快充小型化成为主流，全球30家原厂推出内置MOS快充芯片

就在前不久召开的苹果春季新品发布会上，除了AirTag、Apple TV 4K高清电视盒、M1处理器iMac、M1处理器iPad Pro等诸多新品之外，苹果还推出了紫色版的iPhone 12。不过意料之中的是，依然没有标配充电器。

说到手机不标配充电器，这堪称是苹果的一大壮举。早在2020年秋季新品发布会上，苹果就一口气推出了iPhone 12、iPhone 12 mini、iPhone 12、iPhone 12 Pro以及iPhone 12 Pro Max四款机型，全部取消了标配充电器。不仅如此，就连苹果官网在售的iPhone SE、iPhone 11、iPhone XR七款机型均不再附赠充电器。

苹果原装20W PD快充充电器目前在苹果官网的售价为149元。高昂的价格让众多手持新机的用户望而止步，要么选择使用旧款充电器，要么转而购买第三方品牌。

一、20W PD快充需求强劲

根据权威市调机构IDC发布的最新数据显示，2020年全球智能手机出货量达12.9亿部，其中iPhone的销量就达到了2.061亿台。据测算，自iPhone 12系列取消标配充电器以来，已经给市场增加了上亿台没有充电器的USB PD快充设备，也让数十亿规模的PD快充配件的市场得到释放。

此外，瑞士联合银行（UBS）预测2021年苹果iPhone的出货量将达到2.15亿部，同比增长13.5%。这意味着市场将对PD快充配件继续保持强劲的需求。

据了解，目前苹果旗下已有14款支持USB PD快充的iPhone机型，不标配充电器的策略导致市场供求关系严重失衡，同时也让第三方快充配件市场变得异常活跃，大批第三方快充配件厂商疯狂涌入。

在iPhone上市后的很长一段时间内，第三方20W PD快充单品月销10万件变得十分普遍。即使现在已经过去半年时间，20W PD快充依然是产业链大部分企业重点布局的产品线。

二、内置MOS电源方案的优势

对于快充而言，芯片的重性不言而喻。尤其是在这个快充芯片严重缺货的年份，几乎是得芯片者得市场，没有为芯片卖不出去发愁的。

当然，对于开发热门的20W PD快充而言，除了芯片性能要靠谱之外，价格也是各大快充电源厂商关注的重点，毕竟高性价比的快充电源方案，一直都备受市场追捧。内置MOS快充电源芯片在这一市场中优势凸显，凭借高度集成带来的精简外围，迅速获得市场认可，在20W PD快充市场中大展身手。

通过对比可以看到，基于内置MOS电源芯片开发的20W PD快充方案，其外围电路变得十分简单。一方面也可以省去一大笔物料成本，另一方面也降低了PCB板布局的难度，加速产品上市。同时还更容易完成迷你PD快充充电器的开发，实现差异化的设计。

三、30家厂商推出160+内置MOS方案

在此之前，充电头网通过《快充芯片大缺货：全球原厂大盘点！》为大家分享了全球范围内主流的快充协议芯片供应商。今天继续围绕20W PD快充，分享最新的内置MOS的AC-DC快充电源解决方案。

据充电头网不完全统计，目前市售热门的USB PD快充专用AC-DC电源芯片已经多达161款，其中包含初级主控芯片83款，次级同步整流芯片68款，另有集成初次级的合封芯片10款。这些内置MOS的高集成电源芯片分别来自南芯、东科、芯茂微、茂睿芯、硅动力、环球、美思半导体、亚成微、诚芯微、必易、杰华特、PI、士兰等30家国内外半导体厂商。

需要指出的是，本次统计到的AC-DC电源厂商中，大部分均可提供初级和次级的全套解决方案，这也让快充电源厂商在方案选择上变得更加容易。并且采用同一家的AC-DC套片，有利于优化整体方案各方面性能，甚至部分企业还可提供快充协议芯片，有利于加速产品上市。

为了让大家在方案选择时有更多的参考，充电头网也将各家方案的经典应用案例进行了汇总整理（以下排名不分先后，仅按品牌英文首字母排序）。

AOS万国半导体

初级芯片：

1、万国半导体AOZ7635

AOS万国半导体AOZ7635集成控制器和初级开关管，内置开关管导阻0.9Ω，耐压700V，内置逐周期电流限制，内建多重保护功能，采用增强散热的17-pin 6×6 QFN封装。

