赛泰推出Tagore140W+ 240W+300W的GaN方案
前言
近年来，随着半导体技术的不断发展，市面上越来越多的快充产品开始采用氮化镓功率器件，在氮化镓功率器件中，主流的解决方式就是单管和合封。氮化镓单管搭配专门优化的控制器，在反激架构的快充中得到了广泛的应用。
但在大功率的电源中，通常使用较高频率来缩小变压器的体积，相应的，合封氮化镓功率芯片由于内置驱动器，在高频下应用简单的优势，也常被大部分的高频开关电源中使用。近期，Seltech 赛泰带来了 Tagore Tech 旗下的数款产品，致力于为客户提供采用先进技术的解决方案，下面充电头网分别对这些产品进行介绍，剖析产品亮点。
TP44100SG
Tagore Tech 主要从事基于第三代半导体 硅（Si）基氮化镓 及 碳化硅（SiC）基氮化镓技术的集成电路研发和销售，帮助客户解决RF和电源功率的设计，并加快从5G蜂窝基础设施到快充头、电源适配器、车载充电合户外储能等应用。
Tagore Tech 的研发团队源于德国公司英飞凌，其芯片设计中心位于美国芝加哥（Chicago），另外在印度设有研发分部，研发团队成员在射频氮化镓领域深耕超过 10 余年，具有卓越的芯片设计能力。可为LED、通信、医疗、工业电源等GaAs、GaN射频开关和功放提供解决方案。
Tagore Tech 研发的GaN 功率器件目前已被超过 60 家欧美国际大公司及30家国内大公司的采用，可用于65W、100W、140W、240W、300W快充产品中，帮助产品实现更小的体积。
Tagore Tech 旗下的 TP44100SG 是一颗650V耐压，瞬态耐压750V，90mΩ导阻的增强型合封驱动器氮化镓开关管，支持0V~20V PWM 信号控制，支持传统控制器和氮化镓直驱控制器使用。在这两种情况下都不需要外部供电VCC。
在 PFC＋LCC 或 无桥PFC＋ AHB 等大功率拓扑应用中，得益于 TP44100SG 合封氮化镓开关管无需VCC供电的优势，可提供更可靠更简单的设计。而在输出电流大于60A的电路设计中，可采用最多6颗 TP44100SG 合封氮化镓开关管并联的设计，简化外围器件。
Tagore Tech TP44100SG 支持单管、半桥应用，适用于 AC-DC，DC-DC，DC-AC 应用场景，支持标准PFC、图腾柱PFC、高频LLC等拓扑结构，可用在快充充电器、笔记本电源、LED照明电源、电机驱动电源、服务器电源等产品中。
Tagore Tech TP44100SG 采用 QFN5*7mm² 低电感封装，具有加强的散热性能，其散热的性能足跟市面上 QFN6x8mm² 与 QFN8x8mm² 芯片封装相竞争，适合高频高功率密度电源使用。
TP44200NM
Tagore Tech TP44200NM 作为一款额定电压 650V 的大功率 Superior GaN 功率芯片，能满足中功率移动设备和消费类电力电子市场的需求，加速淘汰低速开关频率的传统硅芯片，抢占中功率充电市场。
Tagore Tech TP44200NM 采用 5*7mm 小型 PQFN 封装，导通电阻 180mΩ，内置GaN驱动器。TP44200NM 拥有专利的集成散热技术，相较于其他产品，电流承载能力提高50％，适用于高效率，高功率密度的电源系统。
相比市面现有产品，Tagore Tech TP44200NM 无需外置GaN Mosfet 半桥驱动芯片，可搭配更多主控芯片款型，大大简化工程师在设计电源时的器件选型和适配开发流程。
TP44100NM
除 TP44200NM 外，Tagore Tech 旗下还有一款性能更强的大功率 Superior GaN 功率芯片TP44100NM，同样采用 5*7mm 小型 PQFN 封装，导通电阻 90mΩ，内置GaN驱动。
与市面上多数解决方案不同，Superior GaN 功率芯片集成了 GaN Mosfet、GaN 驱动器和保护控制功能，不需要额外设计 9V~30V 电源单独给 GaN Mosfet 内部的 GaN 驱动器供电，具备小体积、速度快、使用简单、支持较高功率等优点。
充电头网总结
纵观有线快充市场，200W以上的消费级快充电源通常又大又重，考虑到消费者的接受能力，市场上很少有品牌会推出功率这么大的快充电源。而将 Tagore Tech 旗下的 Superior GaN 功率芯片应用在大功率快充电源中，得益于氮化镓高频高效的优势，能够减小充电器中电感与变压器的体积，还能减少对散热要求。
Seltech（赛泰）是一家法国公司，于1989年在巴黎成立，提供电源管理的解决方案，在深圳、南京、新加坡、美国等地都有分部。Seltech 非常自豪地为客户带来 Tagore Tech 的先进产品，并提供良好的技术支持。
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