环球半导体推出SSR反激控制器G1662D，支持自动增益控制

前言

随着快充技术的发展和市场需求的演变，快充充电器逐渐向小型化、高功率密度的方向发展，但市面上传统技术方案大多无法实现高功率密度使用需求，而GaN应用存在整体成本高、应用调试复杂、EMI的解决、可靠性要求高、同时也很难保证稳定的交期等市场痛点问题。

针对上述问题，环球半导体采用高压制程特有专利技术，并通过高效的超结功率器件驱动控制技术和高功率密度的封装整合，推出了高度集成的PD电源芯片G1662D，满足客户对于高效率、高可靠性的需求。

环球半导体G1662D登场

环球半导体 G1662D 是一颗高度集成的次级反馈(SSR)反激控制芯片，支持最高45W输出应用，内置650V 低导通阻抗超结MOS。支持CCM/QR工作模式，待机功耗<70mW，VCC支持高达85V，最高工作频率有65/90K可选。

环球半导体 G1662D 在满载情况下以定频运行，负载降低时进入绿色模式，谷底开关以提高能效，在轻载和空载时进入扩展突发模式，获得更低的待机功耗，在整个负载范围内获得高转换效率。

环球半导体 G1662D 支持供电欠压闭锁和过电压保护，支持逐周期过电流保护，支持带锁存关断的输出过电压保护、二次侧整流管开路和短路保护、二次侧线圈开路和短路保护、输出短路保护，过热保护、过负载保护等多重保护措施。

上图为环球半导体 G1662D 的引脚配置图，采用 DFN6x5-10L封装，具有输出电压自适应增益频率曲线，集成内部斜率补偿，软启动功能。适用于PD 充电器、宽电压适配器、开放式开关电源等应用场景。

充电头网总结

环球半导体推出的G1662D电源管理芯片，基于先进的高压制程，支持45W典型应用场景，完美的精简了外围电路设计，通过高效的超结功率器件驱动控制技术和高功率密度的封装结构，解决客户对大功率PD电源方案高性能、高可靠性、简易EMC处理的需求。

环球半导体将先进的电源管理架构设计、半导体工艺、封装技术的三者融合，成功开发了多个系列高性能、高功率密度的电源芯片产品，产品技术居于国际电源IC设计的前沿水平。环球半导体长期专注于高品质电源管理IC的研发设计，产品广泛应用于：移动通讯设备、白色家电、马达电机电源、工业电源、医疗设备、5G智能设备和家居的供电管理系统等领域。

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