答：
1、33W Demo的工作频率在120KHz，为什么不选择更高的频率，把变压器体积进一步做小？
答：这个主要是有两方面的考虑，目前来讲，33W这个功率段，工作频率提高一倍后，整体的尺寸比较小了，用户对其进一步小型化的诉求并不迫切了。另一方面是工作频率低于150KHZ的话，开关的波形的基波分量还未落入CE的测试频段，EMC的处理会更简单。
2、温度测试中GaN最高才85℃，是否可以应用在更大的功率？
答：可以应用到45W, 我们有做过相关的测试验证，45W的设计也是可以采用DA04的。
3、GaN器件散热PAD在S 极散热更好，为什么超结MOS不采用S极散热？
答：CooL MOS或者说超结MOS 其是垂直结构，上面是S极，下面的衬底是作为D极，通过下面的D极直接贴在封装框架上面，S极，通过打线到框架上面，所以与封装接触面大的是D极，所以其是依靠D极来做散热
4、关于前级EMC滤波的共模电感的选择，来用镍锌电感和猛锌电感的差异是什么？在33W的设计中，你们一般推荐采用什么材质？
答：锰锌电感感量大，对30-40MHz的低频峰值频点噪声抑制效果更好；镍锌电感的高频阻抗大，对150-160MHz的高频噪声峰值点的抑制效果更好；这里可以根据样机实际的噪声峰值的频点来选取电感材质。
5、您对快充市场特别是氮化镓快充市场的未来发展方向有哪些见解？
答：快充的功率会越来越大，功率密度提升的挑战会越来越大，会迫使快充系统的工作频率进一步提高。
同时目前的高功率的快充生产加工比较复杂，后续会更多的采用平面变压器，能实现自动化的加工。
直播过程当中还展开了短暂的话题谈论，大家就“氮化镓快充未来的发展趋势”各抒己见。为感谢大家的积极参与，英诺赛科从留言评论区随机抽取了6位幸运观众送出33W 氮化镓快充demo，中奖名单如下：
| 奖品 | 微信ID |
| 33W氮化镓快充 demo | 小波 |
| 杨北京 | |
| 奋斗 | |
| 刘宗金 | |
| Poem | |
| 李一热 |
温馨提示：在本篇文章评论区留言，点赞数前十的小伙伴将获得一个65W氮化镓充电器哦，积极参与吧，时间截止为5月1日18:00。
峰会预告
7月30日，，届时将有多家氮化镓、碳化硅快充芯片原厂及快充产业链配套企业出席，共同探讨第三代半导体快充发展新趋势。如有参展需求，请联系邮箱：info@chongdiantou.com
「技术专题」
GaN、SiC、LLC、USB PD、QC、VOOC、DFH、Qi、POWER-Z
「拆解汇总」
1500篇拆解、无线充拆解、PD充电器拆解、移动电源拆解、PD车充拆解、充电盒拆解、氮化镓快充拆解、100W充电器拆解、100W充电宝拆解、手机快充拆解、18W PD快充拆解、20W PD快充拆解、大功率无线充拆解、PD插线板拆解
「优质资源」
充电器工厂、氮化镓快充工厂、充电宝工厂、户外电源工厂、无线充工厂、快充芯片、电源芯片（内置MOS）、升降压芯片（充电宝）、升降压芯片（车充）、多口快充芯片、充电宝协议芯片、无线充芯片、充电盒芯片（有线）、充电盒芯片（无线）、快充电容、氮化镓快充、20W PD快充、30W PD快充
「原厂资源」
英集芯、智融、南芯、东科、芯茂微、茂睿芯、硅动力、环球、美思迪赛、富满-云矽、亚成微、诚芯微、必易、杰华特、沁恒、芯海、英诺赛科、纳微、威兆、微硕、诺威、MDD、丰宾、永铭、科尼盛、特锐祥、美芯晟、伏达、贝兰德、微源、芯仙方案
「快充工厂」
「品牌专区」
苹果、华为、小米、OPPO、vivo、荣耀、三星、mophie、ANKER、紫米、倍思、绿联、CHOETECH、ZENDURE、爱国者
「展会报道」
USB PD亚洲展、无线充亚洲展、果粉嘉年华、香港展、AirFuel无线充电大会、CES展会
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