耐压高达85V，uPI半桥GaN驱动器uP1966E登场

前言

随着人们环保意识的增强，氮化镓以高效节能的优势，得到了迅猛的发展。氮化镓应用在快充中，提高了快充的转换效率，显著缩小体积。氮化镓还可广泛应用到家用产品中，如电动自行车充电器，LED照明等，在广阔的应用中，发挥节能降耗的功效。

氮化镓驱动器是氮化镓应用必不可少的重要芯片，由于氮化镓具有极低的栅极电荷和较低的开启电压，需要外置驱动器，提供精准的驱动电压，并在高频开关时提供足够的驱动电流。从而安全可靠的驱动氮化镓开关管，将氮化镓高频高效的优势充分发挥。

uP1966E半桥驱动器登场

半桥电路是升压或降压应用的重要基础，广泛应用在智能手机和笔记本充电器、电视、太阳能电池板、数据中心和电动汽车等场景中。面对不断增长的市场，uPI 推出了针对半桥拓扑应用的氮化镓驱动器 uP1966E，下面充电头网为大家介绍这款新品的亮点。

uPI uP1966E 设计用于驱动半桥拓扑中的高侧和低侧 GaN FET。芯片集成了内部自举电源和 UVLO。uP1966E 具有分离式栅极输出，可以在高侧和低侧驱动通道上以数 MHz 的速度工作，并且能够独立调整开启和关闭转换时间。

uPI uP1966E 采用 1.6mm WLCSP1.6x1.6-12B 封装，可降低封装电感，从而提高高频运行性能。内置钳位电路用于高端驱动器，以防止不需要的瞬变损坏 GaN 器件栅极。uP1966E 有两个 PWM 输入，可独立控制高端和低端驱动信号。

uPI uP1966E demo 如上图所示，芯片内置的驱动器耐压达85V，工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。可支持USB PD 3.1 48V应用，将氮化镓性能优势引入到高压供电的设备，提高效率，降低发热。

充电头网总结

uPI 此次推出的半桥拓扑氮化镓驱动器 uP1966E，耐压高达85V，契合48V供电应用，不仅可用于 USB PD 3.1 48V 设备供电同步降压，还可用于数据中心、电动汽车等大功率应用，让氮化镓高频高效的特性得以在更多场景落地。

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