占板面积减少30%，威兆发布9款采用TOLL封装NMOS

前言

消费电子产品、电子整机等市场体量在近几年增长迅速，产业链对于 MOSFET 的需求也水涨船高。伴随大功率快充技术的普及，电源厂商对 MOS 器件的耐压、内阻等各维度性能也提出了更高的要求；而随着汽车电气化、5G 商用化进程的深入推进，市场对于 MOSFET 的需求也朝着多元化方向发展。

威兆TOLL封装MOS新品问世

TOLL封装适用于中低压 MOS（耐压40V～150V，电流300A max）、超结 SJ-MOS 的封装，package 厚度 2.3mm，占板面积 115m㎡。相比 TO-263-6L，TOLL占板面积缩小30％，高度减小50％，节省了宝贵的 PCB 应用空间，而且热阻更小从而散热效率更高，封装寄生电感更小，有助于降低生产成本和散热解决方案成本、提高功率密度。

威兆半导体近期推出了9款采用 TOLL 封装的 NMOS 产品，BVDSS（漏源击穿电压）有 40V、80V、100V、150V 可选，VGS 耐压达 ±20/25V，ID（漏极电流）涵盖 100A~325A。

威兆 VSK002N10HS-G 是一款漏源击穿电压 100V 的N沟道 MOS，采用 TOLL 封装，VGS 耐压 ±25V，Vth 为 2.1~3.1V，漏极电流最高 325A，VGS 为 10V时导通电阻 RDS(on) 典型值为 1.7mΩ，适用于 USB PD 电源、电池保护、电机控制等应用场景。

威兆 VSK009N15HS-G 是一款漏源击穿电压 150V 的N沟道 MOS，采用 TOLL 封装，VGS 耐压 ±25V，Vth 为 2.6~3.6V，漏极电流最高 100A，VGS 为 10V时导通电阻 RDS(on) 典型值为 9.2mΩ，适用于通信电源、电池保护、电机控制等应用场景。

充电头网总结

威兆半导体此次采用的 TOLL 封装，相比 TO-263-6L 封装不仅有着更小的体积和占板面积，而且具备低封装寄生和电感效应，以及出色的 EMI 表现和热性能；TOLL 封装拥有可焊侧翼，可以很好满足高安全性和高可靠性的大功率应用场景。

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