强管破难题！华瑞微 SJ-MOS 助力倍思140W氮化镓充电器LLC电路设计

前言

LLC电路拓扑因其可以实现变压器原边开关管的ZVS开通，变压器副边二极管的ZCS关断，成为高效率高功率密度需求下备受青睐的DC/DC拓扑。在LLC架构的电源解决方案设计中，其MOS管是极为关键的元器件选取，既要耐高压还要低损耗，同时还得兼顾设计难度和成本。

近日，充电头网拆解发现，倍思新推出的一款140W氮化镓多口充充电器，其内部的LLC开关管，采用的是华瑞微HRD65T180GE，其魔力何在，让我们接下来一同探讨。

倍思这款新品延续了倍思120W氮化镓快充一样的接口配置和外观设计，可以说是性能加强版，以满足苹果用户140W快充、外带和多设备同时充电多应用场景需求。

充电器通体黑色，机身外壳以磨砂为主，同时上下边缘亮面进行撞色点缀，避免单调，配备了2C1A接口。

使用游标卡尺测得充电器机身三维尺寸为99.11*59.92*29.93mm，和苹果140W充电器对比，具备多口充优势的同时，体积还略小。

华瑞微 SJ-MOS HRD65T180GE

充电头网拆解发现，倍思140W氮化镓充电器采用PFC+LLC+SR开关电源设计，PFC进行功率因数校正，LLC电源固定电压输出。140W USB-C接口通过升降压电路调节输出电压，100W USB-C接口和USB-A接口通过降压电路输出，实现三个接口的独立快充。

观察其PCB背面，其左上角焊接同步整流管和同步整流控制器，右侧为LLC半桥开关管和PFC升压开关管。

其中两颗LLC开关管便来自华瑞微，型号HRD65T180GE。

HRD65T180GE是华瑞微650V超级结 MOSFET  Gen Ⅲ功率晶体管系列的产品，其采取DFN8×8封装，耐压值高达700V，导阻为180mΩ。超级结 MOSFET Gen Ⅲ系列产品是华瑞微根据SJ原理设计的，SJ-MOS可采用具有较低电阻的N层设计，提供极低的栅极电荷和低导通电阻，大大减小导通损耗，提高效率，并且产品非常容易驱动，非常适用于AC/DC电源转换，笔记本电脑适配器，照明和工业电源等应用领域。

滁州华瑞微电子科技有限公司成立于2020年7月，主要经营功率半导体芯片的研发、生产、销售，已建成投产的6英寸晶圆厂占地100亩，生产各类功率器件晶圆，设计月产能10万片，现有设备已实现月产4万片晶圆。

华瑞微是专业的功率器件IDM公司，已获得国家级高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业等资质。团队成员主要来自于国际国内知名半导体企业，具有丰富的功率器件研发和运营经验，公司职工总数近400人，其中工程技术人员占比60%以上。

充电头网总结

倍思推出的这款140W氮化镓充电器具备2C1A接口，USB-C1接口支持28V输出，满足苹果MacBook Pro 16笔记本电脑的快充。此外USB-C2接口支持100W快充，USB-A口支持60W快充，多口共同使用时支持功率自动分配。能够满足手机，笔记本电脑和其他设备供电需求。

其内置华瑞微650V超级结 MOSFET  Gen Ⅲ功率晶体管系列的产品 HRD65T180GE，其耐高压能力强，并具有低损耗、高效率的优势，此外由于它易驱动，降低成本同时，也极大减小了产品设计难度，为客户提供一个更具性价比的MOS管选择。

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