2021全球第三代半导体快充产业峰会精彩回顾
7月30日，由充电头网、第三代半导体产业技术创新战略联盟联合主办的 2021全球第三代半导体快充产业峰会在深圳成功举办。本次峰会汇聚了众多氮化镓、碳化硅企业，以及多家第三代半导体快充控制芯片供应商、方案商等。
展会现场汇聚了数十家快充产业优质供应商展示最新的快充产品，其中包括24家氮化镓快充芯片原厂、7家碳化硅芯片原厂以及多家方案商、电容、快充工厂，可为第三代半导体技术在快充领域的量产，提供一整套完整的解决方案。
此次峰会还邀请了10位技术专家介绍最新的快充技术，并分享如何基于氮化镓、碳化硅功率器件实现快充电源的小型化、轻薄化设计。
10位演讲嘉宾分别来自：第三代半导体产业技术创新战略联盟、东科、基本半导体、南芯、英诺赛科、纳微半导体、镓未来、美浦森、凯泽鑫、百佳泰。
峰会现场精彩纷呈、座无虚席。
第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长 于坤山
第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长 于坤山为大家带来了《第三代半导体助力国家“双碳”战略》主题分享。
于坤山秘书长在演讲中介绍到，2030年我国力争达到碳达峰，努力争取在2060年前实现碳中和。在新能源为主题的“新型电力系统“中，第三代半导体功率器件，将在新能源发电，能源互联网，微网与智能用电环节起到优化系统结构、提高转换效率、减小设备体积的重要作用。
目前我国第三代半导体产业分布在京津冀、长三角、闽三角、珠三角和中西部。第三代半导体是中国半导体产业崛起的突破口，第三代半导体将助力”碳达峰、碳中和“国家战略，并成为关键核心技术和产业。新能源为主体的新型电力系统是新技术和新系统的历史机遇，极有可能成为多方面创新的沃土。
东科半导体深圳分公司资深应用工程师 何远健
东科半导体深圳分公司资深应用工程师 何远健先生在本次峰会上的演讲主题是《东科半导体合封快充方案助力产业加速迭代升级》。
合封能够解决氮化镓高频开关，寄生参数对性能的影响，东科将氮化镓开关管以及控制驱动电路封装在一颗芯片内部，能够大幅度减小集成参数的干扰，并且可以增加功率密度。东科推出了25W-65W多种合封氮化镓芯片。
合封芯片大大降低了氮化镓的应用门槛，集成氮化镓的合封芯片可以像常规硅器件一样使用，并提供更高的能效。
基本半导体技术营销副总监 刘诚
基本半导体技术营销副总监 刘诚先生在本次峰会上的演讲主题是《碳化硅肖特基二极管在PD快充中的应用》。
功率因数校正可以修正开关电源输入电流所造成的谐波干扰，防止谐波干扰污染电网，并提高功率因数。根据欧盟和中国标准，75W及以上的电器均需要配备PFC电路。
碳化硅二极管具有零反向恢复的特点，可以显著降低开关管的开通损耗，降低发热。并且适应高频开关，可以通过高频工作减小磁性元件体积。相比二极管的反向恢复，碳化硅二极管无反向恢复，可有效减少PFC电路的共模干扰。
南芯AC-DC专案经理 高建龙
南芯AC-DC专案经理 高建龙先生在本次峰会上的演讲主题是《集你所需，方寸汇聚高能--南芯半导体GaN PD快充方案介绍》。
南芯在本次峰会上推出了高集成合封氮化镓芯片SC3050/3056，支持33W输出功率，参考设计功率密度达到2.14W/CC，内置分段式供电适应宽电压输出，并且针对性优化的走线，可以简化充电器设计。
南芯还推出了支持氮化镓的同步整流控制器，可搭配合封氮化镓芯片组成高频率高性能的氮化镓充电器。南芯目前具有完整的USB PD快充方案，包括控制器，同步整流和协议芯片。协议芯片支持双口智能分配功率，无需外置MCU。
英诺赛科高级应用工程师 杜发达
英诺赛科高级应用工程师 杜发达先生在本次峰会上的演讲主题是《InnoGaN 引领低碳芯时代》。
英诺赛科苏州8英寸硅基GaN已经量产通线，目前出货量已经超过1000万颗，量产客户超过60家。
