基本半导体推出DFN5*6和SMBF封装碳化硅肖特基二极管

碳化硅属于宽禁带半导体，由其制作的碳化硅肖特基二极管具备耐高温、耐高压的特性，非常适合高频高压应用。相比传统快恢复二极管，碳化硅肖特基二极管没有反向恢复电流，可显著降低CCM模式下PFC整流管的反向恢复损耗。同时碳化硅二极管搭配氮化镓开关管，还可以显著提高PFC电路的工作频率，进一步减小体积，并提升转换效率。

碳化硅功率器件领军企业基本半导体推出SMBF、DFN5*6两款超薄封装的碳化硅二极管，可用于PD快充、UPS、快充电源以及马达驱动等，性能达到行业先进水平。几乎无反向开关损耗的特性，可显著提高系统能效，并提高功率密度，支持高频开关。同时高工作温度和正温度系数，可以方便并联使用，提升电流并降低散热需求，提升系统功率密度。

其中，SMBF封装碳化硅肖特基二极管由基本半导体在国内率先研发推出，该产品具有体积小、正向导通压低和抗浪涌能力强等特点，能很好地满足“小轻薄”的PD快充对器件尺寸的特殊需求。

基本半导体的耐压650V碳化硅二极管B2D04065V，采用SMBF封装，封装尺寸为5.3*3.6*1.35mm，可有效节省PCB占板面积，同时内部使用铜框架焊接，具有更低的封装热阻，更强的通流能力，是一种很有优势的小体积封装。

B2D04065V在135℃下连续正向电流4A，支持-55到150℃工作温度，正向压降1.35V，可用于开关电源、不间断电源、马达驱动以及PFC功率因数校正应用。

基本半导体型号为B2D04065D的碳化硅二极管采用DFN5*6封装，耐压650V，封装厚度仅为1mm，适合空间狭小的应用，满足PD快充等多样化的散热设计。

B2D04065D在155℃下连续正向电流4A，支持-55到175℃工作温度，正向压降1.4V，可用于开关电源、不间断电源、马达驱动以及PFC功率因数校正应用。

深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、南京、无锡以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等全产业链。

基本半导体已推出通过AEC-Q101可靠性测试的碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET以及汽车级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平，产品广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。

充电头网总结

伴随着快充充电器的输出功率不断提升，PFC功率因数校正电路成为充电器中的刚需，在PFC电路中使用碳化硅二极管可以大大降低传统快恢复二极管的反向恢复损耗，从而提升PFC级的升压效率。与此同时，碳化硅二极管具有较低的正向压降，对于传统快恢复二极管也具有相当的竞争力。

第三代半导体相比传统半导体具有显著的性能优势，有助于减小快充充电器的体积。USB PD3.1支持的功率达到240W，对于功率密度有更高的要求，基本半导体推出的两款碳化硅二极管，不仅具有卓越的性能，封装也契合现今高功率密度快充的需求。

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