纳微半导体发布全新GeneSiC SiCPAK™模块, 加速布局大功率市场，推动碳化硅裸片销售

先进的GeneSiC碳化硅技术将实现从10千瓦到兆瓦级别的应用扩展，包括铁路、电动汽车、工业、太阳能、风能和储能等领域，加速实现“Electrify Our World™”使命。

近日，充电头网从纳微半导体官方渠道获悉，纳微半导体宣布其采用了全新SiCPAK™模块和裸片的领先碳化硅功率产品已扩展到更高功率市场，包括铁路、电动汽车、工业、太阳能、风能和能量储存等领域。

目标应用领域涵盖集中式和组串式太阳能逆变器、能量储存系统（ESS）、工业运动控制，电动汽车（EV）车载充电器、电动汽车快速充电桩、风能、UPS、双向微电网、DC-DC转换器以及固态断路器。

从650V到6500V，纳微半导体覆盖了最全面的碳化硅电压范围。从最初的分立封装系列-从8 x 8毫米的表贴QFN封装到插件TO-247，GeneSiC SiCPAK模块打通了直接进入高功率应用领域的初始入口。纳微至此形成了包括功率模块，高电压SiC MOSFETs和MPS二极管、GaN功率集成电路、高速数字隔离器和低压硅控制集成电路的全方位的功率技术路线图。

SiCPAK™模块采用“压接”技术，为功率电路提供紧凑的外形尺寸，并向最终用户提供经济实惠、高功率密度的解决方案。这些模块基于纳微半导体GeneSiC芯片建造，GeneSiC凭借着卓越的性能、可靠性和坚固性而广为人知。

其中一个显著的例子是SiCPAK半桥模块，额定为6毫欧、1,200伏，并采用了行业领先的沟槽辅助平面栅的SiC MOSFET技术。纳微将提供多种SiC MOSFETs和MPS二极管的配置可用于制定针对特定应用的模块，以实现优异的系统性能。初期发布的产品为额定1,200伏的半桥模块，6、12、20和30毫欧的多款产品。

在无铅SiCPAK中，每颗SiC芯片都用银浆（Ag）焊接到模块基板上，以实现优秀的冷却性能和可靠性。基板本身是“直接键合铜”（DBC），使用活性金属钎焊（AMB）技术在氮化硅（Si3N4）陶瓷上制造，非常适合于功率循环。这种结构具有优异的强度和柔韧性、抗断裂性和良好的热导性，以实现冷却、可靠和长寿命的运行。对于希望自行制造大功率模块的客户，所有GeneSiC MOSFET和MPS二极管都提供裸片，并带有金（Au）和铝（Al）顶部金属层。

目前纳微已可以向符合要求的客户提供样品，详细信息欢迎发送电子邮件至：[e-mail]，以获取更多信息。

纳微半导体副总裁兼中国区总经理查莹杰曾言道：“凭借完整、领先的电力、控制和隔离技术的系列产品，纳微半导体将加速客户从依赖化石燃料和传统硅功率产品向新型可再生能源和下一代半导体的转变，实现更强大、更高效、更快的能源转化系统。”

文章来源：纳微半导体

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