MOS管选型难？不如看看这篇永源微案例汇总
前言
随着快充技术的不断迭代升级，快充功率逐日攀升，从最早的10W一路提升至200W以上，而氮化镓充电器逐渐普及，MOS管逐渐替代电路中的传统肖特基二极管，通过其优异的性能，实现了电能的高效转换和快速输出，有效提高了充电效率，也为用户带来更便捷、高效的充电体验。
为满足市场需求，永源微潜心研发多年，相继推出多款高性能MOS管供厂商选择。
永源微MOS管
充电头网在整理历年的拆解案例时，发现永源微MOS已获品硕、倍仕达、麦多多等厂商的多款产品采用，助力设备稳定、高效输出，下文小编将为您详细介绍。
VBUS开关管
永源微AP30P03DF
永源微AP30P03DF是一颗耐压30V的PMOS，低栅极电荷，导阻12mΩ，采用PDFN3*3-8L封装。
应用案例：
永源微AP40P03DF
永源微AP40P03DF是一颗耐压30V的PMOS，低栅极电荷，栅极电压低至4.5V，导阻为11mΩ，采用PDFN3*3-8L封装。
相关阅读：
永源微AP60N03DF
永源微AP60N03DF，是一颗耐压30V的NMOS，低栅极电荷，栅极电压低至4.5V，导阻为6mΩ，采用PDFN3*3-8L封装。
相关阅读：
同步整流管
永源微APG120N12NF
永源微APG120N12NF采用先进的SGT II技术制造，是一颗耐压120V的NMOS，低栅极电荷，栅极电压低至4.5V，导阻为6.5mΩ，采用PDFN5*6-8L封装。
相关阅读：
永源微AP10H03DF
APM永源微AP10H03DF是一颗双NMOS，低栅极电荷，栅极电压低至4.5V，耐压30V，导阻10mΩ，采用PDFN3*3-8L封装。
相关阅读：
无线充电功率管
永源微AP8H04DF
永源微AP8H04DF是一颗耐压40V的双NMOS，低栅极电荷，栅极电压低至 4.5V。导阻16mΩ，采用PDFN3*3-8L封装。
相关阅读：
同步升降压开关管
永源微AP68N04NF
永源微AP68N04NF是一款采用APM-SGT V技术制造的NMOS，低栅极电荷，栅极电压低至4.5V，耐压40V，导阻6.9mΩ，采用PDFN5*6-8L封装。
相关阅读：
充电头网总结
永源微电子科技有限公司，成立于2017年，前身为IR (国际整流器)台湾代工厂，继承了IR的先进制成工艺，具备完整的DC-DC，Gate Driver等多种半导体器件经验。熟练掌握功率器件(Trench，SGT，Planar，Cool mos) ，BCD 5V-60V工艺，CMOS 5V-600V工艺等多种平台的开发于设计。永源微电子坚持自主创新，紧贴市场，致力于“APM，永源微电子”品牌的宣传于推广，坚持自主，可控，严谨的产品意识，致力于为国内外的电子产业提供更加优质和高效的产品。
永源微旗下的MOS管产品均具备低栅极电荷，导阻低，应用简单的特性，满足多种电源适配器设计需求。未来永源微电子将持续紧密关注市场需求，致力于推出更多高效功率器件，涵盖更广泛的功率范围和应用场景，高效推动整体产业链发展进程，为行业带来更多创新解决方案。
永源微电子，英集芯的功率MOS的战略合作品牌。
展会预告
永源微电子科技有限公司参加充电头网主办的2024（春季）亚洲充电展，展位位于A区A22、23、24、25 ，3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
以下热门话题可以点击蓝字了解，也可以在充电头网微信后台回复如下关键词获取专题
「展会与大会预告」
「历年拆解」
「展会与大会预告」
「历年拆解」
「电源芯片」
南芯、英集芯、智融、必易微、美芯晟、杰华特、华源、天德钰、贝兰德、力生美、东科、易冲、沁恒、钰泰、诚芯微、水芯电子、茂睿芯、恒成微
「被动器件」
「氮化镓」
「快充工厂」
「品牌专区」
「被动器件」
「氮化镓」
「快充工厂」
「品牌专区」