英诺赛科布局全功率段快充，一大波新品来袭！

自从氮化镓，碳化硅的宽禁带优势被充分利用后，高性能第三代半导体材料迅速改变了我们的生活。小而快的充电设备成为大众所需，各种快充技术不断涌现。效率高、体积小的氮化镓快充应运而生，迅速成为行业焦点，快充市场也随之成为第三代半导体发展的重要增长点。

英诺赛科作为全球领先的硅基氮化镓IDM企业，当前出货量已突破1500万颗，其中应用于快充的高压器件已经被联想、努比亚、魅族、Lapo、ROCK、REMAX、品胜、MOMAX、QCY等多家知名品牌和厂商的上百款产品所采用，出货量达900万颗，成为全球GaN功率器件出货量最大的品牌之一。在即将到来的快充产业峰会上，英诺赛科也将同步展示适应全功率段的主推氮化镓功率器件INN650D150A、INN650DA150A、INN650D260A、INN650DA260A，搭配超薄的DFN封装，实现高密度、高频、高可靠性、简洁的快充方案设计。

下面就来具体看看这四个器件的性能优势。

INN650D150A

这是一颗耐压650V的氮化镓高压单管，瞬态耐压750V，得益于工艺改进，相比英诺赛科之前的氮化镓器件，性能有明显的提升，导阻典型值为115mΩ。

INN650D150A支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。同时，INN650D150A采用DFN8*8封装，可直接替换INN650D01和INN650D02等。

INN650DA150A

INN650DA150A采用DFN5*6封装，耐压650V，瞬态耐压750V，导阻典型值为115mΩ。参数与上一款产品一致，封装由DFN8*8缩小为DFN5*6，性能不变体积更小。

INN650DA150A具有极低的热阻，搭配DFN5*6封装，可应用于高功率密度场合，提供高功率输出。支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。

INN650D260A

INN650D260A是INN650D02的升级产品，性能升级导阻更低，耐压650V，瞬态耐压750V。

INN650D260A支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。

INN650DA260A

这是一颗耐压650V的氮化镓高压单管，瞬态耐压750V，得益于工艺改进，相比英诺赛科之前的氮化镓器件，性能有明显的提升，适用于65-120W的反激架构，120-200W的LLC架构。

INN650DA260A支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。

INN650DA260A采用DFN5*6封装，相比DFN8*8，体积明显减小，功率密度有较大提升。可用于开关电源、DC-DC转换、图腾柱PFC、电池快充、高能效高功率密度功率转换应用。

英诺赛科本次推出的新品，在导阻上做了大幅升级，其中耐压均为常用的650V，具有两种导阻规格，并且分别具有两种封装，适用于不同功率的开关应用。DFN8*8可用于替换老产品升级性能，也可以采用DFN5*6封装于新设计，实现更高的功率密度。

在半导体国产化的大时代背景下，借助USB PD普及的东风，英诺赛科InnoGaN系列产品在消费类电源大放异彩，为客户推出先进的氮化镓解决方案，并与合作伙伴共同推出优秀的氮化镓应用方案，助力第三代半导体器件普及。作为行业内唯一一家高低压产品同时量产出货的公司，英诺赛科功率器件被广泛应用于多个新兴领域，如快充、5G通信、人工智能、自动驾驶和数据中心等。在这些领域中，发挥氮化镓的优势，提高电源效率。通过高效率的电源转换，推动绿色低碳发展。、

全球第三代半导体快充产业峰会（7月30日）即将拉开序幕，英诺赛科（展位号：B03-B04）期待为您展示最全、最新、最高效的产品与解决方案！

峰会预告

7月30日，，届时将有多家氮化镓、碳化硅快充芯片原厂及快充产业链配套企业出席，共同探讨第三代半导体快充发展新趋势。

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