【ERI Summit】大事件：DARPA首次年度“电子复兴计划”峰会来了

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美国电子行业将在未来5年来左右搞的大事件，耗资15亿美元努力在电子领域创造变革进展。

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在晶体管尺寸的不断缩小使得电子器件持续了50年的快速发展后，微电子行业正面临摩尔定律的一系列长期可预见的障碍。目前的经济、地缘政治和基于物理学的复杂情况使得电子行业的未来在此刻变得非常引人关注。为了推动该领域的创新，美国国防高级研究计划局（DARPA）于2017年6月宣布将把一系列广泛的计划融入到“电子复兴计划”（Electronics Resurgence Initiative，ERI）里。 ERI在2018年年度财政预算中获得额外的7500万美元拨款，对创新的微系统材料、设计和架构新方法提出了要求。为了强调这项举措的重要性，美国总统对2019财年预算包括ERI研究工作在未来五年内每年持续3亿美元的投资——在该计划的整个生命周期中可能高达15亿美元。

DARPA通过与戈登·摩尔50年前预测的研究要求相关的六个新计划，强化了其电子复兴计划的三大支柱——材料、架构和设计

为了启动这一举措并促进以美国为中心的电子行业的前瞻性合作，DARPA将于2018年7月23日至25日在加利福尼亚州旧金山举办首届年度“电子复兴计划”峰会。为期三天的活动将汇集受到摩尔定律即将出现变化影响的群体，其中包括来自商业部门、国防工业基地、学术界和政府的高级代表。 在活动的开幕式上，DARPA将宣布选定的研究团队来领导ERI的六个新的“第3页”（Page 3 ）计划（关于这个计划，后面会有标注），这些计划旨在补充传统晶体管尺寸的不断缩小并确保持续改进电子性能（解决Moore在50年前即预测到将在当前半导体发展蓝图最后阶段出现的问题）。在接下来的日程里，与会者将听到来自行业领导者的主题演讲，中间穿插详细的计划讨论。

DARPA将于2018年7月23日至25日在加利福尼亚州旧金山举办首届年度“电子复兴计划”峰会

ERI峰会演讲者是当今电子行业中最具影响力的人物之一，其中包括Alphabet的主席John Hennessy、应用材料公司总裁兼首席执行官Gary Dickerson、西门子Mentor公司总裁兼首席执行官Walden Rhines、Synopsys主席兼联合首席执行官Aops de Geus、NVIDIA首席科学家兼NVIDIA研究部门高级副总裁Bill Dally，以及英特尔公司首席技术官兼英特尔实验室高级副总裁兼董事总经理Mike Mayberry。

后续的的演讲将详细介绍ERI的六个“第3页”计划（Moore在1965年4月的《电子学》(Electronics)期刊上发表“在集成电路中塞进更多组件”(Cramming More Components on Integrated Circuits)一文，其中第3页描述了半导体发展蓝图最后阶段出现的问题）。这些计划试图回答三个关键问题：

• 我们能否大幅降低现代片上系统设计的障碍，并开创电路和系统专业化和创新的新时代？
  

• 非传统材料的整合能否增强传统硅电路，并继续保持与晶体管尺寸的不断缩小相关的传统进展？

• 我们是否可以享受专用电路带来的好处，同时仍然依靠适当的软件/硬件协同设计通用编程构造？

DARPA“Page 3”投资计划——摘录自戈登·摩尔1965年发表的关于电子产业未来的论文

ERI建立在DARPA与商业部门建立合作关系的历史基础上，囊括了美国主要芯片制造商和半导体设计领域的领导者。参加者将有机会听取DARPA专家及其研究合作伙伴有关DARPA电子聚焦项目中正在进行的重要工作信息。卡内基梅隆大学制造业未来计划创始人兼主任Erica R.H. Fuchs也将讨论政府资助在连接组织和营造创新氛围方面的作用。

DARPA“Page 3”投资计划的计划程序

“鉴于该计划的规模和复杂性，峰会的目标是创造一个促进其成员之间合作与协作的空间，”负责监管ERI的DARPA微系统技术办公室（MTO）主任Bill Chappell说。 “未来几年，ERI将继续在（研究）范围和规模上发展，业界继续合作和参与的需求只会继续增加。我们将共同探讨电子工业的未来以及这一关键领域对国防的影响。本次峰会旨在围绕现有的和正在出现的想法开展对话，以帮助引导美国半导体创新的未来方向，同时突出ERI重要研究计划中的当前机遇。”

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感谢编译/述评：防务菌

https://www.darpa.mil/news-events/2018-04-06

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