应用案例：

次级芯片：

1、万国半导体AOZ7635

AOS万国半导体AOZ7648集成同步整流控制器和同步整流管，及反馈控制等多种保护功能。内置9mΩ低导阻 NMOS管用于同步整流，采用增强散热的38-pin 6×6 QFN封装。这款次级反馈IC并未采用常见的光耦反馈，而是采用了更加可靠的磁耦合传输技术，与Y电容平行的小板就是一个平板变压器。

应用案例：

APD SEMI矽力科技

初级芯片：

1、矽力科技AP205B

矽力科技AP205B是一款内置MOS外围简单高效的AC-DC芯片，有恒功率和恒压两种模式选择，2.4ohm，1.8ohm，0.9ohm三种内置mos供选择，很好的EMC特性，高压和低压的OCP一致性非常好，50mW以内的超低待机功耗，轻松通过欧洲六级能效，完美的保护功能。

应用案例：

次级芯片：

1、矽力科技AP405B

矽力科技AP405B是一款内置MOS外围简单高效的SR同步整流芯片，支持三种模式工作CCM/DCM/QR，无需辅助绕组，芯片高压自供电技术，使得AP405B完美支持输出电压低到3v，内置mos的驱动电压始终维持在9v，确保高效率工作， 外围最简单，可以正端接法或负端接法，外围仅需一个0.22uF电容，完美的保护功能，目前已经被飞利浦等很多品牌客户认可和量产。

应用案例：

CHIPHOPE芯茂微电子

次级芯片：

1、芯茂微LP20R100S

Chip-hop芯茂微的高性能副边同步整流驱动芯片LP20R100S，这款芯片适用于AC-DC的同步整流应用，适用于正激系统和反激系统，此外支持DCM，BCM，QR，和CCM多种工作模式，耐压100V，芯片内集成VCC供电。

应用案例：

2、芯茂微LP15R060SD

芯茂微LP15R060SD内置次级同步整流控制器和耐压60V同步整流MOS，支持DCM和CCM多种工作模式，采用SOP7L封装。

应用案例：

Chipown芯朋微电子

初级芯片：

1、芯朋PN8160

PWM主控芯片采用的是芯朋微电子的PN8160，内部集成了电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。需要超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个先进的实现平台，非常适合六级能效、CoC Tier 2应用，PCB背面露铜帮助散热。

应用案例：

2、芯朋PN8161

芯朋PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动功能。

芯朋PN8161通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。

应用案例：

（13）拆解报告：ZYXEI迷你20W快充充电器

3、芯朋芯朋PN8162

芯朋微PN8162芯片内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。

应用案例：

次级芯片：

1、芯朋PN8307H

芯朋PN8307H内置同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管，电压降极低的功率MOSFET可以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。

芯朋PN8307H内置12mΩ60V耐压同步整流管，适用3.6V-20V常用适配器输出，适用于QC3.0适配器及其他固定电压输出的适配器。该芯片还集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启、最小导通时间等功能。

应用案例：

（13）拆解报告：ZYXEI迷你20W快充充电器

CRESEMI康源半导体

初级芯片：

1、康源CRE6959UHS8

康源CRE6959UHS8系列该芯片可以帮助客户以较少的外围元器件、较低的系统成本设计出高性能的交直流转换开关电源。该芯片具备过流、过载、过温、软启动、VDD过压/欠压锁定等多重保护功能；具备自动识别负载大小，调整工作模式的功能，芯片内置控制器和开关管，待机功耗低，应用广泛。

应用案例：

CXW诚芯微

初级芯片：

1、诚芯微CX7509

诚芯微CX7509芯片内置 650V 高压功率 MOSFET，应用于功率在 18W 以内的方案。 在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以此来减小待机时的功耗。并且芯片内置包括逐周期限流保护（OCP）、过载保护（OLP）、过压保护（VDD OVP）、VDD 过压箝位，欠压保护（UVLO）、过温保护（OTP）等在内的多种保护功能，通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的EMI 特性和开关的软启动控制。

应用案例：

2、诚芯微X7527C

诚芯微X7527C是一颗高性能多模式PWM反激式控制器。该产品方便用户以较少的外围元器、较低的系统成本设计出高性能的交直流转换开关电源。其提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括逐周期过流保护、过载保护、软启动、芯片过温保护、VDD欠压/过压锁定保护功能。

