CMTI ≥200kV/us 的隔离型栅极驱动器系列MD18011X闪亮登场！

MD18011X，光耦兼容的单通道隔离型栅极驱动器系列，是茂睿芯功率驱动产品推出的新型产品系列，可广泛应用于工业电源、光伏逆变器、伺服、变频器等系统。它们具备5700VRMS增强型隔离等级，主要应用于强弱电隔离的电气系统中，能利用简单的设计轻松保护操作人员的人身安全，并提高设备可靠性及使用寿命，应对强电对信号的干扰时也能有效防止对信号链的干扰，维护系统稳定运行。

MD18011X作为光耦兼容的单通道隔离型栅极驱动器，具有4A拉电流和7A灌电流能力，主要用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。其采用了自主开发的磁隔离技术，等级高达5700VRMS以上。相比于传统的光耦型栅极驱动器，MD18011X工作寿命更长，CMTI≥200kV/us以上，耐负压能力更高，UVLO恢复更快，脉冲宽度失真更小等优点。

一、型号列表

二、功能框图

MD18011X功能框图

三、产品功能

• ≥200kV/us的高CMTI能力

• -16V的输入级耐负压能力

• 6us的UVLO超快恢复响应能力

• 40年以上的隔离栅寿命

• 4A拉/7A灌的输出峰值电流能力

• 30V的供电电压更容易使用正负电压驱动IGBT及SiC MOSFET

• 80ns（典型值）传输延时

• 30ns（最大）脉冲宽度失真

• 5V(A)/8V(B)/12V(C)VCC欠压保护阈值

• SOW-6封装电气间隙及爬电距离大于8.5mm

• 5700VRMS的隔离等级

四、重点功能介绍

1、≥200kV/us的高CMTI能力

随着电力电子系统往更高电压更高频率的方向发展，以及SiC MOSFET的广泛使用，系统的dv/dt大幅上升，这对隔离类产品的抗干扰能力(CMTI)提出了更高的要求。为此，茂睿芯研发团队开发了全新自主的磁隔离技术，大幅提高茂睿芯隔离类产品的抗干扰能力，采用了该磁隔离技术的MD18011X，其 CMTI能力达到200kV/us以上，在静态CMTI条件下输出也完全不受影响，而动态CMTI条件下能做到对脉宽的影响小于30ns，在同类型的隔离驱动产品中脉宽失真度最小。

MD18011B动态CMTI测试结果示意图

2、-16V的高输入级耐负压能力

为了提高MD18011X在使用时的灵活性和可靠性，茂睿芯研发团队给MD18011X输入级设计了高达-16V以上的耐负压能力。一是为了使其具备输入级耐负压能力，轻松实现单通道隔离驱动器在半桥应用过程中的死区互锁能力；二是当其耐负压能力高达-16V以上的情况下，在设计输入级buffer供电时，可更加灵活地使用系统上的辅助电源，不会轻易受到电压限制。

3、6us的UVLO超快恢复响应能力

在半桥电路中，如果上管采用的是自举电路供电，上管的VCC电容需要在下管动作几个周期后才能达到UVLO恢复电平，整个过程系统只有下管在动作，系统处于非对称工作状态。为了减小系统的非对称工作时间，MD18011X的UVLO恢复响应时间低至6us，使得VCC完成充电后，OUT可以更快的参与工作。

MD18011B UVLO测试结果与友商对比示意图

4、40年以上的高隔离栅工作寿命

MD18011X所使用的磁隔离技术，是不再依赖芯片上的高压隔离电容所形成的安规隔离，而是以其可靠的封装形式。经实测，MD18011X隔离栅在14kVRMS条件下持续耐受60s也不会损坏，可保证在VIORM（最大重复峰值隔离电压）条件下的工作寿命达40年以上，同时也避免了片上高压电容隔离带来的潜在风险（片上高压隔离电容会随着芯片意外烧坏而同步损坏，从而造成隔离等级下降）。

五、典型应用

茂睿芯MD18011X单通道隔离驱动器系列产品凭借其特色的隔离技术、更高CMTI能力、更高耐负压能力，更快UVLO恢复、更小脉冲宽度失真，以及更贴近客户的服务已获得多家试样客户的好评和青睐，如需知晓更多，可联系茂睿芯申请样品。

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