采用SOT23-6超小封装，瞻芯电子SiC栅极驱动芯片IVCR1412问世

前言

近期，上海瞻芯电子科技有限公司的比邻驱动®（NextDrive®）芯片 IVCR1412 正式量产，在业界率先实现集成负压和米勒效应抑制功能，且为极紧凑 SOT23-6 封装的栅极驱动芯片，可为 SiC MOSFET、Si MOSFET 和 IGBT 提供简便、紧凑且可靠的栅极驱动解决方案。

瞻芯 IVCR1412 是一款高速驱动芯片，它非常适合并联 MOSFET 的一对一驱动，以实现良好的动态均流，主要应用于新能源汽车 OBC、电机驱动、AC/DC 和 DC/DC 转换器、服务器和通信设备的整流器、EV/HEV 逆变器及 DC/DC 转换器、光伏升压及逆变、UPS 等领域。

瞻芯 IVCR1412 特性介绍

瞻芯 IVCR1412 支持最高 30V 宽幅 VDD 供电，同时支持 VDD 欠压保护，推荐工作电压 4.5V~25V，工作温度 -40℃~125℃；芯片支持低至 -5V 负压输入，兼容 TTL 和 CMOS 输入电平；芯片具备 16ns 低传播延迟，当输入悬空时输出为低电平。

瞻芯 IVCR1412 驱动芯片的输出是一个准电流源，从而免除了所有栅极电阻，又能贴近功率管安装，可最大限度地减小了栅极驱动环路杂散电感，动态均流效果提升明显。

瞻芯 IVCR1412 集成了一个负压电荷泵，可以以提供 -2V 的关断电压。如果不需要 -2V 的关断电压，直接使用 OUT 输出即可。由于栅极驱动环路上没有栅极电阻，驱动器的强下拉输出可实现有源米勒效应抑制功能，从而可靠地关断 MOSFET。该驱动芯片也适用于硅 MOSFET 和 IGBT 驱动。

瞻芯 IVCR1412 可提供高达2A的峰值拉电流和4A的峰值灌电流，并且支持 80ns 灌电流持续控制，在关断时，驱动芯片的输出首先以4A电流下拉80ns，然后以 3Ω 的下拉电阻使输出保持低电平，从而为栅极环路振荡提供必要的阻尼。

瞻芯 IVCR1412 还具有一个驱动电流大小的编程引脚，可调节开通时上拉的峰值电流大小，用于 MOSFET 的导通速度调节，便于优化 SiC MOSFET 的开通速度与系统噪声。

关于瞻芯电子

上海瞻芯电子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅（SiC）半导体领域的高科技芯片公司，2017年成立于上海临港。瞻芯电子齐集了海内外一支经验丰富的高素质核心团队，致力于开发碳化硅功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅功率模块产品。

瞻芯电子率先在国内实现自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台，并将持续创新、放眼世界，致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅（SiC）功率半导体和芯片解决方案提供商。

充电头网总结

瞻芯电子推出的比邻驱动®芯片 IVCR1412，在米粒大小的 SOT23-6 封装内集成了负压电荷泵，通过驱动器的强下拉输出，实现有源米勒效应抑制功能，为碳化硅 MOS、硅 MOS 和 IGBT 等功率器件提供了一个简洁可靠栅极驱动解决方案。

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