应用案例：

次级芯片：

1、诚芯微CX7538B

诚芯微CX7538B是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流器芯片，在开关电源中轻松满足6级能效，是肖特基的理想替换方案。CX7538B支持最高150KHz开关频率，内置11mΩ低导阻NMOS管，发热远低于肖特基二极管，大幅度降低温度，提高转换效率。

应用案例：

DONGKE东科半导体

初级芯片：

1、东科DK218M

东科DK218M是一款符合6级能效标准的次级反馈、反激式AC-DC高性能准谐振开关电源控制芯片。其内部集成了650V高压开关功率管，同时还包含有准谐振检测、SLEEP 超低待机、自供电等电路，并具有输出短路、次级开路、过温、光耦失效、输出过压等保护功能。芯片采用高集成度的CMOS电路设计，具有外围元件极少，变压器设计简单（隔离输出电路的变压器只需要两个绕组）等特点。

相关阅读：

次级芯片：

1、东科DK5V85R15C

东科DK5V85R15C是一款简单高效率的同步整流芯片，只有A，K两个引脚，分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了85V功率NMOS管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。

应用案例：

2、东科DK5V100R15M

东科高性能两个引脚同步整流芯片DK5V100R15M。这是一款简单高效率的同步整流芯片，只有A，K两个引脚，分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了100V功率NMOS管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。芯片采用SM-10封装。

应用案例：

3、东科DK5V100R20C

东科DK5V100R20C是一款简单高效率的同步整流芯片，只有A，K两个引脚，分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了100V功率NMOS管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。此外该芯片采用SM-7封装（兼容TO-277封装）。

应用案例：

4、东科DK5V100R25C

东科DK5V100R25C是一款简单高效率的同步整流芯片，只有 A、K 两个引脚，分别对应肖特基二极管PN引脚。芯片内部集成了100V功率 NMOS 管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上同等规格的肖特基整流二极管。

应用案例：

DIODES达迩

初级芯片：

1、达迩AP39303

达迩AP39303主控芯片。

应用案例：

次级芯片：

1、达迩APR34709

达迩APR34709同步整流芯片。

应用案例：

Depuw德普微电子

初级芯片：

1、Depuw德普微DP2367

Depuw德普微高度集成、离线式电流模式控制功率开关DP2367，内置650V耐压MOS管。

应用案例：

iCM创芯微

初级芯片：

1、创芯微CM1765

创芯微CM1765是一颗支持多种工作模式的高性能次级反馈的开关电源芯片，内置650V开关管，适用于20W以内的开关电源。CM1765可根据输入电压，输出电压和负载，自动切换PWM，PFM和突发模式运行。可实现全电压范围，全负载范围的效率优化。CM1765内置抖频和调频控制，以优化电源系统的EMI。

次级芯片：

1、创芯微CM1622

创芯微CM1622是一颗高性能同步整流芯片，可替代肖特基二极管，降低损耗，提高系统效率。CM1622支持CCM/DCM/QR等多种工作模式，外围元件只需一颗电容，无需辅助供电绕组，可大幅简化设计。

JOULWATT杰华特

次级芯片：

1、杰华特JW7719A

杰华特JW7719A同步整流芯片，内置MOS，耐压100V，10mΩ导阻。

应用案例：

2、杰华特JW77186B

杰华特JW77186B，集成60V/13mΩ MOS，支持CCM、DCM、QR模式。

应用案例：

Lii力生美

初级芯片：

1、Lii力生美LN9T39HV

力生美LN9T39HV是一款高供电电压范围、高性能、高集成度电流模式PWM控制器功率开关，可以方便地在诸如PD/QC等宽输出电压变化范围的开关电源应用中构建满足CoC V5及DoE 6级能效的低待机功耗、低成本、高性能的解决方案。

应用案例：

次级芯片：

1、力生美LN5S18

力生美LN5S18是高性能 SR 同步整流功率开关系列产品，产品内置超低 RdsON MOSFET，内置 TrueWareTM 技术，兼容 CCM/DCM/QR 等各种反激电源工作模式，内置 MOSFET 耐压更高达 80V，可在宽达 5~15V 的应用中实现理想二极管整流效果，是 USB Type-C PD 及 QC 快充等应用的极佳选择。

