优睿谱成功推出晶圆电阻率量测设备SICV200

优睿谱半导体设备(无锡)有限公司（简称“优睿谱”）宣布，公司近日成功推出晶圆电阻率量测设备SICV200，即将交付客户验证。

图1：SICV200设备

SICV200是一款用于测量硅片电阻率、碳化硅或其它半导体材料掺杂浓度的半导体量测设备，可支持对包括12英寸在内的各种不同尺寸晶圆，进行可持多频率下CV特性分析。机台配置上，SICV200具有各种尺寸的半自动方案以及符合SEMI标准的全自动方案，可直接对接客户工厂MES系统，实现自动化生产。

表1：SICV200重复性及长期稳定性测量结果

优睿谱总经理唐德明博士介绍，在衬底上进行同质外延时，载流子浓度是一个重要的技术参数。目前，行业普遍使用电容电压（CV）法来测量同质外延层的载流子浓度。该方法可直接在半导体上形成肖特基势垒测得外延层的载流子浓度，也可以形成MOS电容结构对CVD工艺等进行监控，从而有效评估各类半导体材料制造工艺中外延层的载流子浓度以及外延层的质量，方便且无损地对半导体材料进行测量分析，为优化外延生长工艺提供依据和支持。

在技术方案上，优睿谱针对客户在使用中提出的建议和痛点，充分考虑供应链自主可控和国产替代需求，对设备进行了相应地改进和优化，在知识产权以及创新上取得进展。

此前，优睿谱已先后推出国内首款半导体专用FTIR(傅立叶变换红外光谱)测量设备：

• 适用于硅基外延层膜厚测量设备Eos200 /Eos300

• 适用于硅基元素浓度（B/P/F）测量设备Eos200+/Eos300+

• 通过优化的硬件设计（更新的红外光谱仪技术）配合自主开发的算法实现对碳化硅（SiC）外延层膜厚及外延缓冲层膜厚测量设备的Eos200L。
  

图2：Eos200L测量碳化硅外延缓冲层厚度

• 通过优化的硬件设计（更新的红外光谱仪技术）配合自主开发的Global Fitting Algo.^TM算法技术实现碳化硅多层（≥3层）外延膜厚测量设备Eos 200L+。

图3：Eos200L+测量碳化硅多层外延层厚度

• 硅材料中C/O含量测量设备Helios200/300。

碳化硅衬底片位错及微管检测设备SICD200s/SICD200，该设备将IC行业缺陷检测中的线扫描技术（Line Scan）引入碳化硅衬底片中位错和微管检测，较于传统的面扫技术，优睿谱的SICD系列设备可实现整片晶圆的全扫描（全片扫描时间≤7分钟），大幅提升客户端检测效率，同时保证检测结果的真实性和可靠性，为碳化硅衬底晶圆的质量保驾护航。

图4：SICD200s设备检测静态重复性

SICD设备检测结果

图5：SICD200s位错检测结果图示

优睿谱成立于2021年，由长期从事于半导体行业的海归博士领衔，协同国内资深的半导体前道制程量测设备技术团队共同发起成立，致力于打造高品质的半导体前道量测设备。

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