士兰微推出内置MOS初级控制器SDH8666：缩小USB PD充电器体积

充电头网编辑部充电头网 2020-08-23

展会提醒：2019（秋季） USB PD＆Type-C亚洲展

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士兰微电子推出了内置大功率MOSFET的SSR反激电源管理芯片SDH8666Q系列，该系列产品是士兰微电子新一代SSR反激控制芯片，采用了自有专利EHSOP5贴片封装，内置高压大功率MOSFET，可广泛适用于36W适配器或48W开放环境，包括通用适配器、快充、显示器和平板电视等。

EHSOP5优势突出

此次推出的SDH8666Q系列产品有诸多优势：
1、产品采用自有专利EHSOP5贴片封装，更适于自动化生产；
2、封装厚度仅为1.6mm，是TO252封装的2/3，对外壳温升影响更小；
3、Rthja为60℃/W，与TO252相当，而Rthjc仅为1.05℃/W，是TO252封装的1/2，更有利于散热。

封装效果如下图所示：

内置专利高压

此外，该系列产品内置了专利高压EDMOS，也采用了专利高压启动控制电路，省略传统电路的启动电阻，待机功耗低至40mW，具有快速启动，轻载高效等优点。在启动过程中采用高压耗尽型MOSFET进行高压充电，芯片启动后高压启动控制器控制该MOSFET关断，相比其他高压启动方式可靠性更高，更易通过雷击浪涌测试。

全系列产品满足CoC V5 Tier 2能效，采用了QR+PWM+PFM+Burst Mode控制模式。其中，产品优化了QR模式抖频控制，在系统工作于CCM或QR模式时采用不同的抖频策略，优化抖频控制，降低系统EMI噪声。QR模式下，采用优化抖频后的IC比无抖频IC的传导噪声低5dB左右。

值得注意的是，该系列产品具有VCC HOLD功能，防止轻载或动态切换时芯片欠压重启，产品还具有完善的保护功能，包括VCC OVP, OCP, OTP, Brown In/Brown Out，输出OVP，原边电流采样电阻短路保护，输出短路保护，副边整流管短路保护等。目前该系列电路已经大批量销售，获得了市场的青睐。

SDH8666Q（内置高压启动电路）典型应用

SD8666QS的典型应用

12V/3A DEMO（75mm*45mm*23mm）正面

12V/3A DEMO（75mm*45mm*23mm）背面

文章来源：杭州士兰微电子股份有限公司

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2019（秋季） USB PD＆Type-C亚洲展

将在8月23日于中国-深圳举办

老朋友一个不少，新朋友纷至沓来！

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部分参展商预告：

A区（已抢空）

泓森精密（展位号A01）、赛普拉斯（展位号A02）、南芯（展位号A03）、贝奇科技（展位号A04）、通嘉科技（展位号A05）、吉祥腾达（展位号A06）、裕金电子（展位号A07）、英诺赛科（展位号A08）、芯茂微（展位号A09）、茂睿芯（展位号A10）、Power Integrations（展位号A11）、富满电子（展位号A12）、ABOV（展位号A13）、意丰精密（展位号A14）、华科隆（展位号A15）、天钰科技（展位号A16）、速芯微（展位号A17）、宝砾微（展位号A18）、威锋电子（展位号A19）、伊凡微（展位号A20）、英集芯（展位号A21）、首诺信（展位号A22）、力堃科技（展位号A23）、绿宝石（展位号A24）、坤兴（展位号A25）、康源（展位号A26）、沁恒（展位号A27）、恒泰柯（展位号A28）、东科（展位号A29）、UL（展位号A30）、金道微（展位号A31）、智融（展位号A32）

B区（已抢空）

慧能泰（展位号B01）、万京源（展位号B02）、泰普生（展位号B03）、微测（展位号B04）、昂盛达（展位号B05）、微盟（展位号B06）、新斯宝（展位号B07）、芯朋（展位号B08）、精拓（展位号B09）、DIODES（展位号B10）、研吉（展位号B11）、创惟科技（展位号B12）

C区（仅剩2席）

沃尔德（展位号C01）、俊凯达（展位号C02）、仁越（展位号C03）、优微（展位号C04）、博闻创意（展位号C06）、金晟欣（展位号C07）、智微（展位号C09）、德立华（展位号C10）、矽米亚尔（展位号C11）

D区（火热报名中）

泰尔认证中心（展位号D11）

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