东科推出业界首款AHB合封氮化镓芯片DK8710Q

前言

合封氮化镓芯片一经推出，强大的性能优势，很快就取代了传统氮化镓控制器+氮化镓开关管的组合。合封氮化镓芯片通过将控制器，驱动器和功率管集成在一个芯片内部，降低了寄生参数在高频下带来的干扰，降低开关损耗，提高可靠性和开关速度。

合封氮化镓芯片简化了氮化镓器件应用时的外围电路，减少了元件数量，在充电器上应用越来越广泛。反激合封氮化镓芯片满足了百瓦及以下PD快充对于氮化镓的需求，但是对于百瓦以上的应用需求，还是需要更高效率的电源方案。

东科推出DK8710Q AHB合封氮化镓芯片

知名氮化镓合封芯片，同步整流芯片原厂东科在推出了反激合封氮化镓芯片之后，提前布局，推出了行业首款内部集成两颗氮化镓功率管的AHB合封芯片，不对称反激相比传统反激，能够将漏感能量回收利用，实现主开关管的ZVS，同步整流管的ZCS，降低开关损耗对效率的影响，从而提升转换效率。

AHB架构相比LLC架构，有如下优点。第一，AHB架构的二次侧为单功率器件拓扑，可以有效降低系统成本；第二，AHB架构的二次侧整流管电压应力远小于传统反激架构，可以采用耐压更低的MOS管作为整流管，极大的降低了系统成本和调试难度，尤其适用在PD快充等需要高输出电压的应用场景。第三，AHB架构中，变压器和谐振电容共同储能，变压器体积可以有效减小。

东科 DK8710Q采用QFN8*8封装，体积小巧且外围元件精简，散热能力强。

东科 DK8710Q内部集成了两颗氮化镓开关管组成半桥，通过控制增添的开关管，回收漏感能量，实现主开关管的ZVS和同步整流管的ZCS，提高转换效率，并降低功率管的应力，减小开关损耗的同时改善电磁干扰。

DK8710Q内置高压启动和安规X2电容放电电路，待机功耗低于50mW，支持最高1MHz开关频率，具备自适应死区时间控制，峰值转换效率达95%。芯片内置高低压输入功率补偿电路，在高低压下最大输出功率一致。

DK8710Q内置输出过压保护、供电过压，欠压保护、过热保护、开环保护，输出过流保护、输出短路保护和输出肖特基异常保护。芯片支持150W输出功率，可满足现阶段USB PD3.1 充电器 140W输出需求。适用于PD3.1快充以及笔记本电脑适配器，电视机电源，充电器等大功率应用。

图为DK8710Q典型应用图，为固定电压输出，输出电压通过光耦反馈调节。

东科 DK8710Q合封氮化镓芯片采用QFN8*8封装，芯片底部焊盘用于增强散热。

与1元硬币对比大小。

充电头网总结

东科新推出的这款AHB半桥氮化镓芯片内置两个开关管，在合封氮化镓芯片高集成度高可靠性的基础上，将能量充分利用，降低损耗，进一步提升充电器整体的转换效率，降低温升和散热需求，让充电器变得更加便携。

同时DK8710Q的待机功耗低于50mW，能够满足严苛的能效要求，芯片支持宽范围电压输出，极大简化了大功率PD充电器设计。同时搭配PFC电路，输出功率可以达到150W，能够满足现阶段PD3.1快充，140W输出功率的需求，是一款高集成，高可靠的解决方案。

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