纳微半导体助力倍思100W QC5快充充电器上市
近日，倍思推出了全球首款支持QC5快充协议的氮化镓充电器，具备100W大功率输出，对支持PD快充的笔记本可以高速充电，并且可为主流手机实现大功率快速充电。充电头网已经对倍思100W充电器进行了评测和拆解。
倍思这款支持QC5快充的充电器内部采用了纳微半导体的GaNFast氮化镓芯片进行功率因数校正，在充电器减小体积上，纳微半导体的氮化镓芯片起到了非常积极的作用。
这款支持QC5快充协议的100W氮化镓充电器，采用和倍思氮化镓充电器家族一致的设计ID，白色的壳体依旧非常简约。得益于内部使用纳微半导体的氮化镓器件，体积和重量也得到了很好的控制。并且还支持折叠插脚，对于收纳携带也是非常的友好。
倍思100W QC5充电器与2021年3月10日获得高通QC5认证证书，证书编号：4789827623-2。
倍思100W QC5充电器采用PFC+QR反激的架构，由协议芯片控制光耦反馈输出电压，减小体积。PFC升压开关管采用了纳微NV6125氮化镓功率芯片，其内置驱动器，无需外置驱动器，外围元件精简。内置的氮化镓开关管具有175mΩ导阻，耐压650V，支持2MHz开关频率。纳微NV6125采用散热增强的QFN6*8mm封装，适用于升压、降压、半桥、全桥开关电源等诸多应用场合。
纳微NV6125具有增强散热的焊盘设计，并可在使用电流传感电阻时仍然具有增强的散热效果，导通速率可调节。内置的氮化镓开关管额定工作电压650V，峰值耐压800V，在系统中具有更高的可靠性。NV6125具有0.85mm厚度的超薄封装，可简化散热设计，减少外壳温升，提高用户体验。
充电头网总结
纳微是首家在氮化镓衬底上制造开关管和驱动器的半导体公司，通过整合开关管和逻辑电路在一个封装内部，可得到更低的寄生参数，更短的响应时间。这些优势体现到器件上就是更高的工作频率，更稳定的开关，更迅速的保护。以上优势可提升产品的功率密度，保证产品的可靠性。
纳微半导体在GaN器件、芯片设计、封装、应用和系统的所有方面已发布和正在申请的专利超过120项，已完成生产并成功交付了超过2000万颗GaNFast氮化镓功率芯片，故障率为零，产品质量和出货量全球领先。
峰会预告
7月30日，，届时将有多家氮化镓、碳化硅快充芯片原厂及快充产业链配套企业出席，共同探讨第三代半导体快充发展新趋势。
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