应用案例：

2、力生美LN5S21A

力生美LN5S21A内置同步整流MOS和控制器，内置MOS耐压105V，导阻10mΩ，可以提高整机转换效率。

应用案例：

2、力生美LN5S21B

力生美LN5S21B内置同步整流MOS和控制器，内置MOS耐压105V，导阻8mΩ，可以提高整机转换效率。

应用案例：

KIWI必易微

初级芯片：

1、必易微KP22306SGA

必易微KP22306SGA芯片内置650V 1.5R高压MOSFET，集成输入欠压 （BOP）、过压保护 （OVP），超宽VDD工作范围：8V-40V，满足20W快充要求。该芯片支持高压启动，专利轻载模式实现超低待机<30mW；准谐振控制、最高工作频率 80kHz；专利的EMC抖频设计，EMC Easy Pass；谷底锁定功能，轻载静音工作；输出过流点自适应调节；内置斜率补偿、过流点补偿等。

应用案例：

2、必易微KP22308WG

必易微KP22308WG是一款针对离线式反激变换器的高性能准谐振电流模式PWM转换芯片，集成有高压启动电路，可以获得快速启动和超低待机的性能，芯片支持8-40V的VDD供电，方便满足宽电压输出电源的要求，芯片顶部大面积露铜加锡散热。

应用案例：

次级芯片：

1、必易微KP41262

必易微KP41262是一款用于替代反激变换器中副边肖特基极管的高性能同步整流功率开关，内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。支持High Side和Low Side配置，同时支持系统断续工作模式(DCM)和准谐振工作模式(QR)。

应用案例：

MIX-DESIGN美思半导体

初级芯片：

1、美思半导体MX6590

美思迪赛半导体MX6590芯片将700V高压功率MOS集成在一个SOP-7的封装内，微小的SOP-7封装芯片内置功率器件和PWM控制器，在无需任何散热片的情况下及宽电压条件下输出20W的额定功率，是一颗很优秀的电源功率控制芯片。

应用案例：

2、美思半导体MX6911

美思半导体MX6911是一款高性能开关电源控制器，专为高度集成的快充适配器设计，为高效率，低待机功耗而优化。其内置超级硅功率开关器件和数模电源控制单元及Smart-Feedback模块，该IC引脚设计为了保证高低压引脚的绝缘距离，采用了高低压脚分离设计，把中间两个引脚空起来增加安全性。

应用案例：

3、美思半导体MX6913

美思半导体MX6913是一款超高集成度高性能内置超级硅器件的开关电源控制器芯片，优异的转换效率无需辅助散热方式，专为高度集成小体积的快充适配器设计，为高效率，低待机功耗而优化。

应用案例：

次级芯片：

1、美思半导体MX5480

美思半导体MX5480是业界首颗集成同步整流控制器、同步整流MOS管、多协议处理三大功能的次级芯片。MX5480支持USB PD快充A+C解决方案，支持QC、PD和其它多个私有快充协议。该芯片仅仅14个Pin脚确将次级协议和同步整流一切必要的功能All in one，用外部最少的Pin脚完成极复杂的功能。

应用案例：

MERAKI-IC茂睿芯

次级芯片：

1、茂睿芯MK91736

茂睿芯的MK9173系列是一款高性能的同步整流功率开关，集成N沟道功率MOS，适用于隔离型的同步整流应用。尤其适用于充电器中需求高效率的场合，并兼容CCM、DCM和QR模式。此外MK9173X采用自主知识产权的自供电电路，可灵活的放置在输出正端或输出负端。放置在正端时，亦无需格外的辅助绕组。

MK9173的10ns关断延时以及高达4A的下拉电流帮助系统可靠工作于CCM 模式。其自主知识产权的开通及关断机制，可以最大化外驱MOSFET的导通时间以获得尽可能高的效率。并且自主检测DCM振铃，防止误开通。

应用案例：

2、茂睿芯MK91738

茂睿芯MK91738是一款支持CCM的高性能同步整流功率开关，集成10mΩ 60V同步整流MOS，适用于隔离型的同步整流应用，尤其适用于充电器中续需求高效率的场合，兼容CCM、DCM和QR模式。MK91738可以灵活的放置在输出正端和输出负端，放置在正端时，无需额外的辅助绕组。

应用案例：

2、茂睿芯MK1716

次级同步整流芯片采用茂睿芯MK1716，这款芯片集成了次级同步整流控制器和16mΩ/100V规格同步整流MOS。茂睿芯MK171X系列是一款高性能的同步整流功率开关，集成N沟道功率MOS，适用于隔离型的同步整流应用。尤其适用于充电器中需求高效率的场合，并兼容CCM、DCM 和QR模式。

