铼微推出两款D-MODE氮化镓开关管,全部国产自主
如同MOS管分为耗尽型和增强型两种,氮化镓开关管同样分成耗尽型和增强型两种。通俗来讲,增强型MOS管,在栅极没有驱动电压的时候,MOS管处于关断状态,耗尽型在没有栅极驱动电压时就开始导通,需要负压才能关断。
增强型的氮化镓器件为E-MODE,耗尽型的氮化镓器件为D-MODE,通过将低压硅MOS与D-MODE氮化镓组合起来,D-MODE耗尽型氮化镓既具有E-MODE增强型氮化镓的常关性能,还具有简化的栅极驱动。
相比主流E-MODE增强型氮化镓6V的驱动电压,D-MODE耗尽型氮化镓器件可以支持高达15V的驱动电压,从而可以兼容传统硅MOS的驱动电路和控制器,简化驱动电路设计,降低氮化镓的应用门槛,提升电源产品的转换效率。
宁波铼微半导体有限公司于2019年6月成立,从事氮化镓(GaN)等第三代半导体器件的开发、生产与应用。公司为IDM模式,包含外延生长、器件设计和器件制备整套流程。已建成厂房总面积为6000m²,其中净化间共1800m²。
公司研发团队实力雄厚,目前有包含国家级专家1名、省级专家1名等具有硕士和博士学位的研发人员15名。铼微半导体可实现 6 英寸GaN芯片的自主设计和自主生产。
充电头网获悉,铼微半导体推出了两款耐压650V的D-MODE耗尽型氮化镓开关管,采用TO220封装和DFN5*6封装,满足不同场合的产品需求。
铼微NPTC6502001是一款TO220封装的氮化镓开关管,耐压650V,导阻250mΩ,支持10A连续电流,20A脉冲电流,适用于高速DC-DC转换,开关电源应用以及电池快充应用等。
铼微NPTC6502002是一款DFN5*6封装的氮化镓开关管,耐压650V,导阻250mΩ,支持10A连续电流以及20A脉冲电流,适用于高速DC-DC转换,开关电源应用以及电池快充应用等。
铼微氮化镓器件已经用于65W氮化镓快充应用,相比传统硅器件具有明显的效率优势。
充电头网总结
D-MODE耗尽型氮化镓器件的推出,相比E-MODE增强型氮化镓来说,栅极耐压高,可以支持更宽泛的栅极驱动电压,栅极耐过压能力也更强。耗尽型氮化镓能够使用为硅MOS而设计的控制器,更容易实现大功率应用设计。
铼微推出的两款耗尽型氮化镓器件,采用大功率电源中常见的TO220封装与快充电源中常用的DFN5*6封装,能很好的适配不同应用,在不同的产品上发挥氮化镓性能优势。
以下热门话题可以点击蓝字了解,也可以在充电头网微信后台回复如下关键词获取专题
「电源芯片」
南芯、英集芯、智融、茂睿芯、必易微、美芯晟、杰华特、华源、硅动力、环球、美思迪赛、富满云矽、亚成微、诚芯微、沁恒、芯海、天德钰、恒成微、贝兰德、伏达、微源、瑞芯微、力生美
「被动器件」
「氮化镓」
「连接器」
「快充工厂」
「品牌专区」
苹果、华为、mophie、绿联、航嘉、倍思、TRüKE充客、机乐堂、爱国者
商务合作联系:info@chongdiantou.com