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优睿谱成功推出晶圆电阻率量测设备SICV200
优睿谱半导体设备(无锡)有限公司(简称“优睿谱”)宣布,公司近日成功推出晶圆电阻率量测设备SICV200,即将交付客户验证。图1:SICV200设备SICV200是一款用于测量硅片电阻率、碳化硅或其它半导体材料掺杂浓度的半导体量测设备,可支持对包括12英寸在内的各种不同尺寸晶圆,进行可持多频率下CV特性分析。机台配置上,SICV200具有各种尺寸的半自动方案以及符合SEMI标准的全自动方案,可直接对接客户工厂MES系统,实现自动化生产。表1:SICV200重复性及长期稳定性测量结果优睿谱总经理唐德明博士介绍,在衬底上进行同质外延时,载流子浓度是一个重要的技术参数。目前,行业普遍使用电容电压(CV)法来测量同质外延层的载流子浓度。该方法可直接在半导体上形成肖特基势垒测得外延层的载流子浓度,也可以形成MOS电容结构对CVD工艺等进行监控,从而有效评估各类半导体材料制造工艺中外延层的载流子浓度以及外延层的质量,方便且无损地对半导体材料进行测量分析,为优化外延生长工艺提供依据和支持。在技术方案上,优睿谱针对客户在使用中提出的建议和痛点,充分考虑供应链自主可控和国产替代需求,对设备进行了相应地改进和优化,在知识产权以及创新上取得进展。此前,优睿谱已先后推出国内首款半导体专用FTIR(傅立叶变换红外光谱)测量设备:适用于硅基外延层膜厚测量设备Eos200