「优睿谱」成功推出晶圆电阻率量测设备SICV200

项目动态

优睿谱半导体设备(无锡)有限公司（简称“优睿谱”）宣布，公司近日成功推出晶圆电阻率量测设备SICV200，即将交付客户验证。

图1：SICV200设备

SICV200是一款用于测量硅片电阻率、碳化硅或其它半导体材料掺杂浓度的半导体量测设备，可支持对包括12英寸在内的各种不同尺寸晶圆，进行可持多频率下CV特性分析。机台配置上，SICV200具有各种尺寸的半自动方案以及符合SEMI标准的全自动方案，可直接对接客户工厂MES系统，实现自动化生产。

表1：SICV200重复性及长期稳定性测量结果

优睿谱总经理唐德明博士介绍，在衬底上进行同质外延时，载流子浓度是一个重要的技术参数。目前，行业普遍使用电容电压（CV）法来测量同质外延层的载流子浓度。该方法可直接在半导体上形成肖特基势垒测得外延层的载流子浓度，也可以形成MOS电容结构对CVD工艺等进行监控，从而有效评估各类半导体材料制造工艺中外延层的载流子浓度以及外延层的质量，方便且无损地对半导体材料进行测量分析，为优化外延生长工艺提供依据和支持。

在技术方案上，优睿谱针对客户在使用中提出的建议和痛点，充分考虑供应链自主可控和国产替代需求，对设备进行了相应地改进和优化，在知识产权以及创新上取得进展。

此前，优睿谱已先后推出国内首款半导体专用FTIR(傅立叶变换红外光谱)测量设备：

• 适用于硅基外延层膜厚测量设备Eos200 /Eos300

• 适用于硅基元素浓度（B/P/F）测量设备Eos200+/Eos300+

• 通过优化的硬件设计（更新的红外光谱仪技术）配合自主开发的算法实现对碳化硅（SiC）外延层膜厚及外延缓冲层膜厚测量设备的Eos200L。

图2：Eos200L测量碳化硅外延缓冲层厚度

• 通过优化的硬件设计（更新的红外光谱仪技术）配合自主开发的Global Fitting Algo.TM算法技术实现碳化硅多层（≥3层）外延膜厚测量设备Eos 200L+。

图三：Eos200L+测量碳化硅多层外延层厚度

• 硅材料中C/O含量测量设备Helios200/300。

碳化硅衬底片位错及微管检测设备SICD200s/SICD200，该设备将IC行业缺陷检测中的线扫描技术（Line Scan）引入碳化硅衬底片中位错和微管检测，较于传统的面扫技术，优睿谱的SICD系列设备可实现整片晶圆的全扫描（全片扫描时间≤7分钟），大幅提升客户端检测效率，同时保证检测结果的真实性和可靠性，为碳化硅衬底晶圆的质量保驾护航。

图4：SICD200s设备检测静态重复性

SCID设备检测结果

图5：SICD200s位错检测结果图示

中南创投基金于2023年6月参与了优睿谱的A轮融资。

关于优睿谱

上海优睿谱半导体设备有限公司成立于2021年9月14日，注册资本600多万元，FTIR红外光谱量测设备产业化。上海优睿谱半导体设备有限公司由长期从事于半导体行业的海归博士领衔和国内资深的IC前道制程量测设备技术团队共同发起成立。

团队人员均为长期深耕在半导体前道量测设备行业,在国内有深厚的产业背景、产业资源以及设备制造的产业链资源。上海优睿谱半导体设备有限公司致力于打造高品质的半导体前道量测设备，为填补中国半导体前道量测设备空白贡献自己的力量同时在深厚的技术积累基础上实现技术创新。

关于中南创投基金

中南创投基金成立于2008年，管理多只人民币和美元创业投资基金，深度聚焦初创期、成长期阶段的生物医药、半导体与人工智能等科技创新领域。

我们以“资本赋能科技，科技造福人类”为使命；以“做难而有价值的事情”为投资战略；以创新为驱动；以科学和商业上的洞见为向导，在全球范围内发掘并助力有快速发展前景的科技型领军企业，并在基金的战略和科学家顾问团队的鼎力支持下，与创业者一起创造价值、共同成长。

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