应用案例：

MicrOne微盟电子

初级芯片：

1、微盟电子ME8115

微盟ME8115，内置MOS。

应用案例：

On‐Bright昂宝

初级芯片：

1、昂宝OB2631U

昂宝OB2631U内部集成DCM PWM控制器和高压开关管，为高性能低待机功耗以及低成本开关电源而优化。此外提供完整的保护功能，包括逐周期电流限制，过载保护，欠压闭锁和内部过热保护。适用于PD适配器和其他宽输出范围的适配器。

应用案例：

2、昂宝OB2365TCP

主控芯片采用昂宝OB2365TCP，内置PWM控制器和高压功率MOS管。

应用案例：

次级芯片：

1、On‐Bright昂宝OB2004Ax

次级同步整流芯片采用昂宝OB2004Ax，其内置NMOS，支持3-12V输出，集成度高。

应用案例：

Power integrations

初次级一体芯片：

1、PI SC1263K6

PI SC1263K6，苹果的定制型号。

应用案例：

2、PI SC1224K

PI SC1224K内置反激式控制器、初级开关管，以及次级测检测和同步整流控制器。

应用案例：

3、PI SC1548C

PI SC1548C内置反激式控制器、初级开关管，以及次级测检测和同步整流控制器，内置带HIPOT隔离保护的集成反馈链路，集成度非常高。

应用案例：

4、PI SC1702C

PI PWM主控芯片SC1702C，内部集成控制器，开关管和同步整流控制器。

应用案例：

5、PI SC1933C

PI SC1933C属于PI InnoGaN 系列，这个是PI推出的首款GaN电源产品，标志着GaN元件在USB PD快充电源上得到全面应用，其高频率低损耗的优势，能够提高充电器的功率密度，减小体积和重量，更加便于携带。

应用案例：

6、PI SC1936C

PI SC1936C是PI最新发布的内置氮化镓功率器件的PowiGaN主控芯片，宽电压范围下，适配器壳体中最大75W连续功率。

应用案例：

7、PI INN2215K

PI INN2215K是离线CV/CC反激开关集成电路，集成了650V MOSFET，Sync-Rect反馈和用于USB-PD和QC 3.0的恒功率分布图，大大简化了低压大电流电源特别是小尺寸和高效率电源的开发和制造，可用于最大20W的充电器应用。

应用案例：

8、PI INN3265C

PI的电源主控芯片INN3265C内置了控制器，开关管以及次级同步整流控制器，集成度高，可用于最大22W的充电器应用。

应用案例：

9、PI INN3266C

充电器主控芯片来自PI的初级主控芯片，型号INN3266C，其内置了控制器，开关管，次级同步整流控制器，集成度高，可用于最大27W的充电器应用。

应用案例：

10、PI INN3268C

PI INN3268C片内置了PWM主控、高压MOSFET以及次级同步整流控制器以及反馈电路等，无需光耦，外围简洁，可用于最大50W的充电器应用。

应用案例：

Reactor-Micro亚成微

初级芯片：

1、亚成微RM6715S

亚成微RM6715S是一种自供电双绕组离线式开关电源管理芯片，内置高压 MOSFET及电流模式 PWM+PFM 控制器， 满足六级能效标准。同时，RM6715S内置高压启动电阻，专利技术为VCC供电，无需外部辅助绕组，节约设计成本。

应用案例：

2、亚成微RM6717S

亚成微RM6717S是一种双绕组离线式开关电源管理芯片，内置高压MOSFET及电流模式PWM+PFM控制器，满足六级能效标准。同时，该芯片内置高压启动电阻，采用VCC自供电技术，无需外部辅助绕组，节约设计成本。

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3、亚成微RM6514S

亚成微电子RM6514S是一种离线式开关电源管理芯片，内置电流模式PWM+PFM控制器，内置耐压650V高压MOS管，可满足6级能效标准，SOP-7封装。

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次级芯片：

1、亚成微RM3403SH

亚成微RM3403SH内部集成同步整流MOS管，集成度同样很高，并支持DCM、CRCM、CCM和准谐振等多种工作模式。

应用案例：

2、亚成微RM3414SH

亚成微RM3414SH通过驱动内部MOSFET，效率较传统的二极管整流器有显著提高。当RM3414SH感应到内部MOSFET的VDS小于-300mV时，它打开内部MOSFET，一旦VSWS大于-7mV，RM3414SH关闭内部MOSFET，可支持DCM、CrCM、CCM和准谐振等多种工作模式。

