安森德半导体推出多款中低压MOS，满足20-100W快充电源应用
安森德半导体专注于中低压MOS研发设计及销售，产品在PD电源、墙充、快充、笔记本电源、排插等领域有着广泛应用，主要产品类型有次级同步整流、同步降压、Vbus开关等MOS型号。
安森德半导体SGT/TRENCH工艺同步整流/VBUS MOS的主要特色：超低Rdson、超低Ciss，本篇文章重点推荐三个型号。
安森德ASDM100R066NQ
安森德ASDM100R066NQ是一款N-MOS，可用于次级同步整流MOS，耐压100V，Rdson低至6.6mΩ，应用于65W快充产品的同步整流。
安森德ASDM100R066采用SGT工艺，具有低开启电压，超低Rdson、Ciss小，开关速度快的特点，DFN5*6封装散热性能好，占用空间小，应用稳定，具有高功率密度、输出线性好、能效高、温升低等优势。
该器件已经应用于AUKEY傲基一款双C口63W快充充电器、雷柏氮化镓快充充电器配备1A1C双输出口、联想拯救者电竞手机Pro专用双C口充电器65W、倍思65W 2C1A氮化镓快充充电器等快充方案中。
安森德ASDM100R045NQ
安森德ASDM100R045NQ也是一款N-MOS，耐压100V ，Rdson低至3.8mΩ，可用于65W快充及以上产品次级同步整流。
安森德ASDM100R045NQ采用SGT工艺，具有低开启电压，超低Rdson，Ciss小，开关速度快的特点，DFN5*6封装散热性能好，占用空间小，应用稳定，具有高功率密度、输出线性好、能效高、温升低等优势。
该器件目前已经应用于Lapo 65W USB PD氮化镓快充充电器、Nubia努比亚65W 2C1A氘锋氮化镓快速充电器、倍思65W 2C1A氘锋氮化镓快速充电器、征拓65W 2C1A快速充电器、HYPER JUICE 100W氮化镓充电器等方案中。
安森德ASDM30N40AE
安森德ASDM30N40AE属于N-MOS，耐压30V，Rdson低至6mΩ，可用作18W A+C快充及以上产品VBUS开关。
安森德ASDM30N40AE采用Trench工艺，具有低开启电压，超低Rdson，Ciss小，开关速度快的特点，DFN3*3封装散热性能好，占用空间小，应用稳定，具有高功率密度、输出线性好、能效高、温升低等优势。
该器件目前已经应用于芯仙 33W 1A1C USB PD氮化镓快充充电器、Nubia努比亚45W 1C1A氘锋氮化镓快速充电器、征拓45W 1C1A快速充电器。
关于安森德半导体
西安安森德半导体有限公司（Ascend Semiconductor）是一家专注高品质、高性能功率器件研发及销售的半导体公司，公司技术团队主要来自欧美和台湾领先半导体公司，掌握先进的专业功率器件设计、工艺、生产和测试技术，具有丰富的产品质量管理经验。
安森德半导体总部设在西安，在深圳设立运营中心、上海、台湾等设有分公司和办事处，充分发挥各地的技术和供应链优势，保障产品各个环节，及时服务客户，满足客户需求，为客户和合作伙伴最大限度创造价值。
安森德半导体的功率器件产品性能优良，品质卓越，具有不同等级，不同规格的系列化产品，广泛应用于消费数码，智能家电，IOT物联网，5G通讯以及车载电子，工业控制，医疗设备、测试仪表等众多领域，公司更具有全面和专业的产品应用经验。
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