随着USB PD的输出功率越来越大，应用的场景也不断拓展。英诺赛科目前已经推出第二代高压氮化镓产品，新器件具有更好的性能，更大的功率。伴随着高压氮化镓的发展，英诺赛科低压氮化镓产品线也逐渐成熟，具有多款低压氮化镓可用于激光雷达及车载充电器等低压场合。
英诺赛科推出了多款氮化镓大功率快充解决方案，英诺赛科的氮化镓开关管可以与国内多家控制器厂商搭配使用，打造全国产化的生态系统。
纳微半导体销售运营总监 李铭钊
纳微半导体销售运营总监 李铭钊先生在本次峰会上的演讲主题是《Navitas NetZero: Fast Charging and Environmental Sustainability with GaNFast Power ICs》。
纳微采用增强模式的氮化镓技术，并且集成氮化镓驱动，控制和保护芯片，与氮化镓功率管封装在一个芯片内部。纳微的氮化镓功率芯片，可以支持2MHz的开关频率，相比分立方案有更高的可靠性，更低的损耗以及更低的故障率。
纳微推出了第三代GaNFast方案，提升了功率密度，温升和可靠性。简化设计，可搭配多家PWM控制器。纳微已经为USB PD3.1的240W应用做好了准备，纳微的氮化镓功率芯片还可应用在直流无刷电机，LED照明等场合。
珠海镓未来市场总监 张大江
珠海镓未来市场总监 张大江先生在本次峰会上的演讲主题是《氮化镓成就绿色能源未来》。
通过使用氮化镓来取代传统硅器件，可将功率损耗大幅降低，结合到5G基站和服务器上，节能效果相当可观。珠海镓未来科技推出的氮化镓器件主要为650-900V耐压，可用于30W-10KW应用。
珠海镓未来科技产品具有驱动外围器件少、驱动抗干扰能力强，栅极耐压高的电性能优势，同时具有Fab成熟，良率领先，自主封测的产线优势。
珠海镓未来科技的氮化镓芯片已应用于快充、户外电源、服务器、通讯电源、机器人伺服电机、大功率家电、电动车OBC等场合，PD快充覆盖33到200W功率，并且已经推出了一款钛金级的服务器电源。
美浦森市场兼产品FAE 王旋
美浦森市场兼产品FAE 王旋先生在本次峰会上的演讲主题是《SiC在PD充电上的应用》。
碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，通过在逆变器中使用碳化硅器件可以将转换效率从96%提升到99%，开关速度高可以提高工作频率来缩小外围电感的体积，降低电路总成本。并具有高击穿电压优势。
碳化硅二极管具有极快的反向恢复速度和小的恢复电流，反向恢复几乎为0，适合高频应用，并且能承受更高的温升。美浦森采用6英寸工艺平台生产碳化硅二极管，推出了DFN5*6以及DFN8*8封装，适合PD快充，逆变器，PC电源等领域。碳化硅二极管产品线丰富，具有多种封装和电流选择。
凯泽鑫副总经理 伍松
凯泽鑫副总经理 伍松先生在本次峰会上的演讲主题是《电解电容在快充领域的应用》。
随着快充充电器的发展，对快充内部电解电容的要求也在升级换代。高压滤波电容需要具备大容量、小体积、低ESR，高耐热、耐浪涌特性，来满足输入端应用需求。对于低压电容，则需要高频性能，低ESR，纹波电流，通常都使用固态电容。
凯泽鑫具有满足USB PD快充应用的小体积高压电解电容以及低压固态电容，产品经过市场多年检测，产能稳定，质量可靠。
百佳泰总经理 赖俊亨
百佳泰总经理 赖俊亨先生在本次峰会上的演讲主题是《推动共享互补的插拔大会》。
PD2.0和PD3.0是非常成功的，基于安全和成本上的考量，以及能用和好用，但是USB PD3.1的应用目前还不明朗，需要找到新的应用，对应产业开拓市场。
业内朋友需要借助开放的生态圈，借助USB PD提供的高兼容性、开放的基本规范来开发出满足不同产业应用的多样化产品，来实现跨产业的应用。
USB PD3.1扩展的48V240W输出，可实现家电、工具设备。汽车和医疗设备的互通互连，百佳泰会尽快开展USB PD3.1相关认证服务，为国内厂商提供测试验证。
以下是峰会现场部分图片花絮
以下是展示区现场部分图片花絮
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