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3、亚成微RM3412SH

亚成微RM3412SH内置次级同步整流控制器和同步整流管，耐压60V，导阻8mΩ，SOP-8封装。

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Silan士兰微电子

初级芯片：

1、士兰SDH8666Q

士兰SDH8666Q是士兰微电子新一代SSR反激控制芯片，采用了自有专利EHSOP5贴片封装，内置高压大功率MOSFET，导阻0.55Ω，可广泛适用于36W适配器或48W开放环境，包括通用适配器、快充、显示器和平板电视等，此前充电头网已经对该款芯片进行相关报道。

应用案例：

Si-Power硅动力

初级芯片：

1、硅动力SP6638HF

Si-Power硅动力的高性能、低功耗开关电源控制芯片SP6638HF，内置初级开关MOS，用于功率在18W以内的方案。SP6638HF是国内首款内置MOS支持恒功率模式的18W快充芯片，采用行业领先的3D封装技术。配套同步整流芯片SP6518F：内置80V/10mΩ低压MOS，带自供电工作模式，完美支持PPS。

应用案例：

2、硅动力SP6639HF

硅动力SP6639HF是一颗电流模式PWM控制芯片，内置功率MOSFET，使用 SOP8无铅封装，用于功率在27W以内的方案。

应用案例：

2、硅动力SP6648HF

PWM主控芯片采用无锡硅动力SP6648HF，这是一颗电流模式PWM控制芯片，其内置650V高压功率MOSFET，应用于功率在18W以内的方案。SP6648HF在PWM模式下工作于固定开关频率，这个频率是由内部精确设定。在空载或者轻载时，工作频率由IC内部调整。芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率。

应用案例：

3、硅动力SP6649HF

硅动力SP6649DF是一颗电流模式PWM控制芯片，内置650V耐压的超级硅功率管，可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率；内置多种保护，通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的EMI特性和开关的软启动控制；采用SOP8封装。

应用案例：

（3）拆解报告：奥睿科20W USB PD快充充电器

次级芯片：

1、硅动力SP6516F

硅动力SP6516F次级同步整流芯片，内置耐压60V的NMOSFET同步整流开关，且具有极低的内阻，典型RdsON低至11mΩ，可提供系统高达3A的应用输出，工作电压范围宽，支持多种工作模式，应用方便。

应用案例：

（1）拆解报告：奥睿科20W USB PD快充充电器

2、硅动力SP6518F

硅动力SP6518F是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路。在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。芯片可支持高达150kHz的开关频率应用，并且支持CCM/QR/DCM等开关电源工作模式应用，其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度。

应用案例：

3、硅动力SP6536F

硅动力SP6536F是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路，在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。

应用案例：

Shengting盛廷微

初级芯片：

1、盛廷微D8549DF

应用案例：

充电头网总结

iPhone 12系列是苹果首批应用了5G技术的机型，同时在其他各方面的性和使用体验都有大幅提升，因此受到众多消费者追捧。据分析师介绍，iPhone 12系列上市后，苹果手机在2020年第四季度的出货量，达到了苹果自2015年第四季度发布iPhone 6S以来，在中国市场的最高出货记录。

2020年达成全年2亿的出货量，iPhone 12系列的功劳巨大。而作为苹果iPhone 12系列的最佳搭档，20W PD快充市场也在过去的半年中迎来了大爆发。上亿只快充充电器的需求得到释放，让成百上千家快充供应链企业从中获益。

在iPhone 12发布前，充电头网就预测了这一市场趋势，并分享了《iPhone12不标配充电器，这24家快充电源芯片企业赚大发》。短短几个月时间，市场热门的内置MOS电源芯片从原来的116款迅速发展至现在的161款，基于该类方案开发的充电器案例也多达上百款，并且还可以看到很多新晋品牌入局。

同时也足以见得，内置MOS的快充电源方案凭借精简的外围、方便生产、高性价比等属性，已经成为20W快充市场的主流选择。

随着iPhone 12出货量持续增长，电源芯片产业呈现出百花齐放的局面。而目前粤港澳大湾区已经成为了世界快充之都，其丰富的配套资源也为本土电源芯片企业的发展提供了良好的外部环境。

峰会预告

7月30日，，届时将有多家氮化镓、碳化硅快充芯片原厂及快充产业链配套企业出席，共同探讨第三代半导体快充发展新趋势。如有参展需求，请联系邮箱：[e-mail]

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